半导体长波长异质结构材料光压谱测试探讨

本文介绍了ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ等的光压港（ＰＶＳ）。并把ＩｎＧａＡｓＰ（在特定组份下）的ＰＶＳ与ＦＦＴ—ＰＬ谱进行了比较；分析和讨论了ＰＶＳ测试的局限性和复杂性；指出了对多层异质结构材料，只有把器件结构、外延工艺、ＥＣＶ测试等结合起来，才可能正确地理解ＰＶＳ给出的测试结果。     

半导体异质结构材料的X射线晶体衍射测试分析

本文介绍Ｘ射线晶体衍射的测试原理，讨论了半导体薄片异质结构材料Ｘ射线晶体衍射测量中正、负失配，晶片微弯曲，摇摆曲线的对称性，复杂曲线的分解、干涉带等问题。指出了晶体衍射测试结果对ＭＯＣＶＤ、ＬＰＥ工艺调整的重要性。     

与电化学C—V测量相结合的光压谱（PVS）技术

本文介绍了与电化学C-V测量相结合的光压谱技术的基本原理、实验装置及其在研究化合物半导体材料方面的应用。     

GaAs基异质结构材料及其应用

本文介绍了近年来GaAs异质结构材料及其器件的研究概况以及今后发展趋势。     

异质结构材料的傅立叶变换光萤光谱的测试与分析

介绍了傅立叶交换光萤光谱测试的基本原理；报道了用ＰＬ６１２０设备测得的一些典型的异质结构材料光萤光谱；分析和讨论了光萤光双峰结构、光萤光谱异常温度特性等问题；指出了异质界面上原子排列无序和内应力是造成这些异常现象的物理原因。     

闪锌矿结构半导体声子谱研究

我们采用两参数的Keating模型描述晶体的短程相互作用,并引入有效电荷Z描述长程的库仑相互作用,研究了极性半导体的晶格动力学性质。对SiC,GaAs,GaSb和InSb的计算表明,本文的结果与实验及其它理论计算符合较好。由于本文的模型只引入了三个参数,具有参数少,物理图象清晰的性质,因此,这个模型可以应用到复杂的体系,如超晶格等。     

半导体激光器结温测试研究

提出了一种测试结温的简便易行的新方法,用此方法能够较准确地测量出激光器在直流工作时的结温.通过改变环境温度得到激光器正向电压的温度系数dVf/dT,再改变电流应力测得正向电压随电流的变化率dVf/dI.其中,由理论计算得到dVf/dT推出的温度随电流的变化率ΔT/ΔI为31.9 ℃/A,由实验得到dVf/dT推出的ΔT/ΔI为37.2 ℃/A.把这两者和常规的波长漂移法得到的结果ΔT/ΔI ≈29.7 ℃/A进行比较,结果基本一致,从而证明了新方法的可行性.     

基于光致发光谱的窄禁带半导体材料能级研究

材料能带以及缺陷能级状态是窄禁带半导体材料芯片制造过程中的重要参数。红外调制光致发光（Photoluminescence, PL）光谱仪是一种无损的有效检测技术。利用该技术对不同的窄禁带半导体材料进行了检测,然后用线型拟合光谱揭示了不同能级间的电子跃迁,并对结果进行了分析。结果表明,红外调制PL光谱是一种有效的材料能带和缺陷能级研究方法。     

半导体材料的光致发光

光致发光是一种能够对半导体材料进行无损测量的光谱测定方法[1].由于它对样品的要求比较低、实验的装置也比较简单,因而在近些年来得到了广泛的运用,尤其是对于一些新材料的光学性质的研究[2,3,4,5].红外焦平面阵列(IRFPA)探测器技术在现代国防和空间等领域有着十分重要的地位,研究高质量的红外材料是其中的关键性问题.其中包括HgCdTe的薄膜[6,7]以及HgTe-CdTe的超晶格材料[8,9],它们被广泛应用于3到12μm红外探测器和其它光电器件的制造中.因此对HgCdTe质量的检测显得非常重要,红外探测器的响应率直接和它的吸收系数相关,吸收谱又和材料的光致发光谱有着联系.光致发光是一种无损测量,可以应用于晶体的检测.可以通过对吸收系数的研究来对光致发光谱进行研究,并且和实验结果进行对照,对光致发光谱中的峰进行讨论.     

低维半导体异质结构光电探测材料及器件验证

面向国家"战略性先进电子材料"的发展目标,以国家重大战略需求,如全球气候观测、农林普查、国土资源探测、环境监测、深空探测和天文观测等领域的技术发展中面临的光探测器瓶颈问题为突破口,瞄准半导体材料及其光探测器正在朝全光谱覆盖、大面阵、高灵敏等方向快速发展的国际态势,开展低维半导体异质结构材料与光电器件研究,发展该体系材料人工设计精细调控的关键技术,推动多波段多种类型的光电探测器技术进步,促进我国经济、社会、国家安全及科学技术的发展.     

化合物半导体材料制片技术探讨

本文主要探讨化合物半导体材料磨片、抛光工艺中与表面质量有光的因素,并对一些不利因素提出了改进措施。     

用于Ⅱ──Ⅵ族半导体材料光学双稳特性测试装置

本文介绍了研究Ⅱ—Ⅵ族半导体超晶格光双稳特性的实验装置以及实验结果。     

透射电子显微学在半导体材料科学中的应用

本文介绍了将透射电子显微学应用于半导体材料科学研究中的几个典型课题中所取得的研究结果，展示出从体单晶到超薄、式层异质结材料，从平面型异质结到非平面异质结材料的广泛领域中所获取的关于材料中“微区”、“微量”、“微观结构”的全方位信息，说明了透射电子显微学在半导体材料科学中起到的独特重要作用，而且随着半导体材料的日新月异的发展，其重要性将日趋明显。     

半导体异质结构纳米材料新进展

中科院化学所胶体、界面与化学热力学院重点实验室高明远课题组与国家纳米中心的唐智勇教授及北京交通大学光电子技术研究所联合发表了纳米尺寸的Cu2S-In2S3异质结构材料的制备与形貌控制机理研究论文（J．Am．Chem．Soc．,2008,130,13152-13161）。他们证明了导体硫化铜纳米颗粒可以催化硫化铟纳米晶体的生长,形成具有“半导体一半导体异质结构”的纳米材料,而类似的催化作用之前只在金属类纳米颗粒中被观察发现。     

新颖的微波器件材料—InGaAs／GaAs异质结构

新颖的微波器件材料──ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构彭正夫，张允，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏（南京电子器件研究所２１００１６）一、引言众所周知，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定．由于ＩｎＧａＡｓ的电子饱和速度比Ｇａ...     

Ⅲ—V族磁半导体材料的研究与发展

Mn、Fe等过渡金属元素的Ⅲ-V族磁半导体（DMS）材料和铁磁/半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性，可望广泛应用于未来的磁（自旋）电子器件，从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。本文将对上述研究领域进行评述。     

基于半导体-金属相变材料的宽谱、偏振选择的红外光开关

提出了一种基于半导体-金属相变材料和掩埋金属光栅结构的新型红外光开关。该结果由电磁场有限元方法计算得到。设计了在近红外波段表现出宽谱的、偏振选择的全光开关效应。掩埋金属光栅极大的提高了二氧化钒薄膜作为光开关的消光比,使得该结构在亚波长尺寸获得了高的消光比。结构的光学响应随入射角变化并不敏感。结构的透过、吸收特性可由结构参数进行调节。此设计在红外光通信、光计算以及军事探测、无损检测等领域具有潜在的应用。     

CdS／CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究

本文提出了精确测量内建电压Ｖ_Ｄ的Ｗ（结宽）－Ｎ（Ｎｅｆｆ为有效空间电荷密度）新方法．文中严格证明了由Ｗ－Ｎ曲线的斜率可计算异质结的ＶＤ．在零偏压下测量了ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２异质结的ＶＤ，样品ＣＩＳ－１的ＶＤ为０．４３７Ｖ，样品ＣＩＳ－２的ＶＤ为０．２９３Ｖ．我们的测量结果表明，光照不改变ＶＤ，但使异质结变窄．内建电压是异质结的固有参量．利用Ｗ－Ｎ方法可以详细研究偏压对异质结电特性和其它参量的影响．     

新型微电子和光电子材料SiGe／Si异质结构材料的发展

新型微电子和光电子材料──ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构材料的发展夏传钺（国家自然科学基金委员会，信息科学部１０００８３）刘安生，郑有斗（北京有色金属研究总院１０００８８）（南京大学物理系２１０００８）近半个世纪半导体的发展表明，硅材料所制备的器件和以硅大规...