离子注入金属材料表面改性

本文着重叙述了最近以来离子注入金属材料改性新的进展。离子注入金属的研究,其研究对象品种繁多,需要高注量,且样品形状复杂,因此离子注入金属中的物理问题比半导体离子注入更加复杂。包括各种离子注入多种金属所出现的溅射腐蚀、倾斜注入、特球形状注入、离子浓度分布、注入条件与金属相变的关系以及离子注入提高耐磨损机理等诸多难题。离子注入金属材料改性研究近年来极为活跃,已发表了不少评论文章。希望这篇评论能对从事离子束材料改性工作的人员有所帮助。     

氧离子束轰击后的InP表面形貌实验研究

用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和扫描隧道同镜（ＳＴＭ）对遭受斜入射Ｏ２离子束轰击的ＩｎＰ表面形貌变化进行了研究。结果表明：波纹状的表面形貌从０．４μｍ的溅射深度开始形成。在溅射深度为０．４－２０μｍ范围,波纹状表面形貌的波及以及无序性均随溅射深度的增加而增加,波长与溅深度有关而与溅射速率无关。研究结果证实由Ｏ２离子束轰击导致的ＩｎＰ表面波纹形貌能够通过在轰击期间旋转样品得到有效抑制。     

准分子激光的材料表面改性

本文对准分子激光表面改性工程的研究进展进行了综合评述。着重评述了准分子激光重熔、合金化及其沉积。最后指出其发展趋势。     

模具表面的PVD改性

<正> 前言 提高模具的耐热、耐磨以及耐腐蚀性能通常指个两方面的工作。其一是对模具基体的热处理;其二是对模具表面的改性处理。模具表面改性的方法较多,有氮化、碳化以及氧化等化学处理方法,有化学气相沉积(CVD)法和物理气相沉积(PVD)法等镀膜的方法。PVD法是能够在工具钢(高速钢、模具钢)的回火温度下,在金属表面上沉积一层硬质膜的方法。特别是近几年发展起来的多弧离子镀沉积法,克服了以前离子镀的缺点和不足,使膜与基体的附着力显著提高。本文想介绍一些用PVD法得到的膜层的基本特性和在切削工具以及模具中的应用例子。     

舰船特种缸套激光表面改性

采用激光熔覆、表面改性技术对舰船特种小口径缸套的内表面进行强化处理，提高其综合性能。     

激光用于兔毛表面改性的实验研究

使用XeCl准分子激光和CO2激光对兔毛纤维进行了表面改性研究.实验证明用这两种激光在空气中直接辐照兔毛都能改变纤维的表面形状,XeCl激光更适合用于兔毛的表面改性.     

表面改性FeS纳米微粒的结构表征

采用表面改性的方法，以双十八烷基二硫代磷酸盐(DDP)为表面改性剂。制备了双十八烷氧基二硫代磷酸盐(DDP)表面改性的FeS纳米微粒。采用TEM。DSC，XRD和FTIR对表面改性FeS纳米微粒进行结构分析。结果表明，表面改性FeS纳米微粒是由DDP表面改性层和FeS纳米核心所构成，微粒尺寸在4nm～6nm之间。DDP表面改性FeS纳米微粒在氯仿、苯和甲苯等有机溶剂中都具有良好的分散性。     

SiO2膜针孔的分析与检测

本文分析了ＳｉＯ＿２膜的针孔模型及漏电机理，讨论了针孔密度的概念，并用ＥＰＷ（乙二胺－邻苯二酚水溶液）法和漏电流法分析了针孔与漏电流的关系，给出了ＳｉＯ＿２膜无明显针孔的判据。     

磁控溅射二氧化硅薄膜的制备工艺

研究了在半绝缘ＧａＡｓ衬底上磁控溅射ＳｉＯ＿２薄膜的工艺技术。对影响生长薄膜的因素进行了实验分析，给出了生长速率、腐蚀速率及组分等参数与工艺条件的关系。实验证明，和其它镀膜技术相比，磁控溅射可以在更低的温度下制作致密、均匀、重复性好的ＳｉＯ＿２膜。     

PECVDSiO_2和SiON薄膜的工艺优化及其应用

在等离子激发条件下，进行了ＳｉＯ＿２，和ＳｉＯＮ介质薄膜生长实验，研究了沉积参数射频功率、反应压力、反应气体流量比及总流量、反应温度对沉积薄膜的生长速率、均匀性和折射率的影响，并优化了工艺条件，得到了生长速率为１５０ｎｍ／ｍｉｎ、均匀性为±０．４４％、折射率ｎ为１．４６３±０．００２的ＳｉＯ＿２和生长速率为１１７ｎｍ／ｍｉｎ、均匀性为±３．０％、折射率ｎ为１．５０６±０．００４的ＳｉＯＮ介质薄膜。还介绍了这两种介质薄膜的应用。     

射频反应溅射SiO2薄膜的研究

研究反应气体（Ｏ_２）含量及基片温度对射频反应溅射ＳｉＯ_２膜光学性能及沉积速率的影响，并给出了膜层俄歇能谱分析结果。     

SiH_4－O_2体系LPCVD SiO_2薄膜的工艺及其应用

本文研究了ＳｉＨ４—Ｏ２体系ＬＰＣＶＤＳｉＯ２的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜，改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构，获得了每炉１００片、直径为１００ｍｍ的硅片的膜厚不均匀性≤士５％的结果。     

nc-Si／SiO2多层薄膜的三阶非线性光学性质

用简并四波混频技术研究了 nc- Si/Si O2 多层薄膜的三阶非线性光学性质 ,观察到了位相共轭信号 ,测得实验用样品在光波波长为 5 89nm处的三阶非线性极化率χ( 3) 为 4.1× 10 - 7esu,并对该材料的光学非线性产生机理作了探讨。     

光CVD SiO2钝化膜在红外探测器中的应用

本文评述了光 CVD SiO_2钝化膜的原理和方法,介绍了在50～300℃温度下,在 Si、InSb 和 HgCdTe 晶片上光 CVD SiO_2钝化膜。讨论了膜的淀积条件和性质以及光 CVDSiO_2钝化膜在 InSb、HgCdTc 红外探测器中的应用。     

非晶SiO2纳米线的合成及其显微结构和光学性质的研究

本研究以硅片为衬底,热蒸发一氧化硅粉末在较低温度下合成了大量直径均匀的非晶SiO2纳米线.这些纳米线直径分布在15 nm～40 nm之间,长度几十微米.选区电子衍射(SAED)、能谱(EDS)、电子能量损失谱(EELS)分析结果表明这些纳米线为非晶SiO2纳米线.光致发光(PL)谱测试结果显示纳米线在波长550 nm处存在一个较强的PL峰.本文进一步指出了蒸发源SiO粉末的颗粒度和蒸发温度对纳米线生长有强烈的影响.     

多晶硅／二氧化硅界面的俄歇谱分析

利用扫描俄歇微探针对多晶硅／二氧化硅界面进行分析,发现多晶硅／二氧化硅界面不是突变的,而存在着一个过渡区。根据多晶硅薄膜的成核理论,分析了该过渡区产生的原因,并利用＂幸运载流子＂模型,定量分析该过渡区对ＭＯＳ结构热载流子注入效应的影响。     

二氧化硅和氮化硅薄膜的等离子汽相淀积与应用

开发了一种全新的等离子增强化学汽相淀积氧化硅和氮化硅薄膜制作技术,并首次将其成功地用于半导体功率器件芯片的钝化工艺,提高和保证了器件的性能和可靠性。