共查询到18条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
鉴于SiC材料具有很强的稳定性以及湿法刻蚀的种种缺点,目前主要使用干法刻蚀来刻蚀SiC材料。但是干法刻蚀后样品表面的粗糙度对器件的性能有一定的影响。针对这一问题,采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀技术,对SiC材料进行SF6/O2混合气体和SF6/CF4/O2混合气体的刻蚀,并且探究了压强、ICP功率和混合气体比例对样品表面粗糙度的影响。实验结果表明使用SF6/O2混合气体刻蚀后,样品的表面平整度较好。在一定RIE功率条件下,当ICP功率为700 W、压强为20 mT和SF6/O2为50/40 sccm时,样品表面的粗糙度最小。 相似文献
6.
7.
4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对于栅挖槽的4H-SiCMESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀,界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要。反应离子刻蚀的SiC表面平滑度不是很好,刻蚀损伤严重。选择合适的RIE刻蚀条件减小刻蚀对半导体表面的损伤;利用牺牲氧化改善刻蚀后的表面形貌,进一步减小表面的刻蚀损伤。工艺优化后栅的肖特基特性有了明显改善,理想因子接近于1。制成的4H-SiCMESFET直流夹断特性良好,饱和电流密度达到350mAmm。 相似文献
8.
金薄膜的反应离子刻蚀工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用反应离子刻蚀(RIE)工艺对金薄膜进行了干法刻蚀研究,得到了刻蚀速率随两极间偏压、气体压强和气体成分等因素变化的规律。试验结果表明,刻蚀速率随偏压的增加而增大;当压强增加时,刻蚀速率先增加后减小;不同种类的气体对刻蚀速率影响较大;刻蚀时间与刻蚀厚度在一定范围内成正比。另外,找到了控制刻蚀过程均匀性和选择比的方法。 相似文献
9.
采用反应离子刻蚀(RIE)技术,对EPG 535光刻胶和碲锌镉(CZT)基体刻蚀工艺进行研究,采用原子力显微镜(AFM)法测试CZT基体刻蚀前后的表面质量,探讨了EPG 535光刻胶刻蚀速率和CZT基体表面粗糙度的影响因素。结果表明,当RF功率为60 W、氧气气压为1.30 Pa、氧气流量为40 cm3/min,光刻胶达到最大刻蚀速率;随着RF功率降低,刻蚀后CZT基体的表面粗糙度降低。实验优化的刻蚀参数为:RF功率40 W、氧气气压1.30 Pa、氧气流量40 cm3/min。 相似文献
10.
11.
本文提出了一种适用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀(RIE)速率模型。模型的建立采用统计数学方法,结合较少次数的实验。该模型精度高,实用性强。对CF_4/O_2刻蚀二氧化硅和SF_6/O_2刻蚀掺磷多晶硅的实验表明,模型精度达到5%。该模型植入刻蚀模拟器后能使亚微米刻蚀模拟的精度,提高到一个新的水平。 相似文献
12.
在Tegal1512e反应离子刻蚀(RIE)设备上,利用Cl_2和SiCl_4为主要刻蚀气体,进行了AlSi0.8%-Cu2%的RIE工艺研究,详细讨论了影响工艺的诸多因素,涉及AlSiCu材料本身结构的差异,RIE工艺各参数,后处理等许多方面;给出实用化的工艺程序;最小加工线宽达到2μm,体刻蚀速率达870nm/min,均匀性±5%,线宽损失小于10%,对热氧化SiO_2的刻蚀选择比为4∶1,对AZ1450J正性抗蚀剂的刻蚀选择比大于1.8∶1;该工艺使用效果良好,达到实用化水平。 相似文献
13.
GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究 总被引:1,自引:2,他引:1
采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°. 相似文献
14.
采用BCl3和Ar作为刻蚀气体对GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制.实验结果表明:在同样条件下GaAs刻蚀的速率高于DBR和AlAs,在一定条件下GaAs刻蚀的刻蚀速率可达400nm/min,AlAs的刻蚀速率可达350nm/min,DBR的刻蚀速率可达340nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌,同时能够形成陡直的侧墙,侧墙的角度可达85°. 相似文献
15.
16.
17.
本文对反应离子镀和反应蒸发(电子束蒸发)工艺制备的光学薄膜的牢固度和表面粗糙度进行了检测,并将结果进行对比。 相似文献