真空开关管生产线上CFC-113替代清洗技术

本文通过几种非ODS清洗剂与CFC-115清洗剂性能的比较，同时简要说明了真空开关管的生产过程中各种清洗剂的使用情况，说明了HEP-2清洗剂替代零部件清洗和整管带电清洗中使用的CFC-115清洗剂的情况。     

液晶替代清洗剂的试验与研究(2)

实验结果:60支液晶屏完好,侧光观察比向光观察洁净度高。实验结论:清洗至8分钟(20℃)时效果较好,清洗实验结果与HEP-2相似但沸点低,挥发较严重。综述:对比CFC-113的清洗效果,HEP-2、HFC-245fa的清洗效果与之相近,但HFC-245fa明显挥发性严重,而Vertre SMT因挥发量太大,以至在室温条件下,清洗效果较差,101所溶剂可以进行清洗,但效果不如HEP-2、HFC-245fa。附三表二 《替代清洗剂对液晶器件的可靠性影响实验报告》由于时间有限,采用行业内认可的水煮实验。水煮实验属于较苛刻的可靠性考核实验,其所需时间周期短,可将各清洗剂对液晶屏…     

关于真空开关管ODS清洗剂替代技术试验总结报告

按照ODS特别工作组拟定的工作目标，采用HEP-2和HT-1与原使用的CFC-113对真空开关管常用的7种零件和部件进行清洗对比试验。检测分析结果表明，HEP-2清洗效果优于CFC-113和HT-1。采用HEP-2清洗的波纹管(真空开关管的结构件)进行了耐腐蚀性和机械寿命试验，其结果与CFC-113无明显差异。采用HEP-2清洗的真空开关管零、部件进行了整管试验，其参数合格并按规定通过了型式试验。各项试验表明，HEP-2基本上可以作为目前CFC-113的主要替代品。     

液晶替代清洗剂的试验与研究④

根据《液晶替代清洗剂的试验与研究工作报告(二)》的工作进度安排,清洗小组人员对清洗设备生产厂家的走访结果进行认真分析之后,于2001年底订购了广州沃柯利环保清洗技术设备有限公司的一台全自动封闭式清洗机。该机安装、调试结束后,清洗技术人员马上进行HEP-2对液晶屏的批量清洗试验,并对清洗后的液晶屏进行多重测试,再次验证HEP-2对液晶屏的清洗效果以及可靠性影响,并确定最终的批量清洗替代工艺方案。目前可提交如下报告:     

关于真空开关管ODS清洗剂替代试验总结报告

按照ODS特别工作组拟定的工作目标,采用HEP-2和HT-1与原使用的CFC-113对真空开关管常用的7种零件和部件进行清洗对比试验.检测分析结果表明,HEP-2清洗效果优于CFC-113和HT-1.采用HEP-2清洗的波纹管(真空开关管的结构件)进行了耐腐蚀性和机械寿命试验,其结果与CFC-113无明显差异.采用HEP-2清洗的真空开关管零、部件进行了整管试验,其参数合格并按规定通过了型式试验.各项试验表明,HEP-2基本上可以作为目前CFC-113的主要替代品.     

基于多源信息融合的飞机清洗剂优选方法

针对飞机清洗剂的选型问题,以清洗剂的实际使用效果为评价基准,根据飞机服役环境特点,开展典型气候的自然环境试验;进一步地基于多源信息融合的加权平均数据处理技术,提出了飞机清洗剂优选方法。结合典型装备的清洗剂优选需求,在热带海洋环境下开展了两种清洗剂清洗装备涂层的自然环境试验。研究结果表明：清洗剂定期清洗的试验件综合性能明显地优于未清洗的试验件;多源信息融合可有效地降低不确定性因素对测试结果的影响,所提出的方法正确有效,可用于飞机清洗剂的优选。     

二氧化碳雪清洗技术

本文要解答的问题是：1，二氧化碳雪清洗剂是怎样形成的?它与其它二氧化碳清洗剂有何不同?2，二氧化碳雪的清洗机理是怎样的?3，二氧化碳雪清洗剂有那些实际应用?4，使用二氧化碳雪清洗剂时应该注意那些问题?     

新型高效空调铝翅片清洗剂的研制

新型高效空调铝翅片清洗剂主要由10．0～20．0％(质量分数)苛性钠、0．5～5．2％环保型表面活性剂、0．25～1．0％缓蚀剂和0～0．6％助剂等组成。使用该清洗剂清洗空调铝翅片，清洗时间仅为1～3min，清洗率可高达96%，腐蚀微小，使用极为方便。该产品稳定性好，可采用普通塑料喷雾瓶包装。     

中小企业超声波水系清洗技术的替代案例

在中国大陆.破坏环境但清洗能力优良的清洗剂氟里昂(CFC-113).1,1,1-三氯乙烷(TCA)已逐步限产,其中CFC-113清洗剂将于2006年禁止生产和使用;TCA将于2010年禁止生产和使用.在洗净领域.中小企业替代清洗剂、替代清洗设备的转换进展迟缓.作者通过近2年深入研究.实际服务.对中小企业洗净技术进行分析评价,对清洗工序的替代技术成功案例总结成文,以期对读者有所帮助.……     

中国清洗行业利用票证方式淘汰ODS清洗剂2004年项目登记工作开始

中国清洗行业ODS清洗剂淘汰特别工作组于2004年2月16日向2004年新增“中间代理机构”（IEA）签发了《票证淘汰工作委托书》，中国清洗行业利用票证方式淘汰ODS清洗剂2004年项目登记工作开始。凡仍在使用ODS清洗剂的企业，不论消费量多少，都应到下述地区的”中间代理机构”进行登记。     

GLSI多层铜布线CMP后BTA去除研究

本文通过静态腐蚀速率的方法分析确立了碱性清洗剂中FA/OⅡ型螯合剂和FA/OⅠ型表面活性剂对BTA的去除规律。通过单因素实验和复合清洗剂的实验优化,确定了去除BTA的清洗剂配方,并通过接触角实验进一步证实实验结果的有效性。最后,将优化后的清洗剂配方在实际生产线上做试验,结果表明能有效去除BTA、CuO晶粒及磨料SiO2,且基本无界面腐蚀。解决了一直难以解决的多层铜布线CMP后有效去除BTA的难题,且该清洗剂成分简单,成本低而且环保。     

高层建筑物的外墙清洗

为适应高层建筑物外墙清洗技术在我国迅速发展的形势特编写此文，文章主要介绍了高层建筑物外墙清洗的设备和方法。针对建筑物污垢的成分、结构，附着方式和外墙材料理化性质及结构，指出清洗剂一般采用表面活性剂和助剂配成的水基洗济剂。并详细介绍了具体的清洗剂配方。     

新型磷酸酯两性表面活性剂的性能与应用

磷酸酯两性表面活性剂是一种新型的两性表面活性剂，它具有多功能的特点。在清洗剂的配方中它既可以发挥表面活性剂的作用又可以发挥水溶助长剂的作用。文章对商品牌号为Phosphoteric T-C6的磷酸酯两性表面活性剂的性能做了全面介绍，它在做主表面活性剂时有优异的去垢性能，在与其它表面活性剂混合使用时能提高去污效果，它还具有易冲洗的特点，它有良好的相容性和化学稳定性，所以可用在含有过氧化物或过酸等强氧化剂、强酸或强碱的清洗剂配方中，适合用于对多种基材的清洗。为介绍它优异的水溶助长性能，文章对水溶助长剂及其机理进行了介绍。文章还列举了Phosphoteric T-C6各种应用的具体配方。     

卫生间设施清洗剂及其应用

本文主要是针对卫生间设施的清洗，从清洗剂产品配方技术到相关的清洗应用技术作了较为全面的介绍。其中清洗剂产品主要是对洁厕精进行介绍。清洗应用技术主要是针对便池盆和下水道的应用场合进行介绍。     

KC-3000在一次性医疗器械中的应用

本文介绍了一种CFC-113替代产品KC-3000，它是以1，1，1，3，3-五氟丁烷HFC-365mfc为主要成分的新型有机溶剂，它可以作为清洗剂和硅油稀释剂在一次性医疗器械中使用，文章介绍了它用作清洗剂和硅油稀释剂的具体试验情况。实践证明它完全可以作为CFC-113的替代产品使用，KC33000的研制成功为一次性医疗器械行业淘汰ODS开辟了新的途径     

Synergetic effect of chelating agent and nonionic surfactant for benzotriazoleremoval on post Cu-CMP cleaning

The cleaning of copper interconnects after chemical mechanical planarization (CMP) process is a critical step in integrated circuits (ICs) fabrication. Benzotriazole (BTA), which is used as corrosion inhibitor in the copper CMP slurry, is the primary source for the formation of organic contaminants. The presence of BTA can degrade the electrical properties and reliability of ICs which needs to be removed by using an effective cleaning solution. In this paper, an alkaline cleaning solution was proposed. The alkaline cleaning solution studied in this work consists of a chelating agent and a nonionic surfactant. The removal of BTA was characterized by contact angle measurements and potentiodynamic polarization studies. The cleaning properties of the proposed cleaning solution on a 300 mm copper patterned wafer were also quantified, total defect counts after cleaning was studied, scanning electron microscopy (SEM) review was used to identify types of BTA to confirm the ability of cleaning solution for BTA removal. All the results reveal that the chelating agent can effectively remove the BTA residual, nonionic surfactant can further improve the performance.     

Alkaline cleaning of silicon wafers: additives for the prevention of metal contamination

The paper presents a new strategy for cleaning of silicon wafers. A novel class of chelating agents added to alkaline cleaning mixtures provides promising performance without negative effects such as metal redeposition due to residual metal contamination of the cleaning solution. The superior capability of the new cleaning process is confirmed by the results obtained from wafer surface metal analysis as well as from minority carrier lifetime and diffusion length measurements and gate oxide integrity tests. Particle densities and surface roughness are not influenced by the presence of the chelating agents in the cleaning solution. TOF–SIMS measurements do not indicate any deposition of chelating agent on the wafer surface. With this type of modified SC-1 cleaning procedure the acid SC-2 step used in conventional RCA cleans to remove the metals deposited in the preceding SC-1 step is unnecessary resulting in substantial cost savings with respect to chemicals, waste, equipment and space.     

新型兆声清洗去除集成电路衬底硅片表面污染物的分析研究

集成电路衬底硅片表面存在污染物会严重影响器件可靠性,非离子表面活性剂能有效控制颗粒在硅单晶片表面的吸附状态,使之保持易清洗的物理吸附．在清洗液中加入特选的非离子表面活性剂,大大提高了兆声清洗去除颗粒的效率和效果。实验表明当活性剂在清洗液的配比为1％,颗粒去除率可达95%以上。     

高密度印制板组件离心清洗工艺技术研究

针对低架空高度、高密度封装BGA和CSP底部难以清洗干净的难题,将离心清洗工艺技术应用于PCBA的清洗中.探讨清洗溶剂选择原则,研究离心清洗工艺原理,设计和优化了离心清洗工艺流程,设置了离心清洗工艺参数,分析以上因素对高密度印制板组件清洗效果的影响规律.清洁度检测结果表明:清洗溶剂选择正确,清洗工艺流程合理,离心清洗工...