电离辐射量与单位的体系演进述评

科学又实用地统一计量电离辐射乃是各行各业广泛利用原子能科学技术以及预防与治疗电离辐射可能产生放射损伤所必不可少的重要前提和基础。关于电离辐射量与单位以及相应的测量和应用方法,有关国际组织和世界各国均普遍采纳国际辐射单位与测量委员会（ICRU）这一公认的权威学术组织所提出的体系。本文着重评述电离辐射量与单位的体系在数十年来的主要演变进化概貌。     

ICRU技术报告进展

已有85年历史的国际辐射单位与测量委员会（International Commission on Radiation Units and Measurements, ICRU），是国际公认的权威学术组织，专门研究提出关于电离辐射量与单位，以及有关电离辐射量的测量和应用方面的技术报告，并被有关国际组织和世界各国普遍采纳。     

电离辐射量体系的新进展

扼要评述相关领域均十分关注的电离辐射量体系的不断演进概况,简要介绍国际辐射单位与测量委员会(ICRU)关于电离辐射基本量于2011年再次更新的要点。     

我国电离辐射防护学科与事业的历史演进梗概

此文着眼于电离辐射防护学科建设需要,力图较系统地追踪与评述我国电离辐射防护学科与事业历史沿革的主要大事。着重从开创我国核科学技术新时代的需要、从培养亟需相关专业人才抓起、建立与健全国家有关主管机构和相应防护管理体制、设立与发展各系统相关专业的科研和教学单位、建立并不断完善我国的电离辐射防护法规与标准体系,以及成立相关专科学会和创办防护专业杂志促进繁荣学术交流等方面,扼要评述数十年来我国电离辐射防护学科与事业的历史演进梗概。最后挂一漏万地概览电离辐射防护领域取得的主要丰硕成果,旨在激励今后更好继往开来。兹基于抛砖引玉,研讨相关历史经验,期盼能为总结获取宝贵的有益启示而添砖加瓦,从而促进我国电离辐射防护学科与事业更进一步迅速发展。     

关于辐射量的几点说明

在辐射效应研究、辐射应用及辐射防护中,辐射的测定及有关辐射量的描述是很重要的一个方面。而在不同领域中有不同的着眼点,不同的条件,不同的要求,甚至还有不同的习惯。例如,在辐射防护中往往要求实用性和可靠性,而不是高的精确度。实际上,由于照射条件无法控制,也不可能高度精确。因此,允许使用一些防护专用简化办法,甚至在工作人员的防护中,只要满足某种不等式的关系,就能达到辐射防护的目的,而这在别的领域中往往是不能接受的。此外,特别是在辐射应用领域中,对辐射量的概     

对公众慢性照射防护一些讨论

本文介绍了近年来国际放射防护委员会,国际原子能机构以及一些学者对公众慢性照射防护问题的一些讨论,涉及定义与范围,相关量,ＩＣＲＰ防护体系的应用以及实用指南等。０它可以作为制度我国《电离辐射防护和辐射源安全的基本安全标准》的借鉴。     

关于ICRU39号报告中的辐射量的讨论

本文介绍了 ICRU39号报告中提出的用于场所监测和个人剂量监测的四个辐射量的概念和特性,分析了它与以往的用剂量当量指数量方案的差别和改进之处,指出了它在实用中还存在的一些困难和应用中尚须注意的问题。     

对公众慢性照射防护的一些讨论

本文介绍了近年来国际放射防护委员会（ＩＣＲＰ）、国际原子能机构（ＩＡＥＡ）以及一些学者对公众慢性照射防护问题的一些讨论,涉及定义与范围、相关量、ＩＣＲＰ防护体系的应用以及实用指南等。它可以作为制订我国《电离辐射防护和辐射源安全的基本安全标准》的借鉴。     

辐射物理及其应用

文章介绍了辐射物理所研究的领域及特点,各种辐射源及所发射粒子与物质相互作用的特点,主要辐射量的物理意义,并指出辐射物理技术在科学研究、工业、航天和医学等诸多领域的应用.     

<同位素>(季刊)征稿简则

<同位素>(季刊)是中国核学会同位素学会主办的综合性学术刊物.本刊以创新与实用并重、提高与普及相结合为特点,反映国内外同位素与辐射技术的进展和动向;重点报道同位素技术的研究及其在各领域应用方面具有创造性和实用性的新成果和新经验,宣传其经济效益、社会效益以及在促进科学技术发展中的作用;介绍有关的基础知识、应用知识与辐射防护知识等.其主要读者对象为科研院所的科研人员、高校的师生及其它各行业应用同位素技术的有关人员等.     

常用4对剂量学量的主要区别和相互关联

在电离辐射技术的所有应用领域,几乎都需要用到辐射剂量学量。此文专门评述常用4对剂量学量(照射量与照射量率、吸收剂量与吸收剂量率、比释动能与比释动能率、比转换能与比转换能率)的主要特点、彼此区别和相互关联等。显然,实际工作中准确理解并正确使用这4对常用剂量学量至关重要。     

外照射辐射防护中的量

在外照射辐射防护中,国际辐射单位和测量委员会(ICRU)提出的四个新的辐射量对解决实用量的问题是一个重要进展。本文综述了四个量应用研究进展概况,并着重讨论了实用量与基本限值量的关系和实用量与现有防护监测仪表的特性的适应性问题。文中指出:目前对四个量的应用研究已积累了相当多的数据;由这些数据资料可以看出,新量在大多数情况下不会低估或过高地高估限值量;多数现有防护监测仪表基本上能满足测量新量的要求;但是还存在一些具体问题,如个人监测量[贯穿性个人剂量当量H_P(10)和浅表个人剂量当量H_S(0.07)]的刻度问题需要解决,新量体系的推广应用还有待时日。     

对医用电离辐射职业人员防护知识学习与培训的思考

医用电离辐射是最大的人工辐射应用领域。XCT、OSA、SPECT、PET、电子直线加速器等高新医用电离辐射设备的广泛应用和二手设备的转手使用,带来了医用电离辐射职业人员面临新的辐射防护问题;国家相关法规标准的修订颁布,进一步提高了对辐射防护的重视程度。本文就解决方法进行了探讨,提出有关设想,期望通过医学教育、在职培训及远程网络教学等方式,使医用电离辐射职业人员增加辐射防护知识,提高防护意识,以达到降低辐射危害的目的。     

我国医用辐射及其防护标准体系的现状与展望

放射学以及介入放射学、临床核医学、放射肿瘤学等电离辐射的医学应用分支学科,已成为现代医学不可或缺的重要组成部分。医用辐射的发展,使得医用辐射防护成为辐射防护领域影响面最广的重要课题。医用辐射防护涵盖职业照射、医疗照射和公从照射的防护,同时也存在潜在照射防护问题。为有效加强医用辐射防护,必须建立并不断健全医用辐射防护标准３体系。     

电离辐射诱发的非靶效应及其生物学意义

辐射诱发的非靶效应包括基因组不稳定性、旁效应、断裂因子以及亲代受照射后的遗传效应。非靶效应在辐射致癌、辐射防护、放射治疗、辐射危险评估以及细胞衰老等方面有重要的生物学意义。本文主要从辐射诱发的基因组不稳定性和旁效应两方面介绍辐射诱发的非靶效应及其生物学意义。     

辐射对脑海马的影响

本文从脑海马动力学，辐射对脑海马神经元细胞，对脑海马生化，酶，递质及突触，对脑海马电生理及脑海马受照后对神经行为的影响等５个方面综述了辐射地脑海马的影响，为阐明辐射对脑海马作用的机制及保护人类健康提供参考。     

低剂量电离辐射生物效应研究

低剂量电离辐射（Low—dose ionizing radiation）已经成为辐射生物效应研究中的一个热点。随着研究的深入,关于低剂量电离辐射的有害效应、适应性效应和兴奋性效应的理论不断完善。低剂量电离辐射的有害效应与非有害效应同时并存,机制仍然难以定论。过去关于低剂量电离辐射的生物效应多是通过高剂量效应曲线进行反推的,而现在越来越多的人对电离辐射的线性无阈模型的正确性提出了质疑。本文从有害效应、适应性效应和兴奋性效应3方面对低剂量电离辐射生物效应的发生及其机理等进行了综述并提出了几个问题。     

少突胶质细胞电离辐射损伤机制的研究进展

少突胶质细胞是中枢神经系统（CNS）电离辐射的重要靶细胞。了解少突胶质细胞的辐射损伤机制,对增强CNS对辐射耐受性、防护和治疗CNS的辐射损伤具有重要意义。本文介绍了电离辐射对少突胶质细胞膜的直接损伤、凋亡、氧化应激、诱导一系列基因表达、兴奋毒性损伤、神经营养因子缺乏、胶质细胞产物的作用等细胞机制,以及辐射诱导少突胶质细胞损伤的细胞凋亡信号转导及基因表达等分子机制。     

Radiation Effects in Gaas Junction Field-Effect Transistors

GaAs field-effect transistors for linear and digital circuits are finding applications in systems that have to function in a nuclear environment. This paper reviews and analyzes the radiation damage mechanisms in GaAs material and applies the material parameter changes to predict changes of electrical parameters of junction field-effect transistors due to exposure to fast neutrons and total dose ionizing radiation. The transient response to pulsed ionizing radiation is analyzed and experimental results are correlated with theoretical predictions. Annealing characteristics of radiation-generated defects are described. The prospects for hardening GaAs fieldeffect transistor integrated circuits against the effects of nuclear radiation are assessed.