首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
给出了一种新颖的红外焦平面CMOS读出电路TDI功能的测试方法.该方法通过在电测试MOS场效应晶体管栅极施加不同波形的方波激励信号,观察输出电压波形的对应变化,验证TDI功能的信号延迟和累加操作是否正确.应用该方法实际测试了一款TDI型红外焦平面CMOS读出电路,各种激励模式下测试得到的输出波形均与预计的理想输出波形吻合,证明该测试方法可行,且简单、直观、有普适性.  相似文献   

2.
袁媛  岳冬青  刘晓磊 《激光与红外》2015,45(12):1488-1492
摘要:基于对具有TDI功能的红外线列读出电路工作原理的分析,通过改变电路的工作电流及工作时间进行低功耗设计,最后分别对优化前后的读出电路进行直流仿真,仿真结果显示优化后读出电路功耗较原始电路降低了49.5%,验证了低功耗设计方案的可行性。  相似文献   

3.
BBD结构红外焦平面CMOS_TDI读出电路   总被引:2,自引:0,他引:2  
温德鑫 《红外》2002,31(7):15-20
BBD(戽链器件)因能与标准CMOS工艺兼容而受到了人们的重视.许多人开始研究基于BBD结构的红外焦平面读出电路,即以BBD结构实现时间延迟和积分功能(CMOS_TDI).基于CMOS的读出电路驱动时钟简单,采用标准逻辑电源电压工作,与外界电路之间的接口方便;并且工作电压较低,使读出电路可以实现微功耗;可以将信号读取和处理电路、驱动与控制电路甚至A/D转换器、数字信号处理电路以及全数字接口电路等完全集成在一起,实现所谓的"智能型"红外焦平面;另外,由于采用标准的CMOS工艺,因而又具有低成本的特点.  相似文献   

4.
4×288 TDI CCD信号读出电路   总被引:1,自引:0,他引:1  
李仁豪  张坤 《半导体光电》2000,21(Z1):56-58
采用硅工艺设计、制作了4×288 TDI CCD红外焦平面HgCdTe阵列专用信号读出电路。文章详细介绍了4×288 TDI CCD信号读出电路的设计及制作,并给出了测试结果。  相似文献   

5.
设计了一款低噪声InGaAs焦平面读出电路.提出一种新型相关双采样电路结构,可在边积分边读出模式下有效抑制积分电容(0.15 pF)的KTC噪声.电路经0.5 μn5 V Nwell CMOS工艺流片,测试结果符合设计目标,在高帧频边积分边读出模式下工作状态良好,电路噪声约1.7×10-4V,动态范围大于80 dB.  相似文献   

6.
随着红外技术和探测器性能的进步,中波和短波红外技术在恶劣天气中具有更优秀的成像性能,在民用、军事和航空航天等领域中得到了越来越广泛的应用。读出电路作为连接探测器阵列与后级图像处理电路的关键模块,其性能对中短波红外相机系统性能具有重要影响,决定了最终的成像质量。文章综述了中短波红外图像传感器读出电路的发展现状,分析了读出电路中噪声、动态范围、帧频等问题,重点探讨了针对以上问题的解决方案。最后对读出电路未来设计的改进方向进行了讨论。  相似文献   

7.
红外焦平面探测器数字读出电路研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
刘传明  姚立斌 《红外技术》2012,34(3):125-133
读出电路是红外焦平面探测器组件的重要组成部分,其性能对探测器乃至整个红外成像系统的性能有重大影响.随着硅CMOS工艺的发展,数字化读出电路以及读出电路片上数字信号处理等功能得以实现,能够大幅度提高红外焦平面探测器的性能.以红外焦平面探测器对读出电路的要求入手,分析了读出电路各性能参数对红外焦平面探测器性能的影响,介绍了读出电路的数字化技术及各种实现方式以及数字积分技术.CMOS技术的发展使得数字积分技术在红外焦平面探测器读出电路中得以实现,有效解决了读出电路的电荷存储容量不足的问题,极大地提高了探测器性能.  相似文献   

8.
提出了一种快闪式红外焦平面阵列读出电路。采用改进的直接注入型单元电路,积分电容大小可选,能适应大范围的光背景条件,并且增加了图像变换(倒置/反转)功能。一款128×128阵列的读出电路已经基于标准0.5μmCMOS工艺实现,整体芯片的面积为8.0mm×8.5mm。实测结果表明,此读出电路具有良好的光电转换能力,同时具有功耗低、输出摆幅大、动态范围大等优点。  相似文献   

9.
Malco.  P 《红外》1996,(12):24-29
本文介绍一种用于集成热电红外传感器的低噪声多速率开关电容器读出电路,其应用对对象是一种被支轼入侵探测器,在这种特殊的情况下,由传感器产生的信号非常小(数十微伏)其带宽也很窄(0.1-10Hz)必须对这种信号进行放大(保持尽可能低的噪声电平)和滤波,所推荐的方法是一个自动调零的低噪声跨导极,其后面是一个多速率开关电容器的积分器,跨导体把传感器的输出电压转换成电流,然后由积分器对电流进行处理,所推荐的  相似文献   

10.
大规模TDI线列型读出电路在测试中普遍发现建立时间不足,并且,测试结果和仿真结果存在较大差异。读出电路在设计仿真时已充分考虑了电路内部压降、线上阻容寄生的影响以及其他负载效应,但是,在测试中发现,实际电路建立时间是仿真建立时间的2倍,甚至更长。理论上,在应用频率不高的情况下,仿真结果和测试不会出现太大误差。本文针对这一现象,通过大量实验和仿真验证,最终确定线列电路输出级布局布线是造成该问题的关键点所在,通过优化版图提高TDI线列型读出电路的建立时间至1.38 V/30 ns。  相似文献   

11.
数字化红外焦平面探测技术作为第三代红外焦平面技术成为近年来被研究的热点.本文提出了一种将像素级数字化技术与TDI技术相结合的红外焦平面读出电路,使得电路实现大动态范围的同时满足低功耗设计.文中在0.18μm CMOS工艺模型下,对电路进行设计仿真,该读出电路电荷处理能力可达到5.04 Ge-,动态范围最高达到101.5...  相似文献   

12.
高性能的信号读出电路是微光CMOS图像传感器的重要组成部分,如何降低读出电路噪声,提高读出电路输出信号的信噪比成为读出电路设计的重点。本文设计了一种高增益低噪声的电容反馈跨阻放大器CTIA(Capacitive Trans impedanceAmplifier)与相关双采样电路CDS (Correlated Double Sampling)相结合的微光探测器读出电路。在CTIA电路中,采用T网络电容实现fF级的积分电容,并通过增益开关控制,来达到对微弱光信号的高增益低噪声读出。采用CSMC公司的0.5μm标准CMOS工艺库对电路进行流片,测试结果表明:在光电流信号为20~300 pA范围内,积分时间为20μs,该电路功能良好,信噪比(SNR)达到10,能应用于微光CMOS图像传感器。  相似文献   

13.
吴其松  杨海钢  尹韬  张翀 《半导体学报》2009,30(7):075011-6
本文介绍了一种高精度CMOS微弱电流读出电路。该电路能够将十分微弱的电流信号精确地转化为频率信号以用于电流的测量,并将结果转化为10位数字信号输出。本设计提出了一种快速的稳定增强型恒电位仪,该恒电位仪能为安培型生化传感器提供恒定的偏置电压。电路中还采用了源极电压转移技术,在室温条件下,该技术能使MOS管的漏电流降低到反向偏置二极管的漏电流水平,大大提高了电流检测的精度。该芯片采用了新加坡特许半导体公司0.35μm标准CMOS工艺,电源电压3.3V。该读出电路具有超过100dB的大动态范围,能够精确地检测出从1pA到300nA的电流,且全量程范围内非线性误差不超过0.3%。  相似文献   

14.
Wu Qisong  Yang Haigang  Yin Tao  Zhang Chong 《半导体学报》2009,30(7):075011-075011-6
rents from 1 pA to 300 nA can be detected with a maximum nonlinearity of 0.3% over the full scale.  相似文献   

15.
二极管非制冷红外探测器及其读出电路设计   总被引:2,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
针对非制冷红外技术的低成本高性能应用,提出了基于SOI的二极管红外探测器及其读出电路的集成设计方案。阐述了二极管非制冷红外探测器的基本原理和工艺实现。对探测器的电学特性进行理论推导,得出读出电路的设计指标。采用连续时间自稳零电路结构实现探测器输出信号的低噪声低失调放大,采用级联滤波器以减弱开关非理想因素的影响,并采用片内电容采样保持,使得I/O引脚数较少,从而减小版图面积。采用spectre工具进行仿真,在CSMC 0.5 m 2P3M CMOS工艺下实现。结果表明:读出电路性能良好,闭环增益为65.8 dB,等效输入噪声谱密度为450 nV/Hz,等效输入失调电压100 V以内,功耗为5 mW,能实现探测器信号的准确读出。  相似文献   

16.
使用红外探测器及读出电路,研制成功非制冷红外探测系统.探测器用二极管作为温度传感器,使其与集成电路工艺相兼容.采用了新的器件结构,使得填充因子从20%提高到80%.器件的微机械结构面积为35μm×35μm.读出电路的失调电压为3μV.探测器的输出噪声为2μV.探测器的电压响应率为7 894.7 V/W,黑体探测率D*为1.56×109cmHz1/2/W,噪声等效温差为330 mK,响应时间为27 ms.  相似文献   

17.
红外焦平面读出电路辐射特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
红外焦平面阵列在宇宙空间中使用时,受到各种辐射导致性能退化甚至功能失效。作为红外焦平面阵列的重要组成部分,CMOS读出电路受到各种辐射主要体现为电离辐射效应。通过对红外焦平面CMOS读出电路进行空间模拟辐射实验后,测试读出电路的功能以及性能参数,研究了辐射对读出电路的影响。实验结果为红外焦平面CMOS读出电路的抗辐射设计提供了参考依据。  相似文献   

18.
袁媛  王静  李冬冰 《激光与红外》2019,49(6):714-719
随着红外焦平面技术的不断发展,红外焦平面探测器应用领域越来越广泛,这对红外焦平面探测器灵敏度提出更高的要求。本文首先分析了传统TDI型读出电路的降噪原理,通过仿真、测试及理论分析论述了传统TDI型读出电路提高红外探测器灵敏度的局限性,并计算出传统TDI型红外探测器所能实现的最优NETD值为4.19 mK。随后分析了像素级数字化TDI型读出电路的噪声来源及如何降低各类噪声,通过仿真结果结合理论计算得出像素级数字化TDI型红外探测器在应用32级TDI时NETD可达到亚毫K级,能够实现甚高灵敏度红外探测器的需求。  相似文献   

19.
周杨帆  谢亮  夏晓娟  孙伟锋 《激光与红外》2009,39(11):1219-1222
介绍了一种具有分时背景抑制功能的单元电路,该单元电路适合于大规模2D红外焦平面阵列.在减电流电路设计中,自级联管采用长沟道设计,工作在强反型区,各单元电路的减去电流不易受到工艺偏差的影响,有效地降低了具有分时背景抑制功能的单元电路间的背景抑制非均匀性(BSUN).在背景电流为100 nA,积分时间为2.7 ms,减去电流为3.28 μA,构成自级联管的两个晶体管阈值电压的最大失配均为10 mV时,具有分时背景抑制功能的单元电路间的BSNU为3.310%.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号