50 MHz低噪声Colpitts石英晶体振荡器设计

该文在振荡器Leeson模型的基础上分析了有载品质因数（QL）对振荡器相位噪声的影响,且通过分析Colpitts振荡电路得到了其QL的表达式,明确了QL与电路参数的精确关系。并用安捷伦ADS软件对50 MHz Colpitts晶体振荡器的相位噪声进行了仿真,根据仿真结果在提高QL的基础上设计了一晶体振荡器样机,样机采用AT切三次泛音、49U电阻焊封装的晶体谐振器,其无载品质因数（Q0）为1.45×105。经测试得到其相位噪声指标优于-107 dBc/Hz@10Hz、-134 dBc/Hz@100 Hz和-152 dBc/Hz@1 kHz。实验结果表明,基于提高QL设计低相噪晶体振荡器的方法是可行的。     

高性能声表面波调频振荡器的研究

分析了声表面波谐振器的性能 ,论述了声表面波振荡器的工作原理及设计方法 ,最终完成中心频率为797.3 MHz的振荡电路 ,调频带宽 2 MHz(2 5 0 0 PPM)。文中对影响调频带宽、相位噪声的因素进行了分析讨论。本项目研究成果已获得实际应用     

宽频偏声表面波压控振荡器研究

介绍宽频偏声表面波压控振荡器的实验研究。这种声表面波压控振荡器的工作频率为１８．３～１９．２ＭＨｚ，分四个频段进行数字信号控制，每一频段的压控频偏均大于３００ｋＨｚ，单边带相位噪声优于－１００ｄＢｃ／Ｈｚ／１ｋＨｚ，平均压控灵敏度大于５０ｋＨｚ／Ｖ。     

一种新型声表面波振荡器系统的设计研究

针对振荡器中声表面波器件存在的体声波干扰、电极反射及旁瓣过大问题,提出了一种新型声表面波振荡器系统的设计方案。该方案将多条耦合器用于分离体声波,分裂电极用于减弱电极反射问题,并采用了输入、输出换能器双加权的措施来降低旁瓣信号。通过对一个中心频率为50.8MHz声表面波振荡器的实现和测试,得到该新型声表面波振荡器系统的振荡频率为50.613 MHz,与系统的设计值误差仅为3.6‰,并且具有良好的周期性和稳定性。     

905MHz低相噪声表面波振荡器的设计

本文分析了声表面波谐振器的性能 ,论述了声表面波振荡器的工作原理及设计方法 ,最终完成中心频率为 90 5MHz的振荡电路 ,相位噪声低于 - 110dBc/Hz/ 1kHz。文中对影响相位噪声的因素进行了分析讨论     

高性能声表面波振荡器的设计和应用

介绍声表面波振荡器的特点和应用,讨论了它的工作原理和优化设计方法,并分析了其关键技术及解决办法。设计采用的电路形式简单且性能良好,给出了研制结果:输出振荡频率1.81 GHz,输出功率7.23 dBm,长期频率稳定度为5×10-6/日,相位噪声优于-122 dBc/Hz/10 kHz。     

一种钽酸锂压控振荡器的设计与实现

该文使用具有低电容比、宽调谐范围的钽酸锂晶体设计了一巴特勒共基低相位噪声压控振荡器,此设计在寻求高有载品质因数QL的同时保持了振荡器的输出功率。使用的钽酸锂晶体的无载品质因数Q0约为1.24×103,其频率为10.727MHz。设计出的巴特勒振荡器QL≈33%Q0,输出功率约为11dBm。不加压控的情况下,实际测得该振荡器的相位噪声结果为-85dBc/Hz@10 Hz和-145dBc/Hz@1kHz。在此基础上,增加一变容二极管作为压控元件设计了钽酸锂压控振荡器,在2~10 V范围内,测得控制电压压控斜率约为86.6×10-6/V,相位噪声测试结果优于-82dBc/Hz@10Hz和-142dBc/Hz@1kHz,实现了具有宽调谐范围的低相位噪声钽酸锂振荡器的设计。     

千兆赫低相噪声表面波振荡器

阐述了振荡器及声表面波双端口谐振器工作原理及影响振荡器相位噪声的因素,通过设计声表面波谐振器的输入/输出相位关系与放大器输入/输出相位关系相匹配,将谐振器完全接入振荡环路,既作为稳频元件又起到相位调节的作用,不用其他移相元件,提高了振荡环路的Q值,采用基频工作,保证了振荡电路相位噪声、谐波、杂波等关键指标,满足机载电子设备及大容量通信系统等对频率源的要求。     

Colpitts型低噪声声表面横波振荡器

描述了工作频率达1.435GHz的低损耗声表面横波谐振器,其损耗为3dB,有载品质因素达1 573。用此表面横波谐振器作为频控元件,采用Colpitts型振荡电路,制作出千兆赫兹频率的低噪声声表面横波振荡器,其在偏离载波1kHz、10kHz、1MHz处的相位噪声分别达-105dBc/Hz、-137dBc/Hz、-168dBc/Hz。     

低相位噪声微波振荡器设计

针对Ka和Ku波段上、下变频装置对微波振荡器低相位噪声和小型化的要求,该文采用单环锁相式频率合成技术完成了微波振荡器的设计,并对锁相环的相位噪声进行了理论计算。分析了鉴相频率、鉴相器灵敏度和环路带宽对锁相环输出相位噪声的影响,根据分析结果对微波振荡器电路参数合理选择,同时兼顾了低相位噪声与小型化的设计要求。测试结果表明,振荡器的相位噪声指标与理论计算一致,各项指标均达到要求,可满足实际工程应用。     

低相位噪声HBT单片压控振荡器的设计

与传统的硅双极晶体管(Si BJT)相比,异质结双极晶体管(HBT)具有特征频率高、1/f噪声小的优点,可以用在微波频段内的单片集成电路设计中。采用异质结双极晶体管(HBT)设计一种低相位噪声HBT单片VCO电路,芯片电路测试结果:电压控制频率范围fo=8.0~9.5 GHz;输出功率Pout=7~9.5 dBm;在偏离振荡中心频率foffset为100 kHz时相位噪声Pn=-106 dBc/Hz。     

一种20M低相位噪声晶体振荡器的设计

设计了一种20M低相位噪声晶体振荡器.通过对振荡原理的分析,选取了Santos结构的振荡器进行设计.该晶体振荡器由主振荡电路、振幅控制电路两部分组成,用标准的0.18 μm CMOS工艺实现,并通过Cadence平台下的软件进行仿真.结果表明,所设计的晶体振荡器的相位噪声在偏离中心频率1kHz、10kHz、1MHz处的...     

低相噪启钥式耦合微波光电振荡器研究北大核心

针对微波通信、雷达、电子战和导航等先进电子系统的应用发展需求,为了实现具有实用价值的极低相噪耦合微波光电振荡信号产生,提出了一种基于Sigma型光纤储能环腔架构的低相噪启钥式耦合微波光电振荡器。该方案通过Sigma型光纤储能技术消除了耦合微波光电振荡器中存在的偏振衰落问题,并且通过有源光纤环腔再生增益特性极大增强了振荡器品质因数,最终实现了10 GHz耦合微波光电振荡器的开机启钥稳定运行,起振信号在10 kHz频偏处的相位噪声达到-139.26 dBc/Hz。     

一种高频低相噪晶体振荡器电路的设计

从李森模型出发,以100 MHz振荡器为例,详细介绍了一种高频低相噪晶体振荡器电路的设计思想和指导原则。考虑了振荡器中的几个关键电路的选用,并给出了电路原理图。采用ANSOFT SERENADE8.7进行计算机仿真得出电路的频谱、波形和相位噪声曲线图,并将其优化。根据仿真结果做出实际的电路,得出实测相位噪声为-154.97 dBc/Hz@kHz-、164.17 dBc/Hz@10 kHz。可以看出,该电路在低相噪方面有一定的特点。     

S波段低相噪同轴介质压控振荡器设计

运用串联反馈振荡器理论设计了一个工作于S波段的低相噪同轴介质压控振荡器。首先分析了同轴介质谐振器的理论以及串联反馈振荡器的工作原理,然后在高频电磁仿真软件HFSS和ADS中进行仿真和设计。为了实现电调谐,将变容管合理地加入振荡器,最终设计完成了一个S波段的低相噪同轴介质压控振荡器。通过对实物成品的测量和调试表明,此压控振荡器达到了预定的技术指标,各项性能良好。测试结果:工作频率为2.075~2.250 GHz,调谐范围为1.75 GHz,输出功率≥11 dBm,谐波抑制度≥23 dBc,相位噪声优于-133 dBc/Hz@100kHz。     

Ku波段低相噪锁相介质振荡器

应用取样锁相技术对Ku波段低相噪锁相介质振荡器进行了研究,对取样锁相技术的工作原理和电路特性进行了分析,阐述了取样锁相环路的设计过程.对制成的实物进行了测试和调试,取得了预期的相位噪声指标.实验结果表明,该取样锁相源的频率为17GHz,输出功率≥10dBm,杂波抑制比≥70dBc,相位噪声-103dBc/Hz@1kHz, -107dBc/Hz@10kHz, -110dBc/Hz@100kHz, -128dBc/Hz@1MHz.