ITO衬度上PZT膜的性能研究

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ锆钛酸铅（ＰＺＴ）溶胶,在ＣＶＤＥ法沉积生成的掺锡氧化铟（ＩＴＯ）／玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退事,用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测试了膜的结晶取向,用ＲＴ６６Ａ测试了膜的电学性能。结果表明,Ｓｏｌ－Ｇｅｌ 膜在ＣＶＤ法生长的ＩＴＯ衬底上能正常结晶,但结晶温度比在Ｐｔ衬底上略高,结晶取向以〈１１０〉为主取向。     

ITO衬底上PZT膜的性能研究

用Ｓｏｌ－ Ｇｅｌ 锆钛酸铅（ＰＺＴ） 溶胶, 在ＣＶＤ 法沉积生成的掺锡氧化铟（ＩＴＯ） ／ 玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火（ＲＴＡ） 处理后, 用Ｘ 射线衍射（ＸＲＤ） 测试了膜的结晶取向, 用ＲＴ６６Ａ 测试了膜的电学性能。结果表明, Ｓｏｌ－ Ｇｅｌ ＰＺＴ膜在ＣＶＤ 法生长的ＩＴＯ 衬底上能正常结晶, 但结晶温度比在Ｐｔ 衬底上略高, 结晶取向以＜ １１０ ＞ 为主取向。ＩＴＯ 衬底上厚度为０－６４ μｍ 的ＰＺＴ 膜的漏电约为５ ×１０ － ７ Ａ／ｍ ｍ２ , 比Ｐｔ 衬底上高不到一个数量级。８ Ｖ 时膜的有效介电常数Ｋｅｆ 约１ ３８０ , 剩余极化强度Ｐｒ＝ １３ μＣ／ｃｍ２ , 与Ｐｔ 衬底上无明显差别。ＣＶＤＩＴＯ／ 玻璃衬底可取代昂贵的Ｐｔ 衬底作铁电薄膜的性能研究。     

离子束增强沉积Al-N共掺杂ZnO薄膜的制备

用Al2O3粉体与ZnO粉体均匀混合，压制成溅射靶。在Si和SiO2／Si衬底上。用离子束增强沉积（IBED）方法对沉积膜作Ar^＋／N^＋注入，制备Al-N共掺杂氧化锌薄膜（ANZO）。在氮气氛中作适当的退火，可以方便地获得取向单一、结构致密、性能良好的共掺杂ZnO薄膜。探索用IBED方法在Si和SiO2衬底上制备优质掺杂薄膜的可能性。初步研究了ANZO共掺杂薄膜的结构、电学和光学性能。     

二氧化锡衬底上Sol-Gel PLT膜的性能研究

用Sol-Gel钛酸镧铅（PLT）溶胶,在CVD法沉积生成的二氧化锡/玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火（RTA）处理后,用X射线衍射（XRD）测试了膜的结晶取向,用RT66A测试了膜的电学性能。结果表明,Sol-GelPLT膜在SnO2衬底上能正常结晶,结晶温度与在Pt衬底上一致,结晶取向以〈100〉为主取向。10V时,SnO2衬底上厚度为0.56μm的PLT膜的漏电约为5.6×10-7A/mm2,比Pt衬底上同等厚度的PLT膜高约一个数量级。膜的剩余极化强度Pr=24μC/cm2,比Pt衬底上的高。PLT/SnO2的疲劳特性优于PLT/Pt结构。     

溶胶凝胶生长(111)择优取向的MgO薄膜

用一种简单的方法制得MgO的前驱溶液并用溶胶凝胶法在Si（100）和Si（111）衬底上制备出（111）择优取向的MgO薄膜.使用X射线衍射曲线、摇摆曲线、原子力显微镜图来研究薄膜的微结构与基板取向、退火温度、薄膜厚度之间的关系.结果表明，在退火温度高于500℃时结晶，Si衬底的取向对MgO薄膜的取向没有显著影响.同时，退火温度的升高和薄膜厚度的增加都能使MgO（111）的择优取向性越来越好;Si的易氧化是导致镁醇盐经过高温分解结晶形成MgO（111）择优取向的主要原因.     

高性能PZT压电厚膜及MEMS微驱动器技术研究

运用混合溶胶-凝胶法制备了具有钛酸铅(PT)种子层的PZT基压电复合厚膜,包括(100)取向PZT压电厚膜,PZT纳米颗粒增强PZT压电复合厚膜((0-3)PZT)和氧化锌晶须增强PZT复合厚膜(ZnOw-PZT).通过结构表征,研究了工艺条件和膜厚对PZT基厚膜的生长、结晶、取向和微结构的影响,给出最佳工艺条件.并介绍了无阀型压电MEMS微泵、Ⅴ型阀式压电MEMS微泵、压电悬臂梁和三压电悬臂驱动的悬浮膜片式MEMS微镜等微器件的性能.     

PLZT薄膜的溅射沉积和热处理

用磁控射频溅射方法在不加热的硅衬底上沉积生长锆钛酸铅镧（PLZT）薄膜。由混浇法制备了两只氧化物靶材PLZT（5／65／35）和（9／65／35）。初生态薄膜主要是非晶态,所希望的钙钛矿相结构由后处理形成。研究了不同退火条件下焦绿石相和钙钛矿相的转变,实验表明氧气氛下由常规退火（LFA）和快速退火（RTA）可形成钙钛矿相PLZT薄膜。     

二氧化锡衬底上Sol—Gel PLT膜的性能研究

用Sol-Gel钛酸镧铅 (PLT)溶胶 ,在CVD法沉积生成的二氧化锡 /玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火 (RTA)处理后 ,用X射线衍射 (XRD)测试了膜的结晶取向 ,用RT66A测试了膜的电学性能。结果表明 ,Sol-GelPLT膜在SnO2 衬底上能正常结晶 ,结晶温度与在Pt衬底上一致 ,结晶取向以〈10 0〉为主取向。 10V时 ,SnO2 衬底上厚度为 0 5 6μm的PLT膜的漏电约为 5 6× 10 - 7A/mm2 ,比Pt衬底上同等厚度的PLT膜高约一个数量级。膜的剩余极化强度Pr=2 4μC/cm2 ,比Pt衬底上的高。PLT/SnO2 的疲劳特性优于PLT/Pt结构。     

螯合剂在氧敏传感器钛酸锶薄膜制备中的应用

采用溶胶-凝胶法制备SrTiO3薄膜，制备稳定的溶胶要求有适合的浓度和粘度，而且为有效控制膜厚及性能的重复性，溶胶必须长期稳定，采用螯合剂螯合来控制溶胶，使溶胶稳定。首次对溶胶凝胶法中两种不同螯合剂柠檬酸和乙酰丙酮的螯和作用机理进行详细讨论，通过红外光谱、X射线衍射以及扫描电镜分析比较，采用乙酰丙酮为螯合剂制备得到的钛酸锶薄膜氧敏响应性高。     

退火温度对TiO2及Nb掺杂TiO2薄膜的影响

采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备了均匀透明的TiO2薄膜和掺Nb的TiO2薄膜,利用XRD,UV-VIS等手段,研究了退火温度对薄膜的结构、紫外-可见光区透射率、光学禁带宽度等性质的影响,并分析了掺杂Nb对TiO2薄膜晶体结构和光学性能的影响。实验结果表明:退火温度越高,薄膜生长取向越好,晶粒尺寸越大,光透过率越低;掺杂Nb后,能明显改善其结晶与生长,并降低其晶粒尺寸,透射率光谱吸收边缘产生蓝移现象。     

WO3薄膜热处理效应下的电致变色特性研究

本文采用溶胶-凝胶法制备了WO3膜,分析了热处理温度对WO3薄膜结构的影响,探讨了热处理温度下WO3膜的电致变色特性.     

溶胶—凝胶法制备WO_3电致变色薄膜

本文以六氯化钨和乙醇为主要原料, 采用溶胶—凝胶法制备了ＷＯ３ 非晶态电致变色薄膜, 研究了ＷＯ３ 薄膜的结构、化学组成、电致变色性能, 结果表明用该法制备的非晶态ＷＯ３ 薄膜具有良好的电致变色特性     

纳米氧化镁超薄膜的制备与形貌研究

以Mg(NO3)2为反应前驱物，采用溶胶－凝胶浸渍提拉法，对氧化镁纳米粒子薄膜的制备工艺进行了详细研究，并利用AFM研究了制备过程中不同条件对纳米薄膜形成的影响，同时寻求到了较佳的制膜工艺条件。     

Oriented Growth of PZT thick film embedded with PZT nanoparticles

This paper reports that dense and crack-free(100)oriented lead zirconate titanate(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3,PZT)thick film embedded with PZT nanoparticles has been successfully fabricated on Pt/Cr/SiO2/Si substrate by using PT transition layer and PVP additive.The thick film possesses single-phase perovskite structure and perfectly(100)oriented.The(100)orientation degree of the PZT films strongly depended on annealing time and for the 4 μm-thick PZT film which was annealed at 700 ℃ for 5 min is the largest.The(100)orientation degree of the PZT thick film gradually strengthen along with the thickness of film decreasing.The 3 μm-thick PZT thick film which was annealed at 700 ℃ for 5 min has the strongest(100)orientation degree,which is 82.3%.     

负载磷钨酸催化剂的催化性能研究

采用溶胶－凝胶方法制备了负载磷钨酸催化剂,以乙酸异戊酯的合成反应为模型反应,详细研究了这种催化剂对酯化反应的催化活性和使用寿命,确定了采用负载磷钨酸催化剂催化合成乙酸异戊酯反应的较佳合成条件。     

STUDY ON PREPARATION OF YBa_2Cu_3O_(7-x) ULTRAFINE POWDERS BY SOL-GEL PROCESS

The ultrafine powders of YBa_2Cu_3O_(7-x) withthe size of 100nm were synthesized by Sol-Gel process using cit-rate as complex and ammonium hydroxide to adjust pH of solu-tion. The process of Sol formation and Gel polymerization ofYBa_2Cu_3O_(7-x) in the Sol-Gel synthetic reaction has bee studied.The particle size,pruity,sintering activity and superconductingproperties of YBa_2Cu_3O_(7-x)prepared by Sol-Gel method are betterthan by solid state reaction.     

Influence of annealing time on the microstructure and properties of Pb(Zr0.53Ti0.47)O3 thin films

The PZT thin films were prepared on (111)- Pt/Ti/SiO2/Si substrates by sol-gel method, and lead acetate [Pb(CH3COO)2], zirconium nitrate [Zr(NO3)4] were used as raw materials. The X-ray diffractometer (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) were used to characterize the phase structure and surface morphology of the films annealed at 650 ℃ but with different holding time. Ferroelectric and dielectric properties of the films were measured by the ferroelectric tester and the precision impedance analyzer, respectively. The PZT thin films were constructed with epoxy resin as a composite structure, and the damping properties of the composite were tested by dynamic mechanical analyzer (DMA). The results show that the films annealed for 90 minutes present a dense and compact crystal arrangement on the surface; moreover, the films also achieve their best electric quality. At the same time, the largest damping loss factor of the composite constructed with the 90 mins-annealed film shows peak value of 0.9, higher than the pure epoxy resin.     

溶胶法合成ZrO2（Y2O3）纳米晶超微粉研究

研究了水基溶胶法合成ＺｒＯ２（Ｙ２Ｏ３）纳米晶超微粉体的可能性。结果表明，这种方法能够合成粒径为数十至数个纳米的超微粉体，合成的粉体粒径分布均匀，分散性好。通过选择溶胶形成过程中前驱物浓度值，可以有效地控制合成的超微粉体的粒径，浓度增大，粉体粒径减小。合成的ＺｒＯ２（Ｙ２Ｏ３）粉体最小粒径为６ｎｍ，该值由溶胶中胶体粒子临界晶核的大小所决定。     

Nb和Co掺杂对PZT铁电薄膜电性能的影响

用Sol-Gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜,薄膜呈以(1 0 1)为首要方向的多晶结构.测试结果表明:Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化、矫顽场、介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值,但在1 mol%到10 mol%Nb掺杂范围内漏电流密度随着Nb掺杂比例的增加而减小,薄膜的剩余极化强度和介电常数也有所减小.