多工位PTCR耐工频电流测试仪的研制

为满足PTCR生产中耐工频电流冲击特性测试的要求。研制了多工位PTCR耐工频电流冲击特性测试仪．在测试过程中各测试工位先通先断,保证各个工位通断电时间满足测试要求。从而保证了PTCR耐工频电流冲击性能的准确性、高效性,当PTCR样品击穿时相应测试电路具有过电流保护电路功能,自动切断回路,实现了一个保护电路对多个工位的过流保护的功能,提高了仪器本身的可靠性。     

铝阳极氧化膜耐电压机制研究

建立了(+)Al/Al2O3/电解液(-)系统耐电压模型。在该模型中,耐电压测试时施加于样品系统上的恒稳测试电流被分离成了介质层充电电流及缺陷漏电流两部分。使用该模型对恒稳电流下铝阳极氧化膜耐电压随时间的变化进行了模拟,模拟结果与实测值几乎完全重合,并准确预测出了铝阳极氧化膜升压时间及180s时的耐压值。另外,对铝阳极氧化膜耐电压曲线进行了初步解释。     

片式BaTiO3基PTCR瓷片的制备及烧结工艺的研究

以轧膜成型工艺制备的BaTiO3基热敏电阻(PTCR)坯片为对象,研究了烧结工艺对其电性能的影响.结果表明,通过控制烧结温度的各参数,可优化成BaTiO3基热敏电阻的电性能.且获得室温电阻低于10 Ω、升阻比达5个数量级且耐电压高于50 V/mm的片式PTCR瓷片,尺寸为8 mm×5 m×0.22 mm.     

一种高耐压过流保护用PTCR热敏电阻器

研制出一种BaTiO3系高耐压过电流保护用PTCR热敏电阻器,发现掺入一定量的Ca取代Ba,及过量TiO2的引入方式,工艺因素,金属电极对PTCR热敏电阻器的耐电压影响较大。通过对上述因素的优化组合,成功研制出耐电压≥650 V的高耐压过流保护用PTCR热敏电阻器。     

PTCR耐电流冲击自动测试仪

为满足PTCR生产中耐电流冲击特性测试的要求，研制了多工位PTCR耐电流冲击特性测试。采用计数器、通／断定时器及以TPIC6B595集成芯片为核心的通断时序控制接口电路，实现各个工位的先通先断，从而保证各个工位通断时间满足测试要求，保证了PTCR耐电流冲击性能的准确、高效测试；各通道具有独立的自动过电流保护电路，既保护了测试夹具，又使仪器本身的可靠性大大提高。     

PTCR元件化学镀镍电极的最优工艺条件

采用正交试验法研究了络合剂浓度、镀液 pH值、施镀温度与时间对BaTiO3 陶瓷PTCR元件化学镀镍电极的影响 ,得到制备化学镀镍电极的最优工艺条件。重复试验证明 ,在该工艺条件下获得的以Ni镀层为底层电极的PTCR元件 ,其耐电压和耐工频电流冲击性能良好。     

新型加热器用高性能PTCR发热元件的研制

利用常规的PTCR陶瓷生产工艺,制备了适用于柴油发动机加热器用高性能PTCR发热元件,其开关温度(Tc)175℃、升阻比(Rmax/Rmin)>104、元件温度系数(α)≥15.0%/℃、元件表面温度(Tsuf)为150～160℃.具有这种高性能的PTCR发热体具有升温快、恒温特性好、使用安全等优点.同时具有很高的耐电压能力、性能稳定、使用寿命长,为新型现代柴油发动机汽车的普及与推广提供了必要的保证.     

掺杂Ag元素对溶胶–凝胶一步法制备BaTiO3基PTCR陶瓷性能的影响

为改善PTCR陶瓷材料的电学性能,采用AgNO3作为Ag掺杂原料,用溶胶–凝胶一步法合成了含Ag元素的BaTiO3基PTCR陶瓷,着重讨论了银含量对半导体陶瓷电学性能的影响规律.结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(β)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(αR)和耐电压(Vb).本实验中掺杂0.05%Ag(摩尔分数)时,获得的PTCR陶瓷性能较好:ρ≈28Ω@cm,α25＞16%℃-1,Vb＞180 V@mm-1.     

掺杂Ag元素对溶胶–凝胶一步法制备BaTiO_3基PTCR陶瓷性能的影响

为改善PTCR陶瓷材料的电学性能,采用AgNO3作为Ag掺杂原料,用溶胶–凝胶一步法合成了含Ag元素的BaTiO3基PTCR陶瓷,着重讨论了银含量对半导体陶瓷电学性能的影响规律。结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(r)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(aR)和耐电压(Vb)。本实验中掺杂0.05%Ag(摩尔分数)时,获得的PTCR陶瓷性能较好:r≈28 W·cm,a25>16%℃1,Vb>180 V·mm1。     

辐射交联对高分子聚合物PTCR热敏电阻器电性能的影响

辐射交联对用于过流保护的高分子聚合物PTCR热敏电阻器之电性能有较大的影响.实验证明:辐照强度有一个最佳范围,正确选择辐照强度可提高高分子聚合物PTCR热敏电阻器的升阻比,改善动作特性及耐压、耐电流等电性能.     

基于Kingview平台的化成箔时间电压自动测试仪

介绍一种通过Kingview控制直流恒流源,实现化成箔升压时间（Tr）、到达电压（Vt）自动测试的仪器方案,给出了系统构成、数据采集模块选型与配置、压控恒流源电路及主要程序代码。该测试仪最高输出电压可达1100V,电压检测误差小于0．3V,稳流精度优于±0．01mA,输出纹波电压有效值小于0．5V;可同时测试3片样品,自动获取Tr,Vt并显示升压曲线。经6年的实际应用证明,该仪器可为化成箔质量控制提供可靠数据,对降低次品率与报废率有重要意义,测试效率比现有行业标准推荐的测试方法提高6倍。     

基于VB与PLC的温度循环测试系统研究与实现

以基于OPC技术和搭载VB编程环境的PC为上位机,以欧姆龙公司的CJ2M控制器为下位机,设计了一套用于测试电子镇流器样品的温度循环测试系统。该系统实现了利用PLC对电压源进行的输出控制,实验结果符合测试曲线,并在VB界面中读取实时电压与温度曲线的目的。     

化成箔时间电压参数的测试精度与效率研究

介绍一种化成箔上升时间(tr)、到达电压(Vt)自动测试方案,包括电压取样电路的改进、压控恒流源设计及基于Kingview实现自动测试等技术。与目前行业标准相比,该方案Vt测试精度由0.5%提高到0.5‰,测试效率提高6倍;可同时测试3片样品,自动获取tr、Vt,并实时显示升压曲线。经六年的实际应用证明,该方案在技术指标和自动化程度方面达到了国外同类产品先进水平,可确保质量控制更准确、更及时,大大降低了报废率与次品率,同时为企业节省大量人力成本。     

多工位PTCR电流–时间特性测试系统的研制

基于PCI总线的数据采集卡,研制出了多工位PTCR元件电流–时间特性测试系统。它能同时对10个工位的PTCR元件的启动时间、峰值电流、残余电流、恢复时间、消耗功率等多个参数进行测量。系统测试方便,测量精度高,最大测试误差<1%,在实际应用中得到企业用户的好评。     

用弹道电子发射显微术研究超薄金属硅化物/硅肖特基接触

采用弹道电子发射显微术(BEEM)技术对超薄PtSi/Si、CoSi2/Si肖特基接触特性进行了研究,并与电流-电压(I-V)及电容-电压(C-V)测试结果进行了对比.研究了Ar离子轰击对超薄PtSi/n-Si肖特基接触特性的影响.BEEM、I-V/C-V技术对多种样品的研究结果表明,I-V/C-V测试会由于超薄硅化物层串联电阻的影响而使测试结果产生严重误差;BEEM测试则不受影响.随着离子轰击能量增大,肖特基势垒高度降低,且其不均匀性也越大.用BEEM和变温I-V对超薄CoSi2/n-Si肖特基二极管的研究结果表明,变温I-V测试可在一定程度上获得肖特基势垒在整个界面上的不均匀性信息,但它依赖于假设的势垒高度分布模型;BEEM测试则可直接获得金-半接触界面的肖特基势垒高度,近似为高斯分布.     

用弹道电子发射显微术研究超薄金属硅化物/硅肖特基接触

采用弹道电子发射显微术 ( BEEM)技术对超薄 Pt Si/Si、Co Si2 /Si肖特基接触特性进行了研究 ,并与电流 -电压 ( I- V)及电容 -电压 ( C- V)测试结果进行了对比 .研究了 Ar离子轰击对超薄Pt Si/n- Si肖特基接触特性的影响 .BEEM、I- V/C- V技术对多种样品的研究结果表明 ,I- V/C- V测试会由于超薄硅化物层串联电阻的影响而使测试结果产生严重误差 ;BEEM测试则不受影响 .随着离子轰击能量增大 ,肖特基势垒高度降低 ,且其不均匀性也越大 .用 BEEM和变温 I- V对超薄 Co Si2 /n- Si肖特基二极管的研究结果表明 ,变温 I- V测试可在一定程度上获得肖特基势垒     

印制电路板低气压条件下的耐电压测试

文章简要介绍了低气压条件下对一组印制电路板(PCB)实验样品的耐电压测试情况,总结了在低气压条件下印制板的耐压性能与气压、温度条件的内在关系。     

通讯设备用低阻高耐压过流保护器材料研究

过流保护器要求芯片尺寸为φ5mm×2.2mm,电阻值为15?,耐电压AC330V。采用液相施主掺杂和添加钙等方法优化配方制成PTCR材料。经复阻抗谱、SEM及XRD等测试分析表明,材料的微观结构得到了明显改善,PTC性能得以提高。当x(Mn(NO3)2)为0.47%时,材料的居里点为70℃、室温电阻率为14?·cm、温度系数为11.5%℃–1、耐压强度大于165V/mm。     

TDX-200F透射电镜高压测试系统的设计与应用

本文针对加速电压稳定度、电压值及加速电压纹波值性能指标设计了TDX-200F透射电镜高压电源测试系统.首先阐述了系统的工作原理,然后根据基本测试功能和主要技术指标设计了高压测试系统.该系统采取虚拟仪器技术,大大提高测试效率,经过现场调试,现已用于新研制的TDX-200F场发射枪透射电子显微镜高压系统测试中.实验证明该测...     

GaAs光导开关lock-on模式的高倍增偶极畴模型

采用瞬态电脉冲测试电路,对砷化镓(GaAs)光导开关线性与锁定(lock-on)工作模式的临界状态进行了系统的实验测试,得到阈值条件附近波形变化情况及lock-on模式下电压转换效率显著提高现象.根据实验测试结果,提出了高倍增偶极畴模型,并结合载流子雪崩倍增理论,对实验观察到的若干临界实验现象进行了合理的解释.