一种实用的磷化铟MMIC背面工艺技术

采用湿法技术发展了磷化铟MMIC的背面通孔刻蚀工艺,PMMA用作粘片剂,InP衬底粘附于玻璃版上,溅射钽膜用作湿法刻蚀掩膜,HCl+H3PO4腐蚀液实现100μm的通孔腐蚀.已证实这种湿法通孔工艺宽容度大,精确可控.     

一种实用的磷化铟MMIC背面工艺技术

采用湿法技术发展了磷化铟 MMIC的背面通孔刻蚀工艺 ,PMMA用作粘片剂 ,In P衬底粘附于玻璃版上 ,溅射钽膜用作湿法刻蚀掩膜 ,HCl+H3PO4 腐蚀液实现 10 0 μm的通孔腐蚀 .已证实这种湿法通孔工艺宽容度大 ,精确可控     

Pyrex玻璃的湿法刻蚀研究

对Pyrex 7740玻璃的湿法刻蚀工艺进行了研究。实验中采用了几种不同的材料(光刻胶、Cr／Au、TiW／Au)作为刻蚀玻璃的掩膜，通过实验发现TiW／Au掩膜相对目前比较常用的Cr／Au掩膜有很多优点，如减少了玻璃的横向腐蚀，增加了深宽比，刻蚀图形边缘更加平滑等。还研究了腐蚀液成分配比对刻蚀结果的影响，发现刻蚀速率随HF浓度的增加而增加，且在HF浓度一定时，加入少量HNO3可以明显提高刻蚀速率。本文的实验结果对一些MEMS器件特别是微流体器件的制作有一定参考作用。     

PDP中ITO膜制作工艺技术的研究

概述了ITO的特性和它在PDP显示中所起的作用.通过大量实验摸索了一套适合实验室制作刻蚀ITO膜的工艺,其中包括涂胶、擦边、曝光、显影、刻蚀等.     

LaB6场发射阴极阵列的制备工艺研究

利用微细加工技术在单晶LaB;材料上制备出了场发射二极管阴极阵列.具体工作是结合半导体工艺,采用薄膜沉积、涂胶、曝光、显影、刻蚀以及电化学腐蚀等一系列工序制备出了性能良好的尖锥阵列.工作的重点是覆有掩膜层单晶LaB6材料的电化学腐蚀.通过大量实验摸索出了最佳的工艺参数(包括电解液类型及浓度、电解电流、电解时间等),得到了具有一定表面形貌及阵列高度且底面平整度良好的场发射阴极阵列.     

玻璃后盖对有机电致发光器件封装性能的影响

实验采用玻璃湿法腐蚀凹槽制备了用于有机电致发光器件封装的玻璃后盖,并分析了氢氟酸浓度、温度、超声和反应物对玻璃刻蚀厚度和玻璃表面平整度的影响,得到了一种简单制备玻璃盖的工艺方法:在氢氟酸浓度为40%,在超声波清洗器中进行玻璃的腐蚀,腐蚀时间为15min,在腐蚀过程中间隔一定时间冲洗反应物后可以得到厚度为0.177mm,表面平整的玻璃封装盖,符合有机电致发光器件的封装要求。使用此方法制备的封装盖在氮气环境下将有机电致发光器件进行封装,可以减缓器件亮度的衰减。     

采用CHF_3和O_2等离子体刻蚀PI的各向异性研究

研究了一种有效刻蚀聚酰亚胺(PI)的干法刻蚀方法,以金属铬为掩膜,刻蚀经涂胶并亚胺化而得到具有一定厚度的PI薄膜。利用反应离子刻蚀设备(RIE)将O2和CHF3按一定比例混合,适当调节刻蚀压力、气体比例、功率、时间等因素,可以得到侧壁和底面光洁、具有不同表面形貌的刻蚀结构。借助台阶仪和显微测量工具测定刻蚀样片,进一步得到不同工艺参数下刻蚀深宽比,并通过分析得出其他因素对PI刻蚀深宽比的影响趋势。该项研究避免了"微掩膜"效应所产生的表面粗糙问题,同时优化了刻蚀工艺,得到各向异性刻蚀的具体工艺参数,为PI不同应用目的选择刻蚀工艺提供了理论依据。     

用于制备微纳米玻璃结构的加工工艺

玻璃基材具备很多优点,是理想的微纳加工基材之一.随着在玻璃基材上加工的微纳结构越来越复杂,对玻璃微纳加工工艺的要求也越来越高.将现在普遍使用的半导体微纳加工工艺进行择优组合用于玻璃加工,并针对电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)工艺参数,对比采用不同刻蚀气体组合工艺后的刻蚀结构形貌、刻蚀速率以及玻璃基材与常用...     

Pyrex玻璃凹槽刻蚀及槽底粗糙度研究

介绍了用于电容式微传感器的玻璃基底加工方法.目前玻璃刻蚀掩膜层的制作工艺复杂,实验中采用机械掩膜方法,较简单地腐蚀出玻璃凹槽,没有脱膜或钻蚀现象.同时对凹槽底面粗糙度进行了研究,并提出了改善方法,得到粗糙度为(Ra=1.5 nm)的玻璃底面,有利于制作平整的电极.     

制造高压器件的容差阶梯台面腐蚀技术

本文介绍一种新型的高压器件表面造型技术，即容差阶梯台面腐蚀技术。它是在耦．耗尽刻蚀的基础上发展起来的。它利用耗尽刻蚀克服电场集中和表面效应的机理，采用常规工艺，通过两次基区扩散、两次台面腐蚀形成阶梯结构和阶梯台面，降低耗尽刻蚀对腐蚀深度的控制要求，使器件具有小角度负斜角的优良特性，同时采用内台面结构，便于玻璃钝化，使器件具有高性能和高可靠性。     

钡化合物辅助激光刻蚀石英玻璃的实验研究

为了提高石英玻璃对普通脉冲红外激光的吸收效率,用钡化合物粉体覆盖层辅助1064nm红外激光刻蚀石英玻璃,采用能谱仪和X射线衍射分别对BaCrO₄,BaCl₂和Ba（OH）₂粉体覆盖层辅助激光刻蚀石英玻璃得到的刻槽底面刻蚀产物进行了测试和分析,对3种刻蚀方法的刻蚀机理进行了理论分析和实验验证。结果表明,BaCrO₄和Ba（OH）₂粉体的刻蚀机理都存在化学反应去蚀石英玻璃的作用,二者去蚀率都较高;BaCl₂粉体的刻蚀过程中无化学反应起到去蚀作用,去蚀率低下。这一结果对激光加工石英玻璃的工业应用提供技术基础。     

Dry etching technology for 1-µm VLSI fabrication

A dry etching technology for 1-µm VLSI has been developed. This technology led to successful fabrication of a 1-µm 256-kbit MOS RAM using electon-beam direct writing and molybdenum-polysilicon double-gate structure. Silicon nitride, silicon dioxide, phosphosilicate glass, polysilicon, single-crystal silicon, molybdenum, and aluminum are etched by parallel-plate RF diode reactors. Resist patterns are used as etching masks. The negative resist is CMS and the positive resist is FPM. Plasma polymerization is found to have significant effect on etching selectivity, undercutting, and residue. Directional etching profiles are realized and 1-µm patterns with less than 0.05-µm undercutting are obtained. High etching selectivities are achieved. Methods for preventing and removing contamination as well as damage are established. With these, dry etching proves to bring no adverse effects on device characteristics. Pattern-width fluctuations caused by negative-resist pattern foot are decreased to below 0.1 µm by a new foot trimming technique. Resist step coverage is also clarified.     

Dry phosphorus silicate glass etching for multicrystalline silicon solar cells

A dry plasma etching process for phosphorus silicate glass (PSG) in a SiN‐PECVD batch reactor is developed. In the same reactor PSG etching and anti‐reflective coating (ARC) can be performed successively. To demonstrate industrial feasibility, screen‐printed solar cells are manufactured and compared with cells prepared by a standard wet chemical process. Copyright © 2003 John Wiley & Sons, Ltd.     

Deep glass etched microring resonators based on silica-on-silicon technology

Microring resonators fabricated on silica-on-silicon technology using deep glass etching are demonstrated. The fabrication procedures are introduced and the transmission spectrum of a resonator is presented.     

微流路生物芯片的研制

运用光刻、刻蚀技术在载玻片上刻蚀出条宽 70 μm、深 30 μm、长 7cm的沟槽 ,与另一载玻片键合 ,形成一微流路沟道 ,研制出了用于生物电泳技术的微流路生物芯片。在该芯片的研制中 ,克服了湿法腐蚀、断线、键合等技术难题。该芯片已经交付合作单位使用 ,能够满足应用中的基本性能要求     

玻璃材料激光加工技术的研究进展

玻璃材料因其优良、独特的理化性能在半导体、微流控芯片、微机电系统、光通讯及光存储等新兴领域有广泛的应用。激光技术作为一种新型非接触加工方法,可以对玻璃材料表面或其内部进行高精度、高效率的微加工,在玻璃材料加工领域展现出巨大潜力。归纳了激光刻蚀、激光打孔、激光焊接及激光制备功能结构4种典型的激光加工玻璃工艺的基本原理及关键问题,指出了玻璃材料激光加工的最新研究进展、工艺水平及应用现状,其中激光刻蚀包括了激光直写刻蚀、激光诱导等离子体刻蚀与激光背部湿法刻蚀; 激光打孔包括了远红外CO₂激光打孔、超快激光打孔及改进的打孔方法;激光焊接玻璃工艺包括远红外CO₂激光焊接、纳秒激光焊接、超快激光焊接,以及激光制备表面和内部3维功能结构。同时总结了4类激光加工玻璃工艺的优缺点,分析了目前的瓶颈问题。在此基础上,对激光加工玻璃材料的发展前景进行总结和展望。     

One-mask process for silicon accelerometers on Pyrex glass utilising notching effect in inductively coupled plasma DRIE

A one-mask process technology is proposed to fabricate silicon capacitive accelerometers using comb drive structures. A doped silicon wafer is anodically bonded on Pyrex glass substrate. High aspect ratio silicon accelerometer structures are micromachined using deep reactive ion etching (DRIE) and released from the glass substrate by further DRIE due to its notching effect.     

表面活性剂在IC芯片光刻工艺中的应用

叙述了表面活性剂的性质、分类、分子结构特点,重点介绍了表面活性剂在光刻工艺的涂胶、显影、湿刻工序中的应用.适当加入表面活性剂,在现有设备的条件下可极大地提高光刻质量,对双极电路以及CMOS电路制作都有着重要的现实意义.     

硅MEMS器件加工技术及展望

介绍了几种典型的硅基MEMS加工技术以及应用,并简单展望了MEMS加工技术发展趋势。硅基MEMS加工技术主要包括体硅MEMS加工技术和表面MEMS加工技术。体硅MEMS加工技术的主要特点是对硅衬底材料的深刻蚀,可得到较大纵向尺寸可动微结构,体硅工艺包括湿法SOG(玻璃上硅)工艺、干法SOG工艺、正面体硅工艺、SOI(绝缘体上硅)工艺。表面MEMS加工技术主要通过在硅片上生长氧化硅、氮化硅、多晶硅等多层薄膜来完成MEMS器件的制作,利用表面工艺得到的可动微结构的纵向尺寸较小,但与IC工艺的兼容性更好,易与电路实现单片集成。阐述了这些MEMS加工技术的工艺原理、优缺点、加工精度、应用等。提出了MEMS加工技术的发展趋势,包括MEMS器件圆片级封装(WLP)技术、MEMS工艺标准化、MEMS与CMOS单片平面集成、MEMS器件与其他芯片的3D封装集成技术等。