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本文介绍了InP、InGaAs、InGaP、InGaAsP等的光压港(PVS)。并把InGaAsP(在特定组份下)的PVS与FFT—PL谱进行了比较;分析和讨论了PVS测试的局限性和复杂性;指出了对多层异质结构材料,只有把器件结构、外延工艺、ECV测试等结合起来,才可能正确地理解PVS给出的测试结果。 相似文献
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本文介绍X射线晶体衍射的测试原理,讨论了半导体薄片异质结构材料X射线晶体衍射测量中正、负失配,晶片微弯曲,摇摆曲线的对称性,复杂曲线的分解、干涉带等问题。指出了晶体衍射测试结果对MOCVD、LPE工艺调整的重要性。 相似文献
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本文介绍了与电化学C-V测量相结合的光压谱技术的基本原理、实验装置及其在研究化合物半导体材料方面的应用。 相似文献
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介绍了傅立叶交换光萤光谱测试的基本原理;报道了用PL6120设备测得的一些典型的异质结构材料光萤光谱;分析和讨论了光萤光双峰结构、光萤光谱异常温度特性等问题;指出了异质界面上原子排列无序和内应力是造成这些异常现象的物理原因。 相似文献
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光致发光是一种能够对半导体材料进行无损测量的光谱测定方法[1].由于它对样品的要求比较低、实验的装置也比较简单,因而在近些年来得到了广泛的运用,尤其是对于一些新材料的光学性质的研究[2,3,4,5].红外焦平面阵列(IRFPA)探测器技术在现代国防和空间等领域有着十分重要的地位,研究高质量的红外材料是其中的关键性问题.其中包括HgCdTe的薄膜[6,7]以及HgTe-CdTe的超晶格材料[8,9],它们被广泛应用于3到12μm红外探测器和其它光电器件的制造中.因此对HgCdTe质量的检测显得非常重要,红外探测器的响应率直接和它的吸收系数相关,吸收谱又和材料的光致发光谱有着联系.光致发光是一种无损测量,可以应用于晶体的检测.可以通过对吸收系数的研究来对光致发光谱进行研究,并且和实验结果进行对照,对光致发光谱中的峰进行讨论. 相似文献
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面向国家"战略性先进电子材料"的发展目标,以国家重大战略需求,如全球气候观测、农林普查、国土资源探测、环境监测、深空探测和天文观测等领域的技术发展中面临的光探测器瓶颈问题为突破口,瞄准半导体材料及其光探测器正在朝全光谱覆盖、大面阵、高灵敏等方向快速发展的国际态势,开展低维半导体异质结构材料与光电器件研究,发展该体系材料人工设计精细调控的关键技术,推动多波段多种类型的光电探测器技术进步,促进我国经济、社会、国家安全及科学技术的发展. 相似文献
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本文介绍了将透射电子显微学应用于半导体材料科学研究中的几个典型课题中所取得的研究结果,展示出从体单晶到超薄、式层异质结材料,从平面型异质结到非平面异质结材料的广泛领域中所获取的关于材料中“微区”、“微量”、“微观结构”的全方位信息,说明了透射电子显微学在半导体材料科学中起到的独特重要作用,而且随着半导体材料的日新月异的发展,其重要性将日趋明显。 相似文献
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中科院化学所胶体、界面与化学热力学院重点实验室高明远课题组与国家纳米中心的唐智勇教授及北京交通大学光电子技术研究所联合发表了纳米尺寸的Cu2S-In2S3异质结构材料的制备与形貌控制机理研究论文(J.Am.Chem.Soc.,2008,130,13152-13161)。他们证明了导体硫化铜纳米颗粒可以催化硫化铟纳米晶体的生长,形成具有“半导体一半导体异质结构”的纳米材料,而类似的催化作用之前只在金属类纳米颗粒中被观察发现。 相似文献
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新颖的微波器件材料──InGaAs/GaAs异质结构彭正夫,张允,龚朝阳,高翔,孙娟,吴鹏(南京电子器件研究所210016)一、引言众所周知,GaAsMESFET器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定.由于InGaAs的电子饱和速度比Ga... 相似文献
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Ⅲ—V族磁半导体材料的研究与发展 总被引:1,自引:0,他引:1
Mn、Fe等过渡金属元素的Ⅲ-V族磁半导体(DMS)材料和铁磁/半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性,可望广泛应用于未来的磁(自旋)电子器件,从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。本文将对上述研究领域进行评述。 相似文献
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新型微电子和光电子材料──SiGe/Si异质结构材料的发展夏传钺(国家自然科学基金委员会,信息科学部100083)刘安生,郑有斗(北京有色金属研究总院100088)(南京大学物理系210008)近半个世纪半导体的发展表明,硅材料所制备的器件和以硅大规... 相似文献