电化学模板法制备Pt-WO3纳米线有序阵列

通过恒电势共沉积的方法,用银作为导电基底的多孔阳极氧化铝膜(Al2O3／Ag)为模板制备了Pt-WO3纳米线有序阵列。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线分析(EDAX)对纳米线进行了表征。结果表明,纳米线呈直立状态,直径约为30nm,纳米线中Pt和w的质量比为m(Pt)：m(w)=19．6：1,原子的量比为,n(Pt)：n(W)=18．5：1。这种Pt-WO3纳米线有序阵列具有很大的比表面积,可用于有机小分子的电催化氧化。     

电化学模板法制备金属纳米线的理论探讨

通过恒电势沉积的方法,以蒸镀有银导电基底的多孔阳极氧化铝膜(Al2O3／Ag)为模板制备了铂纳米线。详细讨论了金属沉积过程中电解液在纳米阵列电极上的扩散形式与相邻两单电极的间距和扩散时间的关系。对因孔深逐渐减小所引起的电流上升阶段的电流-时间曲线进行了实验和理论上的比较。结果表明：在电流上升的初始阶段理论值与实验值相吻合,后随电流增大理论值与实验值有较大偏差。这是由于氧化铝膜表面的球形扩散比较复杂,在计算过程中忽略了膜表面的界面层厚度l造成的。     

多孔氧化铝模板中交流沉积钴纳米线阵列

利用二次阳极氧化法制备了多孔氧化铝模板(PAM).用交流电化学沉积方法成功地在模板孔道内制备了Co纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对Co纳米线的形貌、晶体结构进行了研究.结果表明,模板的孔径均匀,孔道平直.Co纳米线均匀分布在PAM纳米孔隙中,直径与PAM孔径一致,约50 nm,并沿Co(111)晶面择优生长.     

铁纳米线阵列的制备及磁性研究

采用二次阳极氧化法制备高度有序的多孔氧化铝模板,以高度有序的阳极氧化铝为模板,用交流电沉积的方法以较低的电压在孔洞中组装了铁纳米线有序阵列.采用场发射扫描电镜(FESEM)对模板和纳米线的形貌和结构进行了表征,采用物理特性测量系统(PMMA)测量了铁纳米线的磁滞回线,结果表明纳米线是均匀连续的,直径为50 nm左右,纳米线在平行于纳米线轴的方向的矫顽力为2 259 Oe,矩形比为0.92,铁纳米线阵列有高的磁各向异性,适用于垂直磁记录介质.     

CoFe2O4纳米线阵列的制备与性能表征

采用Sol-gel法在孔径分别为50nm和200nm的AAO模板中制备高度有序的CoFe2O4纳米线阵列。用SEM、TEM和HRTEM对纳米线阵列的形貌和结构进行了表征。对钴铁氧体纳米线阵列进行磁性能研究，结果表明，CoFe2O4纳米线阵列没有择优取向性，但直径为50nm的钴铁氧体纳米线阵列的矫顽力大于直径为200nm的钴铁氧体纳米线的矫顽力，这是由于AAO模板的纳米孔道对材料的限域效应引起的。     

电化学沉积并氧化法制备CoFe2O4纳米线阵列

用阳极氧化铝(AAO)模板,通过电化学沉积并氧化制备得到纳米线阵列.X射线衍射(XRD)结果显示纳米线由立方尖晶石CoFe2O4相构成,且无明显的择优取向.从透射电子显微镜(TEM)照片可看出,(AAO)模板内刚刚沉积的CoFe2纳米线结构疏松,而通过在空气气氛下的热处理,疏松的CoFe2纳米线转化为致密的CoFe2O4纳米线.当扩孔时间为40 min时,纳米线阵列的矫顽力最大,为1.9 kOe(外磁场平行于纳米线).进一步增加扩孔时间,矫顽力将下降.当外场垂直纳米线时,矫顽力随着扩孔时间的增加而单调减少.外场平行纳米线时,退磁曲线的方形度随着扩孔时间的增加而单调地从0.48减少到0.42;而外场平行纳米线时,方形度却从0.48增加到0.52.     

多孔氧化铝模板电沉积法制备铁纤维阵列

利用多孔氧化铝模板电沉积法成功地制备了α铁相纤维阵列。结果表明：此法制备的铁纤维直径约为300nm，纤维长度随电沉积时间的增加而增加；铁纤维长径比增加会使单位面积饱和磁化强度（Ms）增大、矫顽力（Hc）减小。     

铂纳米线阵列电极对肼的电催化性能

以阳极氧化铝为模板,采用直流电沉积法制备了铂纳米线阵列电极。用扫描电子显微镜,X射线衍射等手段对铂纳米线阵列电极的形貌与结构进行了表征,同时应用循环伏安法和计时电流法测试研究了其对肼的电催化氧化性能.结果表明,铂能够在氧化铝模板孔洞中完整地沉积生长,且纳米线直径与氧化铝模板孔径一致,约为50 nm;铂纳米线阵列电极对肼有明显的电催化活性,且其催化活性与肼浓度及扫描速率有关,肼浓度越大,催化活性越高,当肼浓度为50 mmol/L时,电流密度可达48 mA/cm2,约是铂柱电极的3倍;扫描速率越快,电流密度越大,且与峰电流密度的平方根成正比.铂纳米线阵列电极对肼也具有良好的催化稳定性和耐受性.     

磁场辅助法制备钴纳米线

为扩展废旧硬质合金中钴的回收再利用价值,采用"磁场辅助法"从纯化后的废旧硬质合金回收液中液相还原制备钴纳米线,并考察其在空气中的热稳定性。研究结果表明:有无外加磁场的作用是决定产物形貌的关键因素。磁场作用下,可以得到平均直径在500 nm左右,长度能达到40μm的钴纳米线;而无磁场作用时,只能得到球状的无明显排列取向的钴颗粒。当温度低于225.0℃时,制备的钴纳米线在空气中有较好的热稳定性,具有较好的催化应用潜力。既能提高废旧硬质合金的回收再利用价值、发展钴资源循环利用经济,又对指导1维磁性金属纳米线特别是钴纳米线的制备与应用具有重要的基础理论和实际意义。     

Bi-TiO2纳米管阵列的制备及其光催化性能

以甲基橙光催化降解效率为指标、 Bi（ NO3）3-稀HNO3混合液为电沉积液,利用电化学沉积法探讨铋掺杂二氧化钛纳米管阵列（ Bi-TNTs）的制备条件,通过SEM、 XRD对其结构和形貌进行表征,考察Bi-TNTs光催化降解制糖废水的条件。结果显示,在电压为2.2 V 、0.33 g/L Bi（NO3）3和0.28 mol/L HNO3溶液电沉积4 min条件下制备的Bi-TNTs可以显著提高光催化降解甲基橙及制糖废水的效率。底物pH值对Bi-TNTs光催化活性有较大影响,较强碱性环境中, Bi-TNTs对制糖废水降解率最高,光照25 h制糖废水降解率达到90.24％。     

甲烷还原Ni基催化剂化学气相沉积法制备碳纳米管

以Ni O/γ-Al2O3为催化剂,甲烷气为碳源,采用催化化学气相沉积法制备碳纳米管。利用热重分析法研究了甲烷气氛下Ni O/γ-Al2O3催化剂的还原行为,考察了甲烷裂解温度和反应时间对碳纳米管产率的影响,观察分析了碳纳米管微观结构。结果表明:在甲烷还原的Ni基催化剂上,通过化学气相沉积法裂解温度750℃反应40 min,可以得到管径为20 nm左右的碳纳米管;裂解温度对碳纳米管结构影响不大,但过高裂解温度使碳纳米管产率降低。     

电化学沉积法制备一维氧化锌的研究

采用不同条件电化学沉积法在氧化铟锡（IT O ）导电玻璃基底上自组装生长了一维ZnO阵列。利用X射线衍射仪（XRD）和场发射扫描电镜（FESEM ）对其结构和形貌分别进行表征。结果表明,以种晶预生长时间为40 s的样品为衬底,Zn2＋浓度为0.005 mol/L ,CTAB浓度为0.005 mol/L ,HMT浓度为0.01 mol/L ,沉积时间为10 min ,沉积电位为0.90 V条件下,能够制备出高度取向且致密的一维氧化锌阵列。     

电化学沉积铋-铈二元合金

通过水相电化学沉积的方法制备了Bi-Ce二元合金。采用X-射线衍射和扫描电镜技术表征了产物的形貌和晶体结构。考察了沉积电位、沉积时间以及Bi和Ce的比例等实验参数对产物的形貌和晶体结构的影响。实验表明,通过调节实验参数可控制产物的形貌和尺寸。     

大尺度NiS2纳米线的超声喷雾热解制备

以NiCl2·6H2O和硫脲为前驱液,在350℃的玻璃衬底上,通过超声喷雾热解技术与软模板相结合,成功地制备了产率较高的二硫化镍大尺度纳米线．利用X射线衍射仪（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、偏光显微镜分别对产物的物相和形貌进行了表征．结果表明：所制备的NiS2纳米线沿（200）晶面具有明显的取向生长,长径比约为25：1,并对其生长机理做了初步的探讨．     

电化学沉积技术制备白钨矿结构钼酸盐薄膜

采用恒电流技术于室温条件下直接在金属钼片上制备了白钨矿结构的钼酸盐，包括SrMoO4，BaMoO4和Ba1-xSrxMoO4(0≤x≤1）等薄膜，控制电化学反应的工艺条件为：电流密度为1mA/cm^2；电解液的pH值为13；电化学处理时间为1h。SEM,XRD和XPS分析结果表明，制备的钼酸盐薄膜均为表面均匀致密的四方晶系单相薄膜。