砷化镓气相外延层表面缺陷和衬底缺陷的关系

利用ＳＥＭ，ＥＤＸ研究砷化镓气相外延层表面缺陷与衬底缺陷的关系，进一步揭示了砷化镓衬底缺陷对砷化镓外延层质量的影响。     

从砷化镓废料中回收镓

砷化镓的单透射速率比硅快5倍，用于高速运转的资料处理系统，可提高效率和质量．由于GaAs的能带结构特点，它比硅有更好的光学性能和辐射强度．因此，GaAs的应用研究正在广泛地进行，例如高级计算机，激光，通讯设备及其附属设施，宇航和军事用途等．应用领域对GaAs的需求日益增长．但是，在GaAs品片的生产过程中，大量废料未经处理就被废弃（如韩国达到85％）．在GaAs废料中，Ga含量接近50％，其典型成分见下表：通常，金属像是铝工业和锌工业冶金过程的副产品，从废料中回收的镓很少．曾有关于从煤飞灰回收镓的报道，但这种飞灰镓含…     

二氧化碳激光器用砷化镓窗口材料的制备

采用高压液封直接法制备的＜110＞晶向的微掺杂砷化镓晶体质量优良，电阻率高，吸收系数低，具有很好的重复性，光学性能优良，工作可靠，能够满足大功率CO2激光器的使用要求，采用的快速合成，快速生长和微杂的制备方法工艺成熟，技术先进，质量稳定，并且原材料利用率高，可达95％以上，适用于工业规模生产。     

砷化镓衬底加工技术研究及其新发展

第二代半导体砷化镓(GaAs)材料是衬底外延生长和器件制备的基础材料,其晶片表面要求超光滑、无表面/亚表面损伤和低的残余应力等,且其表面平坦化质量决定了后续外延层的质量,并最终影响相关器件的性能。通过归纳分析砷化镓单晶材料的本征特性及其切割、磨边、研磨、抛光等技术的研究进展,对砷化镓超光滑平坦化加工技术未来的研究方向进行展望。      

划片刀配方对砷化镓晶圆切割崩裂的影响

利用试验设计方法(design of experiment, DOE),以不同配方的划片刀划切砷化镓晶圆,并检测其正、背、侧面的崩裂尺寸,找出划片刀配方对砷化镓晶圆切割崩裂尺寸的影响规律。研究表明:划片刀的磨料粒度与砷化镓晶圆切割质量密切相关,即磨料粒度越细,正、背、侧面崩裂尺寸越小;而磨料浓度和结合剂强度与砷化镓晶圆正、背、侧面的切割质量相关性并不显著。可通过缩小磨粒尺寸的方式提高划切质量,并视情况调整磨料浓度和结合剂强度。      

磁性复合流体对砷化镓晶片的超精密表面抛光

研究了磁性复合流体（MCF）浆料对砷化镓（GaAs）晶片表面纳米精密抛光的影响。通过混合CS羰基铁颗粒（CIPs）、Al₂O₃磨料颗粒、α-纤维素和磁性流体制备MCF浆料。首先,通过设计用于产生旋转磁场的MCF单元,建立了抛光装置。然后,对GaAs晶片表面进行了点抛光实验,以阐明MCF成分对不同抛光位置的表面粗糙度R_a和材料去除（MR）的影响。最后,使用含有不同直径颗粒的水基MCF浆料进行了扫描抛光实验。结果表明,在点抛光的情况下,水基和油基MCF处理后的初始表面粗糙度从954.07 nm分别降至1.02和20.06 nm。此外,MR的深度随着抛光时间的增加而线性增加。使用水基MCF的MR深度是使用油基MCF抛光的2.5倍。同时,抛光区的横截面轮廓显示出W型,这表明点抛光工件表面的MR不均匀。通过扫描抛光,抛光区的横截面轮廓显示出U型,这表明在给定的实验条件下,无论使用何种MCF,MR都是均匀的。使用含有直径为0.3 μm的磨粒的MCF能够获得R_a为0.82 nm的最光滑工作表面,同时MR速率为13.5 μm/h。     

东山再起的半导体锗

<正> 众所周知,世界第一个晶体管是用锗作成的,随后半导体锗就成为生产晶体管的主要原料。到了60年代中期,硅的晶体管产量超过了锗晶体管,随着集成电路的发展,锗在电子器件中的应用每况愈下,到了80年代中期,用于电子器件中的锗只占锗金属总产量(80～90t/a)的5％以下。在应用中占主要地位的是锗的光学应用(红外窗口与透镜、光纤、锗玻璃)及以化合