GDB—601型微通道板光电倍增管

介绍ＧＤＢ－６０１型微通道板光电倍增管的结构、参数及其应用。     

各种仪器应用使用的探测器：光电倍增管与光电二极管

光电倍增管与光电二极管是医学,分析化学,过程控制,以及工业环境中所使用的许多仪器的核心。     

光电倍增管引导弱光探测

光子探测通常是需要最高灵敏度光测量的精选方法。从医疗诊断到高能物理领域 ,光学方法最常用于探测极少量抗体或罕见的现象 ,因为在接近皮秒的时间分辨率下易于探测单个光子。如果光子达到高频或者信号持续时间有限 ,就需要具备高带宽、高放大倍数和高灵敏度的光学探测器。只有一种探测器能满足这些需求 ,那就是光电倍增管。它能实现很大面积的检测并仍有潜力。管中的新型阴性亲合力阴极板能具有可见光光谱近 40 %的量子效率 ,使起始光电转换非常灵敏 (图 1)。图 1　新型封装技术使光电倍增管更易使用。管里的新型半导体阴极板具有很好量子…     

如何选用雪崩光电二极管

如何选用雪崩光电二极管光学测量在各种科学、医学和工业应用中起着重要作用。简单光学系统用廉价光电池进行光探测，但许多应用要求有较高灵敏度和精度。传统方法是用光电倍增管获得高灵敏度。然而，光子水平灵敏的光电倍增管价格高昂，而且易碎、对磁场灵敏、与尺寸大小...     

High‐Speed Traveling‐Wave Photodetector with a 3‐dB Bandwidth of 410 GHz

A high‐speed traveling‐wave photodetector (TWPD) with an InGaAs absorber is designed and realized. The bandwidth of the TWPD is measured using electro‐optic sampling techniques. The bandwidth is 410 GHz, which shows that the RC limitation is overcome. While the TWPD shows a low responsivity of 0.06 A/W at 1,550 nm, this value can be improved through further optimization of the structure without a sacrifice in bandwidth.     

基于峰域工作点的间接耦合光电探测器

本文系统报道了间接耦合光电探测器奇异输出特性中四类工作区域的瞬态响应状部，当器件工作于峰域时，不仅能加快响应速度而且产生新的内部增益，充分展示出这是一个极有价值的区域。文中针对实验结果进行讨论，得出交流耦合系数大于１的分析结果。     

新型的波长选择波导光电探测器的研究

提出了一种新型的具有波长选择性的波导型(WG)光电探测器(PDs)与即谐振波腔选频斜镜耦合包芯波导(RICEWG)。对其工作原理进行了详细的理论分析和数值模拟,提出了优化设计方案,讨论了实现方法。结果表明,这种结构具有使量子效率与响应带宽和光谱响应线宽同时解耦的优点;可以获得<1nm的光谱响应线宽同时保持>80%的量子效率,并且可以分别优化光谱响应线宽和量子效率。     

MSM光探测器的等效电路模型

本文详细介绍了一套完整的InGaAs MSM光探测器的等效电路模型。模型包括暗电流、直流、交流、瞬态和噪声等特性的等效电路模型。每一部分均从经典的物理模型出发,结合实际情况设计构造,并将理论曲线与试验数据进行了比较,结果是令人满意的。     

基于线性优化模糊C均值算法和人工神经网络的光照传感器布局方法

针对目前光照传感器的布局方式计算量大、能耗高,易受人为因素的影响,难以准确地预测室内日光强度等问题,该文提出一种基于线性优化模糊C均值算法(LOFCM)和人工神经网络(ANN)的光照传感器布局方法。LOFCM算法利用线性优化(LO)稀疏权重矩阵后,使用模糊C均值(FCM)筛选数据,确定工作面光照传感器布局。随后,使用ANN分别训练工作面光照传感器测量值与4组辅助光照传感器测量值之间的非线性数学模型。实验结果表明,该文提出的基于LOFCM算法在保证计算工作面平均照度和均匀度准确的情况下,工作面光照传感器的数量比对比方法减少了37.5%。此外,在4组辅助光照传感器布局中,墙壁和窗户布局方式具有较好的预测精度,为预测室内日光强度提供了更加准确的预测方式。     

金属-半导体-金属光电探测器的瞬态特性分析

给出了金属—半导体—金属光电探测器(MSM—PD)高频特性的等效电路模型，在此模型基础上编写模拟分析程序，分析了探测器相关器件参数对器件截止频率的影响，为探测器与前置放大器的优化匹配提供了理论依据。     

注入光敏器件与MOS场效应结构比较

通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种ＭＯＳ效应结构，对文献「９」中得出的不同的结论和所讨论的问题阐述了自己的见解。     

Hybrid n-GaN and polymer interfaces: Model systems for tunable photodiodes

Hybrid optoelectronic device structures offer promising options for a wide range of properties. The functioning of hybrid-bilayer devices is largely determined by their interface. Hybrid-bilayer devices based on wide band gap gallium nitride (GaN) and low band-gap donor/acceptor polymers offer a unique combination and model interface systems for application in photodetectors. A systematic study of the optoelectronic properties, specifically the photocurrent as a function of voltage bias and incident wavelength, has been carried out for n-Gan/polymer bilayer structures. A clear evidence of interface polarization originating from the GaN surface manifests in the current–voltage characteristics and photocurrent response of the hybrid structure.     

低噪声GaAs/A1GaAs多量子阱红外探测器

提出了一种新结构的多量子阱红外探测器（QWIP）。在常规多量子阱结构的基础上加入P型欧姆接触层,实现以小的隧道电流代替原有的大的补偿电流,从而减小器件的暗电流实现低噪声器件。对器件暗电流的理论计算与实验曲线符合的很好。制备了新结构器件,其噪声只是同结构的常规QWIP的1／3。     

高可靠性PIV光电探测器底座封装技术

针对PIN探测器易损坏、焊接等场合使用不便之缺点,提出一种新型高可靠性的探测器底座封装技术。实测特性表明,应用这种封装不仅没有降低PIN探测器性能,反而大大加强了探测器应用的牢固性。