一种高产率的先进封装投影光刻机

从设备设计者及使用者的角度,详细描述了影响先进封装步进投影光刻机生产效率的主要因素,并基于灵敏度分析给出了产率优化方法,综合曝光性能分析给出了产率平衡策略。实测数据表明,SSB500系列光刻机达到了良好的产率性能,最高产率超过90片/h,适应厚胶大剂量曝光要求,能够满足后道FAB的生产线要求。     

先进封装投影光刻机

随着先进封装技术的发展,对光刻的要求（CD均匀性、套刻精度等）将逐渐提高,当硅片尺寸逐渐增大到8英寸乃至12英寸时,步进投影式光刻机更具吸引力。SS B500系列先进封装步进投影式光刻机经过优化设计与改良,逐步具备良好的Bump等工艺适应性,并开始进入集成电路先进封装市场。作为精密而复杂的半导体制造设备,本文以实测数据表明SS B500／10A已实现良好的整机性能。     

投影光刻机在先进封装中的应用

随着先进封装技术的发展,对光刻的要求(CD均匀性、套刻精度等)将逐渐提高,当硅片尺寸逐渐增大到200mm(8英寸)乃至.300mm(12英寸)时,步进投影式光刻机在全片一致性上的优势更明显。SS B500系列先进封装步进投影式光刻机具备良好的RDL、Bump等工艺适应性,分析了CD及套刻的影响因素,阐述了绝对套刻测量的意义,并以实测数据表明SSB500/10A已实现良好的整机性能。     

SSB500系列步进投影光刻机

国家重点新产品:SSB500步进投影光刻机上海微电子装备有限公司(SMEE)主要致力于量产型IC制造、先进封装、3D-TSV、MEMS、OLED-TFT制造等领域的投影光刻机系列产品的研发、制造及销售,公司目前拥有600系列IC前道扫描光刻     

通过滤光改进远紫外线曝光的边缘锐度

<正> 以前报导过用较短的波长曝光能够增加投影光刻机的调制传递函数,因而能有效地提高光刻机的分辨率。本文在上述前提下就边缘锐度的问题发表一些看法。 F/3型投影光刻机经改进后能在275nm～325nm范围内曝光,而且在标准工艺条件下,用重氮型(Shipley)光致抗蚀剂AZ-2400可曝出1μm的图形。硅衬底上有720nm厚的湿法生长氧化物。     

用于IC封装的光刻设备

光刻是圆片级封装的一种最重要的工艺,无论是焊盘分布、焊凸形成、密封或其它新出现的需求,晶圆上精确的成像区域对每一种工序来讲是最重要的。评述了一些圆片级封装的光刻系统及为什么某些专门的设备能很好地适于应用,会是接近式光刻机、步进投影光刻机还是一些替代设备在未来的几年内来满足这种需求?我们将探索这种可能性。     

特种器件厚外延前后图形转移方法研究

提出了一种特种器件厚外延前后图形的转移方法.通过设计一块带外延前图形层的对位标记和投影光刻机识别标记的掩膜版,解决了厚外延之前图形的精确套准和厚外延之后投影光刻的难题,实现了厚外延前后的套刻精度高于0.5 μm.该方法可广泛应用于带埋层的VDMOS、超结VDMOS、高压互补双极器件,以及高压BCD器件的投影光刻.     

紫外线厚胶光刻技术研究及应用

紫外线厚胶光刻技术已广泛应用于3D微机械结构的制作.本文选用AZ4620和SU-8两种光刻厚胶,采用德国卡尔*休斯公司的MA-6双面对准光刻机,对紫外线光刻工艺条件进行了对比研究,结果表明,负性光刻胶SU-8的光敏性好,胶结构图形的侧墙较陡直,能够实现较大的深宽比,为复杂结构的三维微机械器件的制作提供了保证.     

紫外线厚胶光刻技术研究及应用

紫外线厚胶光刻技术已广泛应用于3D微机械结构的制作.本文选用AZ4620和SU-8两种光刻厚胶,采用德国卡尔*休斯公司的MA-6双面对准光刻机,对紫外线光刻工艺条件进行了对比研究,结果表明,负性光刻胶SU-8的光敏性好,胶结构图形的侧墙较陡直,能够实现较大的深宽比,为复杂结构的三维微机械器件的制作提供了保证.     

投影光刻机TTL对准原理与故障分析

论述了ASML公司某型投影光刻机TTL对准系统的基本原理和主要构成,介绍了对准系统在光刻工艺中的工作过程,结合多年的投影光刻机维修经验总结了对准系统的常见故障,并给出了分析以及解决方法。