非晶氧化铁气敏元件的制备与性

众所周知,与γ-Fe_2O_3相比,α-Fe_2O_3气敏材料的灵敏度较低,而且工作温度较高(一般在400℃左右),但是由于α-Fe_2O_3具有很高的稳定性,而且具有热、电、光等多种功能,因而近年来对此气敏材料的研究受到了普遍的重视.γ-Fe_2O_3是根据表面的氧化还原而导致的电导变化进行检测的,但α-Fe_2O_3的气敏机理还不很清楚,一般认为它也具有与γ-Fe_2O_3相似的体控制机理,即还原性气体与α-Fe_2O_3表面接触还原α-Fe_2O_3生成Fe_3O_4而使元件的电导增加,Fe_3O_4再与空气反应生成α-Fe_2O_3使电导降低.     

SnO2超微粒薄膜气敏元件的研制与测试

用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO_2超微粒薄膜,溅射过程中适量掺Pd,用IC技术制成气敏元件.实验结果表明:该元件在90℃左右时对氢气有极高的灵敏度,是一种薄膜化、集成化、高选择性的气敏元件.本文介绍薄膜制备、微观结构分析、元件设计及气敏特性测试.     

金属氧化物超微粒膜式新型气敏元件

介绍一种改良的气敏元件,在了解金属氧化物超微粒结晶所具方向性的特点之后,巧妙地使金属氧化物超微粒的大部分结晶在特定面方位状态下聚合的超微粒膜与电极接触,并用大于通常的气体压力进行溅射,如此制成的气敏元件气体选择性良好,从而解决了一直存在的选择性不佳的难题。     

超微粒氧化铁薄膜的敏感特性研究

随着半导体技术和微电子技术的发展,半导体气敏元件的品种、数量和质量都有了很快的发展。为了满足信息社会对气体传感器小型化、集成化和智能化的要求,气敏材料正在向超微细化、薄膜化和复合化的方向发展。超微粒薄膜气敏材料由于具有工作温度低、灵敏度高、响应恢复快、易集成、一致性和稳定性较好的独特优点,在近期内得到了很大的发展,并且成为当前气敏材料研究的热门课题。 本文采用PCVD法生长出均匀透明的非晶氧化铁敏感膜,经热处理而制备的薄膜型气敏元件,无需掺杂便具有优良的气敏性能,显示出良好的应用前景。     

Fe2O3的CO气敏特性的研究

本文研究了γ-Fe_2O_3材料的制备和掺杂对CO气敏特性的影响。实验表明用硫酸盐制备的γ-Fe_2O_3材料具有相对高的灵敏度,进行适当的Ti-Rh复合氧化物掺杂又明显提高了γ-Fe_2O_3材料对CO的灵敏度。讨论了该掺杂的量对CO灵敏度的影响,及相应元件的基本性质。     

氧化铁薄膜的PCVP过程 及其气敏性能初探

由于α-Fe_2O_3具有较高的化学稳定性,一般认为它无气敏效应,后来才发现微细化、低结晶化及薄膜化的α-Fe_2O_3具有显著的气敏性,因此其气敏效应的发现晚于γ-Fe_2O_3。现已有了实用化的α-Fe_2O_3气敏元件,因而研究微细化的α-Fe_0O_3薄膜气敏村料成为必要,这对于材料的稳定生长和质量控制以及薄膜生长的微机控制都具有现实的意义,而研究氧化铁气敏薄膜的成膜工艺及动力学目前还未见详细报道。 实验是在一个真空反应管内进行的,衬底用电炉加热,温度由水银计显示,用10.5MHz高频电场等离子体激发源,以二茂铁为源材,以氧气为氧化剂兼作载气。氧     

二氧化锡纳米粉料的制备及其气敏性能

采用低温等离子体法以无水四氯化锡为源物质制备了二氧化锡超微粉料,TEM照片显示粉料粒度均匀,粒径为10nm量级,并且阴极高压越高,粒径越小。用该粉料制备的气敏元件,测定了气体灵敏度与温度及浓度的关系,显示了比一般无渗杂氧化锡元件灵敏度高的特点,可望开发成为广普型气敏传感器。还讨论了元件的灵敏度和电导温度特性随不同热处理温度的变化。大的比表面积在这种类型传感器运行机制中起着重要作用.     

气敏元件性能检测装置的研究

为了促进气敏元件的研究与开发，本文介绍了一种气敏元件性能检测装置。该装置克服了以往气敏元件测试系统的结构复杂，操作繁琐等诸多不足，具有简单易行，功能齐备等优点，适用于气敏元件的参数测试及可靠性试验过程中的监测。     

Sn-Zn-Cu复合氧化物气敏元件的制备与性能

从环境材料的理念出发,以SnO2,ZnO和CuO 3种物质为原料,直接混合烧结制得6种不同成分比例的Sn-Zn-Cu复合氧化物气敏元件。对这6种气敏元件进行性能测试,结果发现:SnO2∶ZnO∶CuO摩尔比为1∶1∶1的气敏元件对丁烷有较高的灵敏度、较好的选择性和响应恢复性能,具有应用开发的价值。     

Fe2O3气敏材料的制备及掺杂研究

作者以不同铁盐与ＮａＯＨ反应，用共沉淀法磷选出较好的γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏材料；再通过多种掺杂，研究杂质对材料灵敏度的影响，寻找γ－Ｆｅ２Ｏ３对ＣＯ，Ｈ２，ＬＰＧ灵敏的适宜掺杂剂，以促进γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏元件的实用化。同时，作者又通过对掺杂物热力学数据的研究，初步发现了一条选择合宜掺杂剂的规律。     

气敏（载体催化）元件性能的改进与提高

通过对补偿元件进行金化处理，使其表面形成性检测元件相同的导电层和黑度，省略关在补偿元件上的电阻，大大改善了元件的互换性，提高了配对合格率，并减少了测量工作点的时间。     

提高半导体气敏元件检测能力的有效途径

半导体气敏元件发展的重点集中在如何提高其选择性，灵敏度和热稳定性等。通过控制元件的工作温度，采用添加技术，超微细化技术以及表面修饰技术等可有效地提高气敏元件的灵敏度和选择性。恒流加热法的使用是提高气敏元件热稳定性的主要手段。许多新材料，新原理的应用都可进一步提高气敏元件的检测能力。     

ZnSnO3气敏薄膜的制备和性能

利用共沉淀法制备了ZnSnO3粉体,通过直流溅射制备了气敏薄膜.研究了老化温度、薄膜的组成对气体的灵敏度影响.实验结果表明:600℃老化后,气敏膜薄膜的主要成分是ZnSnO3,在450℃时,该薄膜对乙醇灵敏度约为650,有望开发成酒敏元件.     

激光烧结纳米ZnO 气敏传感器制备及其气敏特性研究

以激光-感应复合加热法制备的纳米ZnO为原料，用激光烧结法制成的气敏传感元件，对乙醇、丙酮等五种挥发性有机化合物的敏感性进行了测定，同时又对所制成的传感元件作了SEM分析。实验表明，采用激光烧结的纳米ZnO较之电炉烧结的敏感度高，孔洞细小、孔隙率增多；且随着激光加工功率的提高，达到最大敏感度的温度却有所降低。     

补偿式气敏元件的研究

提出了由n型气敏材料和p型气敏材料构成的补偿式气敏元件的原理及实现补偿的条件.据此原理制作了由γ-Fe_2O_3和LaFeO_3构成的补偿式元件.该元件有效地克服了乙醇的干扰,提高了对丁烷的选择性.