反应离子深刻蚀（RIE）技术的研究

本文概述了微机的发展前景和反应离子刻蚀技术在微机械研究中的应用。采用ＮＦ３ＴＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２混合气体，在平板型反应离子刻蚀仪上，对硅进行了反应离子深刻蚀的研究，获得了一批经验数据。     

汞希夫碱化合物载体电极的阴离子响应行为研究

汞希夫碱化合物为载体的ＰＶＣ膜电极表现出反Ｈｏｆｍｅｉｓｔｅｒ行为，其选择序列为Ｉ＾－〉ＮＯ＾－２〉ＣｌＯ＾－４〉ＳＣＮ＾－〉Ｂｒ＾－〉ＮＯ＾－３〉Ｓａｌ＾－〉Ｃｌ＾－〉ＳＯ＾２－４。电极在１０＾－２－１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ的浓度范围内对Ｉ＾－具有线性响应，斜率为５８．９ｍＶ／ｐＩ。该有响应性能不受测试底液中还原性稳定剂的影响。     

分析与评测

扩展定位音效艺片ＣＭＩ８７３８／ＰＣＩ－６ＣＨＨＲＴＦ Ｃ３Ｄ Ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ Ｐｏｓｉｔｉｏｎａｌ Ａｕｄｉｏｃｏｍ ＣｈｉｐＣ－Ｍｅｄａ５．１ＣＨ功能演示系统硬件： ＰＣ（８７３８ ６ＣＨ）－功放（Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ－５．１音箱 软件：４／６ＣＨ ＤＥＭＯ Ｖ２． ５ ＨＲＴＦ ３Ｄ 技术 １． ＨＲＴＦ 的来源和标准 ＨＲＴＦ ３Ｄ 来源及标准 ＨＲＴＦ是 Ｈｅａｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ的缩写,译为“头部相关传递函数”,最出名的就是 Ｓｅｎｓａｕｒａ的 ＨＲＴＦ ３Ｄ,而 Ｃ－ Ｍｅｄ…     

催化剂对固体电解质SO2气体传感器响应特性的影响

为了降低固体电解质ＳＯ２气体传感器的工作温度，提高传感器响应精度，制备了Ｐｔ－网，Ｐｔ－Ａｌ２Ｏ３小球，Ｐｔ－石棉和Ｖ２Ｏ５等催化剂，研究了这些催化剂对ＳＯ２＋１／２Ｏ２－ＳＯ３反应的催化活性，以及这些催化剂对固化电解质ＳＯ２气体传感器工作温度和响应性的影响。     

ICARCV＇96 FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON CONTROL，AUTOMATION，ROBOTICS AND VISION

ＩＣＡＲＣＶ＇９６ＦＯＵＲＴＨＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥＯＮＣＯＮＴＲＯＬ，ＡＵＴＯＭＡＴＩＯＮ，ＲＯＢＯＴＩＣＳＡＮＤＶＩＳＩＯＮ￥／／３－６Ｄｅｃｅｍｂｅｒ１９９６ＷｅｓｔｉｎＳｔａｍｆｏｒｄ，Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ，ＣＡＬＬＦＯ...     

如何在MS—DOS6.0下安装CCDOS2.13H

该文介绍了如何修改ＣＣＤＯＳ２．１３Ｈ的读虚拟盘字库程序ＦＩＬＥ３．ＣＯＭ，使２．１３Ｈ系统能够在ＭＳ－ＤＯＳ６．０下正确运行。     

玉米大斑病菌毒素的钝化反应及其机理研究

用１８种化合物对ＨＴ－毒素进行钝化反应试验，结果表明：代森锰锌、Ｎａ２ＭｏＯ４，ＮａＮＯ，ＺｎＳＯ４，ＫＭｎＯ４，ＫＩ及４种糖可钝化毒素，使其对玉米的毒性降低；而ＣｕＳＯ４，ＮａＣｌ，ＫＣＩ２Ｏ５，Ｈ２Ｏ２可使毒素毒性增强。毒素处理玉米叶片后细胞膜透性、细胞的Ｖｃ氧化酶，ＣＡＴ，ＰＡＬ，ＰＰＯ活性都发生了一定的规律性变化，而毒素中加入Ｈ２Ｏ２和代森锰锌可抑制或加强这种变化。     

氧化铁薄膜的制备及其对乙醇气体敏感特性的研究

本文报道了以ＦｅＣｌ３·６Ｈ２Ｏ为原料,用热水解法和渗析法制得纯净Ｆｅ（ＯＨ）３胶体后,用加热离心法将胶体涂覆于载玻上,在马弗炉中４００Ｃ下加热３．５小时来制取Ｆｅ２Ｏ３薄膜的方法。ＸＲＤ研究表明：膜层主国是由α－Ｆｅ２Ｏ３和γ－Ｆｅ２Ｏ３两种晶体混合而成。膜片电阻测试表明：常温下膜片即对乙醇气体敏感。     

客户/服务器应用程序的开发

以国税局税收征管系统接口程序为例，介绍了一种用 Ｖｉｓｕａｌ Ｆｏｘ Ｐｒｏ ５．０ 结合 Ｓ Ｑ Ｌ Ｓｅｒｖｅｒ ６．５，并借助 Ｏ Ｄ Ｂ Ｃ 开发客户／服务器应用程序的方法。当用户数据量很大时采用大型数据库及 Ｃ／ Ｓ模式开发的应用程序就具有更快的响应速度、更高的可靠性和保密性。     

PC散件价格传真(参考价)

（２００１年５月,上海）主板华硕ＣＵＢＸ－Ｌ／ＣＵＳＬ２／ＣＵＳＬ２－Ｃ ８７０／１２２０／１０５０元华硕 ＣＵＶ４Ｘ／Ｐ３Ｃ－Ｅ／Ｐ３Ｖ ８８０／１３６０／７３０元微星 ６１２０／６１５３／６３０９ＮＬ１００ ８５０／６８０／８００元微星 ６９４Ｄ ＰＲＯ／８１５Ｅ ＰＲＯ／８１５ＥＰ １１８０／１０５０／９４０元升技 ＳＥ６／ＫＴ７／ＫＴ７Ａ １０２０／９５０／９９５元技嘉 ６ＶＸ７－４Ｘ－Ａ／６ＶＸ７Ｂ－４Ｘ／６ＶＸＥ７＋ ８５０／９８０／６７０元技嘉 ＢＸ－Ｄ／ＢＸ－ＤＳ／ＢＸ２０００／ＢＸ２０００＋…     

RF MEMS开关在牺牲层工艺上的改进

通过对传统的RF MEMS开关采取在信号线上电镀桥墩、改进桥梁的形状以及在桥背面设计接触点的新颖方法,使得RF MEMS开关的下拉电压减小、开关时间缩短和可靠性提高.在工艺上,特别采用了对聚酰亚胺牺牲层进行全刻蚀和半刻蚀的改进加工流程来实现桥背面的接触点.测试结果表明:开关的下拉电压为28V,最低开关时间为0.8μs,开关寿命达7×105次,0～10GHz的插入损耗在0～0.5dB,隔离度为35～45dB.     

Pyrex 7740玻璃深刻蚀掩模研究

玻璃湿法深刻蚀掩模常采用低压化学气相沉积(LPCVD)多晶硅、Cr/Au金属层+光刻胶等,但往往会在玻璃中引入应力,影响后期应用(如阳极键合),而且Cr/Au金属层价格昂贵。为避免以上缺点,引入了SX AR—PC 5000/40保护胶+WBR2075干膜作为玻璃的刻蚀掩模,在HF︰NH4F,HF︰HCl,HF︰HCl︰NH4F刻蚀溶液中进行了大量实验。实验结果表明:SX AR—PC 5000/40抗腐蚀能力强,且成功实现了对Pyrex 7740玻璃131μm的深刻蚀。整个工艺过程与IC工艺兼容,可以进行圆片级批量加工。实验结果对圆片级封装和其他MEMS器件的制作有一定参考作用。     

碳化硅薄膜的ICP浅刻蚀工艺研究

选用SF6/O2 混合气体对等离子体增强化学气相淀积( PECVD)法制备的碳化硅( SiC)薄膜进行了浅槽刻蚀,并通过正交试验设计方法,研究了感应耦合等离子体( ICP)刻蚀技术中反应室压强、偏压射频( BRF)功率、O2 比例三个工艺参数对碳化硅薄膜刻蚀速率的影响及其显著性.实验结果表明:BRF功率对于刻蚀速率的影响具有高度显著性,各因素对刻蚀速率的影响程度依次为BRF功率>反应室压强>O2 比例,并讨论了所选因素对碳化硅薄膜刻蚀速率的影响机理.     

纳米梁的金硅原电池腐蚀和无损释放技术研究

采用金电极的硅纳米梁在通过HF湿法腐蚀SiO2牺牲层释放结构的时候会发生硅纳米梁被腐蚀现象,消除此效应对于纳米尺度梁制造非常重要:通过电化学工作站测量不同条件下金/硅在HF中的极化曲线和腐蚀电流,从定性和定量研究此腐蚀的原理和影响因素:金硅在HF中形成的原电池效应是此腐蚀的主要原因;改变金硅面积比和改变HF构成可以减缓...     

纳米厚度牺牲层腐蚀速率研究

通过大量的实验研究,建立了一套纳米量级牺牲层腐蚀行为的实验研究方法.对牺牲层厚度对腐蚀速率的影响进行了详细地研究,并得到了如下结论:当牺牲层厚度达到微米量级时,其腐蚀速率随着牺牲层厚度的增大而加快,但当其达到纳米量级时,由于固体表面存在的静电荷而产生双电层效应,这种效应对腐蚀速率的影响超过了牺牲层厚度的影响,最终使得腐蚀速率和牺牲层厚度无关.     

牺牲层二维腐蚀修正模型的研究

针对氢氟酸腐蚀氧化硅,深入研究了牺牲层腐蚀的原理。牺牲层腐蚀主要受扩散机制影响。把二维扩散方程中的扩散系数看作溶液浓度和温度的函数,建立了二维腐蚀修正模型。利用有限差分算法求解扩散方程,并使用C语言编程实现了对单开口、内外拐角等多种复杂组合结构腐蚀过程的模拟,使用MATLAB软件绘制腐蚀图形,最后将模拟结果与实验结果进行了对比,验证了模型的合理性。     

集成电路刻蚀过程三维建模与可视化技术研究

提出了一个新的、适合于三维条件下集成电路刻蚀过程的数学模型,并对其进行离散化处理,使它能够使用数字计算机进行刻蚀过程的仿真;同时研究了刻蚀过程的表面演化过程并给出了相关的数学模型;又研究了刻蚀模型仿真可视化技术的相关算法以及实现;最后给出了仿真结果并对其进行了讨论。     

微机械加工技术──等离子体刻蚀

简要介绍了利用等离子体刻蚀技术制作背面接点的离子敏场效应管（ISFET）和马赫—增德（Mach-Zehnder）干涉仪式压力传感器的方法．     

ICP工艺参数对刻蚀Pyrex玻璃影响的实验研究

影响ICP刻蚀的工艺参数包括反应室压力,偏置射频功率,氩气流量比率。通过正交试验的方法,以CHF3和Ar的混合物作为反应气体,利用电感耦合等离子体技术刻蚀Pyrex玻璃。并采用回归分析方法建立了二次回归方程模型描述腐蚀速率和三个因素之间的关系。实验结果表明,氩气的流量比率（总气体流量（CHF3+Ar）是恒定的）对刻蚀速率的影响最大,影响程度的主次顺序为氩气的流量比率,反应室压力,偏置射频功率。腐蚀速率和三个因素之间的数学表达式为：腐蚀速率=532.6800+2.0556×Ar+0.0127×（偏置射频功率）-0.9641×压力-0.0655×Ar2-0.0067×Ar×（偏置射频功率）+0.0217×（偏置射频功率）×压力-0.0504×（压力）2,实验结果证明数学拟合结果良好。