近红外响应的III-V族半导体光电阴极材料及工艺

随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能。通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点。     

近红外响应的Ⅲ-V族半导体光电阴极材料及工艺北大核心

随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展。针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-V族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能。通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点。     

耐振动抗冲击光电倍增管

耐振动冲击光电倍增管有金属－玻璃与金属－陶瓷两类器件，后者提供了最优越的耐振动抗冲击性能，本文介绍了这类管子的一些性能，特别是索恩ＥＭＩ公司的金属－陶瓷器件。     

光电倍增管

美国Burle工业公司的85104型微道板光电倍增管具有很高的灵敏度、极高的红光响应率、大的阴极面积和突出的光子计数能力。这些特性使其非常适用于红光和近红外光谱的探测。这种光电倍增管采用一种半透明的砷化镓光电阴极,在370nm至850nm谱区内可提供大于20％的量子效率,在600nm波长处的峰值量子效率为30％。这样的响应率是在直径为18mm的光电     

GDB—159型光电倍增管

本文对ＧＤＢ－１５９型光电倍增管的结构特点，主要工艺以及性能参数与测试方法进行了较详细的叙述，同时对其机理作了一些理论分析，最后，对进一步提高该管的质量水平提出一些设想。     

耐振动抗冲击光电倍增管

介绍了两类耐振动抗冲击光电倍增管,最优越的耐振动抗冲击光电倍增管是由金属-陶瓷或金属-玻璃器件组成,另一个是使用两块陶瓷板固定所有金属电极来实现耐振动抗冲击的目的.     

负电子亲和势Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体光电阴极及其发展

阐明了负电子亲和势Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电阴极的卓越光电性能，论述了关于其物理机制的四种理论模型见解，介绍了阴极材料生长技术和制作工艺以及拓展的应用领域并展望了趋势和前景。     

光电倍增管展望

介绍了用于各领域的光电倍增管的技术特点和发展概况,评述了光电倍增管研制中所取得的新进展。并讨论了光电倍增管的发展方向和需要解决的关键技术问题。     

大电流、高增益门控光电倍增管的研究

介绍了一个目前国内外公开文献报导中输出电流最大、电流增益最高且具有门控选通功能的微通道板光电倍增管，该管采用了大直径输入窗、多碱光电阴极、三块微通道作倍增极的近贴聚焦结构。     

光电倍增管对高斯脉冲的响应

本文用脉冲响应函数法分析光电倍增管(PM)对高斯光脉冲的响应,用计算结果解释实验观测的波形及利用公式τp=√τt2-τ02从输出脉宽τt扣除PM引起的增宽τ0,求得输入脉宽τp 的条件及限制。     

一种新型高可靠光电倍增管的研制

主要介绍一种具有良好能量响应特性的金属盘封结构的光电倍增管的特点和性能指标,它的机械性能大大超达传统结构类型的光电倍增管,特别能满足军事,地质,石油,探测等恶劣条件下运用。     

电子倍增型GaAs光阴极实验研究

电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对比测试,结果表明,该组件可以承受580℃的热清洗温度,并获得了12.6倍的电子增益;880nm处的探测灵敏度≥3.87mA/w;暗电流密度≤6.79×10^-5mA/cm².     

一种转换效率更高的大球面微通道板光电倍增管

通过一种新型的转换效率更高的大球面微通道板光电倍增管的研制,实现了近全球面的光阴极有效面,提高了探测光信号的效率,采用管内阳极电信号同轴传输、管外同轴输出结构,能够有效降低干扰,可实现脉冲信号的良好传输.     

InGaAs短波红外探测器研究进展

InxGa1 -xAs材料属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,随In组分含量的不同,其光谱响应的截止波长可在0.87～3.5 μm范围内变化,并具有高量子效率,加之成熟的MBE和MOVCD材料生长方式,很容易获得大面积高质量的外延材料,InGaAs材料因此成为一种重要的短波红外探测材料.InGaAs探测器可以在室温或近室温下工作,且具有较高的灵敏度和探测率,是小型化、低成本和高可靠性的短波红外探测系统的最佳选择,因此InGaAs短波红外探测器获得了飞速的发展和广泛的应用.同时对国内外InGaAs焦平面探测器发展状况和趋势进行了介绍.     

GaAs基InAlAs/InGaAsMHEMT直流特性研究

报道了用 MBE技术生长的 Ga As基 In Al As/In Ga As改变结构高电子迁移率晶体管 (MHEMT)的制作过程和器件的直流性能。对于栅长为 0 .8μm的器件 ,最大非本征跨导和饱和电流密度分别为 3 5 0 m S/mm和1 90 m A/mm。源漏击穿电压和栅反向击穿电压分别为 4V和 7.5 V。这些直流特性超过了相同的材料和工艺条件下 Ga As基 PHEMT的水平 ,与 In P基 In Al As/In Ga As HEMT的性能相当     

大应变InGaAs/GaAs/AlGaAs微带超晶格中波红外QWIP的MOCVD生长

基于中波红外(峰值响应波长4.5μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34Ga0.66As/GaAs/Al0.35Ga0.65As微带超晶格结构的MOCVD外延生长研究。通过对生长温度、生长速率、Ⅴ/Ⅲ比以及界面生长中断时间等生长参数的系统优化,获得了高质量的外延材料。     

GaAs/InGaAs量子点应变场的TEM研究

运用透射电子显微术(TEM)对由分子束外延(MBE)制备的GaAs／InGaAs多层量子点样品进行观察和分析。利用对量子点周围应变场分布的模拟，定性解释了量子点形貌及其周围发现的凹陷区域。通过对量子点高分辨像显示的晶格错配和化学成分分析研究，解释了所研究样品中量子点尺寸逐层增大的现象。研究结果为量子点材料生长过程中应变场的控制提供了一些思路。     

Investigation of the band structure of the strained systems InGaAs/GaAs and InGaAs/AIGaAs by high-pressure photoluminescence

In_xGa_1-xAs quantum wells grown pseudomorphically in GaAs and AlGaAs with values ofx up to 0.25 have been studied by photoluminescence under high hydrostatic pressure. We concentrate here on the pressure range where the emissions quench and take on the characteristics of theX-minima. In the InGaAs/GaAs structures, these transitions display an unexpected pressure coefficient, -2.6 meV/kbar, twice that of theX minima in GaAs. We assign these transitions to theX minima in the wells, and therefore make a direct measurement of the strainedX positions as a function of composition. In the InGaAs/AIGaAs structures the crossovers occur against theX-minima in the barriers and these crossovers yield an accurate value for the band offset ratio for InGaAs/GaAs heterojunctions which is found to be 60:40 (CB:VB).     

Structural and infrared absorption properties of self-organized InGaAs/GaAs quantum dots multilayers

Self-organized InGaAs/GaAs quantum dots (QDs) stacked multilayers have been prepared by solid source molecular beam epitaxy. Cross-sectional transmission electron microscopy shows that the InGaAs QDs are nearly perfectly vertically aligned in the growth direction [100]. The filtering effect on the QDs distribution is found to be the dominant mechanism leading to vertical alignment and a highly uniform size distribution. Moreover, we observe a distinct infrared absorption from the sample in the range of 8.6–10.7 μm. This indicates the potential of QDs multilayer structure for use as infrared photodetector.