基于Web的eDFM电路设计技术

在对可制造设计的基本理念进行初步介绍的基础上 ,对应用先进电气互联技术的电路PCB和整机接线图的可制造设计进行了详尽的描述     

电子装联技术论坛板级电路可制造性分析及虚拟设计技术(待续)

板级电路可制造性分析及虚拟设计技术是一项前沿技术,是提高电路设计质量,加快产品研制周期,实现一次设计成功,建立电子装备快速反应平台的必由之路。在详细论述了印制电路板设计可制造性分析、人工评审的现状及可制造性分析软件系统应用的基础上,提出了开展“印制电路板电气互联可制造性虚拟设计”的必要性及实施方案。     

板级电路可制造性分析及虚拟设计技术(待续)

板级电路可制造性分析及虚拟设计技术是一项前沿技术,是提高电路设计质量,加快产品研制周期,实现一次设计成功,建立电子装备快速反应平台的必由之路.在详细论述了印制电路板设计可制造性分析、人工评审的现状及可制造性分析软件系统应用的基础上,提出了开展"印制电路板电气互联可制造性虚拟设计"的必要性及实施方案.     

电子产品先进制造中的电气互联技术发展新动态

电气互联技术是电子产品先进制造技术的典型技术,具有机电结合技术综合度高的特点.电气互联技术已经由以表面组装技术（SMT）、微组装技术、立体组装技术和高密度组装技术等技术为标志的发展时期,逐步进入了以光电互联技术、结构功能构件互联技术等为标志的新技术发展时期,其特征是技术综合度更高、机电关联性更强、互联工艺难度更大、对电子装备系统性能和功能的影响更为直接.简介了电气互联技术及其光电互联、结构功能构件互联新技术的基本概念和发展动态.     

小型化和无铅互联的板级电路设计

电子元器件的微小型化以及电气互联的无铅化要求,给面向PCA制程的设计带来一系列新挑战.首先对电子元器件小型化和PCB组装无铅化发展的技术趋势进行了分析,从系统设计、元器件选择、PCB设计等角度对板级电路可制造性进行了归纳与总结,最后针对如何正确处理有铅与无铅的兼容性问题提出建议.这些经验与建议可以应用于板级电路的工程设计过程中.     

单方向分离式母板互联设计技术

针对电路模块的功能扩展带来的模块对外接口不足的问题,通过对分离式母板互联技术研究,确定了结构上分离的母板互联形式,主要对单方向分离互联母板互联设计、结构设计、印制板设计、可靠性设计等设计技术展开探讨,从一个角度解决了传统母板限制电路模块功能扩展带来的互联问题,实现了电路模块功能的有效扩展。     

板级立体组装侧向互联技术

通过对板级立体组装侧向互联可制造性设计技术、组装工艺技术等进行研究,确定了板级立体组装侧向互联形式及连接件的设计、排布和数量,实现了板级立体组装侧向互联技术.     

电气互联技术及其发展动态

介绍了电气互联技术的基本概念、组成和主要内容，并对电气互联技术与SMT的关系、电气互联技术研究和发展动态等问题进行了阐述。     

SEMI在京举办移动互联与IC设计制造研讨会

由SEMIChina、北京半导体行业协会和北京集成电路设计园共同主办的“移动互联与Ic设计制造研讨会”近日在北京召开,会议邀请了从芯片制造、设计、封装及测试的行业精英共同探讨由当今炙手可热的移动互联技术给硬件发展带来的机遇和挑战。     

SMT设备的发展现状及趋势

前言 作为电气互联技术的主要组成部分和主体技术的表面组装技术即SMT,是现代电气互联技术的主流。经过20多年的发展,目前SMT已经成为现代电子产品的PCB电路组件级互联的主要技术手段。相关资料表明,发达国家的SMT应用普及率已超过75％,并进一步向高密度组装、立体组装等技术为代表的组装技术领域发展。组装技术的不断发展必将对组装工艺及相关设备的发展提出新的要求。     

3D封装及其最新研究进展

介绍了3D封装的主要形式和分类。将实现3D互连的方法分为引线键合、倒装芯片、硅通孔、薄膜导线等,并对它们的优缺点进行了分析。围绕凸点技术、金属化、芯片减薄及清洁、散热及电路性能、嵌入式工艺、低温互连工艺等,重点阐述了3D互连工艺的最新研究成果。结合行业背景和国内外专家学者的研究,指出3D封装主要面临的是散热和工艺兼容性等问题,提出应尽快形成统一的行业标准和系统的评价检测体系,同时指出对穿透硅通孔(TSV)互连工艺的研究是未来研究工作的重点和热点。     

IC封装中互连线信号完整性的研究

随着电子芯片向着高密度、高频率和小体积化方向发展,IC封装的结构尺寸及其互连线系统在信号完整性、损耗等多方面影响着整个电路系统的可靠性。因此,对IC封装及其互连线电特性的分析显得尤为重要。文章以四列直插芯片封装外壳模型为设计实例,利用AnsoftQ3D软件提取了该封装模型的寄生电阻、电容和电感（RCL）,并结合Mult...     

共漏极双功率MOSFET封装研究

针对适用于锂电池保护电路特点要求的共漏极功率MOSFET的封装结构进行了研发和展望.从传统的TSSOP-8发展到替代改进型SOT-26,一直到芯片级尺寸的微型封装外形,其封装效率越来越高,接近100%.同时,在微互连和封装结构的改进方面,逐渐向短引线或焊球无引线、平坦式引脚、超薄型封装和漏极焊盘散热片暴露的方向发展,增...     

一种系统级封装的ESD保护技术

介绍了一种系统级封装(SiP)的ESD保护技术.采用瞬态抑制二极管(TVS)构建合理的ESD电流泄放路径,实现了一种SiP的ESD保护电路.将片上核心芯片的抗ESD能力从HBM 2 000 V提升到8 000 V.SiP ESD保护技术相比片上ESD保护技术,抗ESD能力提升效果显著,缩短了开发周期.该技术兼容原芯片封...     

堆叠封装技术进展

目前电子产品正朝着高集成化、多功能及微型化方向不断发展。堆叠封装(PoP)作为一种新型3D封装技术,在兼容现有的标准表面贴装技术(SMT)的基础上能够实现不同集成电路在垂直方向上堆叠,从而能够提升封装密度,节省PCB板组装空间,缩短互连线路长度。该技术已从初期的低密度双层堆叠发展至当前的高密度多层堆叠,并在互连方式与塑封形式等封装结构及工艺上不断改进,以适应高性能电子产品的发展需求。通过对PoP上层与下层封装体结构及其封装工艺的近期研究成果进行综述,对比分析它们的各自特点与优势,并展望PoP未来发展趋势。     

IC封装中键合线传输结构的仿真分析

随着高频高速集成电路制造工艺的不断进步,电子封装技术的发展也登上了一个新高度。作为微电子器件制造过程中的重要步骤之一,封装中的传输线、过孔、键合线等互连结构都可能对电路的性能产生影响,因此先进的集成电路封装设计必须要进行信号完整性分析。介绍了一种键合线互连传输结构,采用全波分析软件对模型进行仿真,着重分析与总结了键合线材料、跨距、拱高以及微带线长度、宽度五种关键设计参数对封装系统中信号完整性的影响,仿真结果对封装设计具有实际的指导作用。     

一种基于TSV和激光刻蚀辅助互连的改进型CIS封装

提出了一种基于硅通孔(TSV)和激光刻蚀辅助互连的改进型CMOS图像传感器(CIS)圆片级封装方法.对CIS芯片电极背部引出的关键工艺,如锥形TSV形成、TSV绝缘隔离、重布线(RDL)等进行了研究.采用低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)的方法实现TSV内绝缘隔离;采用激光刻蚀开口和RDL方法实现CIS电极的背部引出;通过采用铝电极电镀镍层的方法解决了激光刻蚀工艺中聚合物溢出影响互连的问题,提高了互连可靠性.对锥形TSV刻蚀参数进行了优化.最终在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅/玻璃键合圆片上实现了含有276个电极的CIS圆片级封装.电性能测试结果表明,CIS圆片级封装具有良好的互连导电性,两个相邻电极间平均电阻值约为7.6Ω.     

射频MEMS封装技术

MEMS在射频(RF)应用领域表现出的低功耗、低损耗和高数据率的优越特性为RF无线通信系统及其微小型化提供新的技术手段。在产品设计的初期阶段,RF MEMS封装的设计考虑是降低成本、提高产品合格率的有效途径。我们主要针对当前RF MEMS器件与电路设计制造中突出的问题——封装技术进行研究,指出封装在产品设计中的重要地位和技术实现方法,特别介绍了计算机仿真在RF MEMS器件与电路封装中的作用。     

JF04F18型SMD管壳微波设计

作为微波电子元器件的重要组成部分,封装外壳不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用,而且还是沟通芯片内部与外部电路的桥梁。随着微电子技术的发展,SMD外壳在微波器件封装上应用越来越广泛,文章以某GaAs单片封装用SMD外壳的微波设计为例,简要介绍了其设计思路与过程。通过仿真数据与实测对比得到结论,合理使用HFSS对封装外壳进行设计,可以有效提高微波管壳的研制效率。