TDR—80型单晶炉的研制

介绍TDR—80 型单晶炉的设计思路及工作原理,并结合单晶炉的特殊工艺要求,分析了其主要结构及性能特点     

TDR-Y60A型氧化物单晶炉的研制

简要介绍TDR -Y6 0A型氧化物单晶炉的设计思路 ,传动原理及结构设计。     

TDR-ZY40C型中压单晶炉的研制

介绍了TDR-ZY40C型单晶炉的设计思路及工作原理,结合拉制单晶的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点。     

TDR-70型单晶炉的研制

介绍了TDR - 70型单晶炉的性能参数及工作原理 ,结合拉制单晶的特殊工艺要求 ,分析了其主要结构及特点。     

T46X型硒镓银单晶炉的研制

介绍了TDR-46X型单晶炉的设计思路及工作原理,结合拉制单晶的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点。     

TDL—J75高温氧化物晶体炉的研制

简要介绍一种控制高温氧化物晶体和生长设备, 通过与国内外同类炉型相比较,着重对该设备的机械结构设计特点及电气控制系统作较详细的说明。     

Y60A单晶炉慢速提拉控制系统设计

在单晶生产过程中 ,对单晶提拉速度有十分严格的要求 ,针对实际情况设计并分析了一种实用的、在极低转速下调速的控制系统。用该系统来控制提拉机械 ,具有结构简单、造价低的特点 ,实测表明系统的性能满足生产要求。     

双段式加热锗单晶生长设备的结构设计

锗单晶和锗单晶片是重要的半导体材料,锗单晶的生长广泛采用的是CZ(直拉)法,其主要结构包括底座及立柱装置、下传动装置、主炉室、插板阀、副炉室、籽晶提升旋转机构、液压驱动装置、真空系统、充气系统及水冷系统等。     

SiGe合金单晶生长研究

通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度.采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%、φ为50～60mm的SiGe单晶.可应用于X射线单色器、探测空间γ射线的透镜及热电器件,还可用作部分光电器件和量子阱器件SiGe同质外延生长的衬底.     

碳/碳复合材料应用于直拉硅单晶生长的研究

介绍了热系统在直拉硅单晶中的作用,对比了石墨与碳/碳复合材料的生产过程和性能特点与差异.通过在单晶炉上的实验应用,证明了碳/碳复合材料比石墨材料具有更好的实际应用效果,在直拉硅单晶领域具有很好的应用潜力.分析了碳/碳复合材料的一些不足,并提出了相应的解决方案.     

DRF-J45型镓单晶炉的开发与设计

当前镓提纯方法大部分采用电解法,电解法生产出的镓晶体纯度不高,常常形成个别杂质元素超标。为了提高其晶体纯度,需采用晶体提拉法来进一步弥补并提升镓晶体提纯工艺方法。从分析镓单晶炉生长的工艺特点出发,简要介绍镓单晶生长设备的设计思想以及新近开发设计的新型镓单晶炉的机械结构及电气控制系统。     

The Development and Gallium Single Design of the DRF-J45 Crystal Furnace

当前镓提纯方法大部分采用电解法,电解法生产出的镓晶体纯度不高,常常形成个别杂质元素超标。为了提高其晶体纯度,需采用晶体提拉法来进一步弥补并提升镓晶体提纯工艺方法。从分析镓单晶炉生长的工艺特点出发,简要介绍镓单晶生长设备的设计思想以及新近开发设计的新型镓单晶炉的机械结构及电气控制系统。     

高质量镁铝尖晶石单晶生长的研究

对制作微波延迟线用镁铝尖晶石单晶生长进行了研究，采用原料配比为ＭｇＯ：Ａｌ２Ｏ３＝１：１（ｍｏｌ），通过化学反应间接合成ＭｇＡｌ２Ｏ４多晶料，使用铱坩埚盛料，选用中频感应加热，在氩气中用提拉法以及合适的温场和最佳工艺参数，生长了出了高质量的镁铝尖晶石单晶，其性能达到微波器件使用要求。     

弛豫铁电单晶PZNT91/9的生长与畴结构研究

采用熔剂-坩埚下降法生长了91%Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-9%PbTiO3(PZNT91/9)(摩尔分数)弛豫铁电单晶,PbO助熔剂摩尔分数控制在50%左右。所得晶体被PbO助熔剂包裹,将其浸泡在热HNO3中1～2天即可除去PbO。晶体呈浅黄色,具有明显的结晶学生长面。晶体沿(001)面切出数片,晶片质量明显好于通气Bridgman法生长的PZNT单晶。偏光显微镜可观察到71°、90°、180°畴或微畴区。晶片极化条件为:垂直于C面施加1kV/mm的电场并保持10～15min。     

生长气氛对Ti~（3＋）：Al_2O_3单晶光纤质量的影响

在不同性质的气氛下，用激光加热基座法（ＬＨＰＧ法），生长Ｔｉ３＋：Ａｌ２Ｏ３单晶光纤。作了显微观察，拍摄了透视照片，同时对其钛离子浓度进行了光谱定量分析．并研究了不同性质的气氛对Ｔｉ３＋：Ａｌ２Ｏ３单晶光纤的内部缺陷（气泡，散射颗粒等）、外部形貌、钛离子浓度的影响。