SrTiO3基陶瓷的介电谱研究

采用标准的固相反应法制备成０．９１（Ｓｒ０．８４Ｐｂ０．１６）ＴｉＯ３＋０．０９（Ｂｉ２Ｏ３·３ＴｉＯ２）介电陶瓷（缩记为ＳｒＴｉＯ３基陶瓷），并详细地研究了此种陶瓷的介电谱，即介电温度谱和介电频率谱。由介电谱确定了此种陶瓷的结构相变、居里温度、介电弛豫频率和介电弛豫时间，并对它们进行了讨论。     

CeO2掺杂的SrTiO3陶瓷的介电性质

SrTiO_3陶瓷是一种具有多功能特性的介质材料:用CeO_2掺杂改性的SrTiO_3陶瓷,可以提高其介电常数和降低介质损耗,对其介电温度特性和介电频率特性也有明显的改善。本文主要报道CeO_2对SrTiO_8陶瓷介电性质的影响。     

La2O3掺杂的SrTiO3陶瓷的介电性质

SrTiO_3陶瓷是一种具有多功能特性的介质材料。用La_2O_3掺杂改性的SrTiO_3陶瓷,可以提高其介电常数和降低介质损耗,对其介电温度特性和介电频率特性也有明显的改善.本文主要报道 La_2O_3对SrTiO_3陶瓷介电性质的影响。     

用于高压电容器的SrTiO3基陶瓷

报道ＳｒＴｉＯ３基陶瓷的制备方法和介电性质，给出了用此种陶瓷制成的高压电容器的试验结果，并对它位进行了讨论。     

SrTiO3为基的介质陶瓷的结构与介电性质

本文主要研究0.91(Sr_(0.84)Pb_(0.16))TiO_(?) 0.09(Bi_2O_3·3.5TiO_2)介质陶瓷的结构与介电性质。用扫描电镜和 X 射线衍射分析表明,此种材料在室温下为顺电立方相,具有晶粒小且均匀、致密度高等特点。介电测量表明,在10kHz～90MHz 范围内样品的介电常数ε′基本上保持不变,而介电常数ε″随频率的增加而平坦地增大。     

Y2O3掺杂BaTiO3陶瓷的介电特性

讨论了掺杂Ｙ２Ｏ３的ＢａＴｉＯ３陶瓷的介电特性，并计算了晶粒电阻、晶界电阻、晶界宽度和晶界势垒高度，也讨论了在掺Ｙ２Ｏ３材料中加入少量Ｌｉ２ＣＯ３对材料微观结构与宏观性能的影响。     

钛酸锶的宽频带介电谱

利用计算机自动控制的超低频介电谱测量装置和HP4192A阻抗分析仪，在10^-4Hz～10^5Hz宽这九个数量级的范围内测量了钛酸锶陶瓷的频域介电谱。其频域复介电常数可很好地拟合为两项之和。其中超低频项来自于晶界间空间电荷运动的贡献，高频项来自于晶粒内部空间电荷运动的贡献。高频项复介电常数的实部在频率增大时变为负值，这说明介电谱用频域方法来描述是有缺陷的，其测量结果无法用传统的介电极化加以解释。     

二元系Pb（Zn1／3Nb2／3）O3—Pb（Fe2／3W1／3O）3电容器陶瓷的介电性质

目前,制备 Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3(PZN)基陶瓷电容器,最主要的问题是形成有害于介电性质的焦录石相。实验表明,固相反应法很难合成钙钛矿结构的 PZN 陶瓷,于1000℃经固相反应的产物是含立方焦录石的混合物。在 PZN 中添加0.53mol 的 Pb(Fe_(2/3)W_(1/3))O_3(PFW),试样中的钙钛矿相超过97%。通过对 PFW 结晶化学和烧结机理的分析,证明在 PZN 中添加 PFW 能减少或抑制焦录石的形成。本文报导了 PZN-PFW 二元系陶瓷的相关系和介电性质,探讨了钙钛矿相的形成机理。     

BaTiO3/SrTiO3多层膜的制备及其介电性质

采用脉冲激光沉积法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了BaTiO3／SrTiO3(BTO／STO)多层膜。XRD结果表明：多层膜呈现出明显的(110)择优取向,与Ba0.5Sr0．5TiO3单层膜相比,多层膜的相对介电常数得到了明显的增强,而介电损耗仍然保持在较低的水平。室温下频率为10kHz时,BTO／STO(n=6)多层膜的相对介电常数为506,而介电损耗仅为0．033。薄膜的C-V特性研究表明：多层膜呈现出较好的电容调谐度。     

BYPT压电陶瓷的结构与介温特性研究

采用传统固相反应法,制备了(1-x)BiYbO3-xPbTiO3(x=0.95、0.90、0.85、BYPTx)压电陶瓷。XRD衍射图谱分析表明,在烧结温度为1150℃保温时间为2h的条件下,BYPTx陶瓷为纯钙钛矿结构,并具有较大的四方畸变度,c/a约为1.06。XRD衍射图谱分析还表明BiYbO3与PbTiO3固溶度不超过15%。BYPTx陶瓷的介温曲线显示其居里温度高达Tc=580℃,但BYPTx陶瓷的压电性能较弱,d33≈20pC/N。     

高介电陶瓷材料在油品介电精制方法中的应用

目前对于介电材料的研究与应用一般集中于电子产品及其相关领域，高介电陶瓷材料应用于油品精制领域还是一个新的尝试。首先简要介绍了介电力学精制工艺装置，并重点讨论了介电陶瓷在其中的应用及基本原理，最后选用几种不同介电常数的介电陶瓷材料在装置中进行了实验，实验证明，高介电陶瓷材料对油品有较好的精制效果，并且对于所选用的几种介电材料而言随着介电常数的增加精制效果也提高。     

生长温度对PLD原位生长SrTiO3薄膜结构与非线性介电性能的影响

采用脉冲激光沉积法 ( PLD ) 制备的Y1B2Cu3O7-x薄膜作为叉指底电极,然后生长 SrTiO3介质薄膜,形成叉指型压控电容结构。通过对 SrTiO3薄膜的原位生长温度与薄膜微观结构及非线性介电性能之间的关系研究,发现随生长温度的升高薄膜晶粒逐步增大然后变小,薄膜的介电常数可调率和本征介电损耗随晶粒大小的增大而增加,而非本征损耗则随晶粒取向的增加而减小。     

钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3)陶瓷制备及其介电性能的研究

采用乙酸钡、乙酸锶和钛酸丁酯为原料的溶胶凝胶方法制备了BaxSn1-xTiO3(x=0．6)超细粉体,将BST超细粉体压制成型,进行烧结,得到(Ba0.6Sr004)TiO3陶瓷。通过热分析(DSC／TG)、X射线衍射(XRD)分析(Ba0.6Sr0.4)TiO3粉体合成过程及其相结构变化。采用扫描电子显微镜(SEM)描述(Ba0.6Sr0.4)TiO3烧结体的相结构和显微组织结构变化。阻抗分析仪测量(Ba0.6Sr0.4)TiO3陶瓷的-50～100℃介电温谱。实验结果表明BaxSn1-xTiO3粉体的相结构为立方相钙钛矿结构,其合成温度及烧结温度分别为800℃及1250℃,均低于传统工艺的相应温度。(Ba0.6Sr0.4)TiO3陶瓷在-50～100℃温度范围内,其电容率随着烧结温度升高而增大.介电损耗tgδ在-50～100℃温度范围内,随温度的增加而降低。1250℃的(Ba0.6Sr0.4)TiO3陶瓷烧结体样品存在介电峰弥散化。     

溶胶凝胶法制备钛酸锶钡(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷及其介电性能的研究

采用硝酸钡、硝酸锶、钛酸丁酯和柠檬酸为原料的配合物溶胶凝胶方法制备了(Ba1-xSrx)TiO3(BST)陶瓷.实验结果表明,BST粉体合成温度及烧结温度分别为700及1250℃,均低于传统工艺的相应温度. Sr含量x≥0.40,(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷的相结构为立方钙钛矿相;Sr含量x＜0.40,(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷的相结构为四方钙钛矿型. (Ba1-xSrx)TiO3(0.5≤x≤0.70)陶瓷的电容率随温度变化曲线,说明存在由铁电四方相到顺电立方相的相变.且随锶(Sr)的摩尔量x的增加,(Ba1-xSrx)TiO3陶瓷样品的相变温度向低温方向移动,相变温度Tc的移动关系为Tc=394.1-272.6x(K).     

非化学计量比巨介电CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷研究

采用固相反应法制备了不同化学计量比的CaCu3Ti4O12(简称CCTO)陶瓷。当Ca、Cu、Ti的原子摩尔比为1.08∶3.00∶4.44时,获得了相对介电常数在1kHz下高达4×105(1kHz)的巨介电CCTO陶瓷,其介电常数比标准化学计量比CCTO陶瓷高约一个数量级。结合XRD、SEM、EDX等分析表征结果,对巨介电常数的物理机理进行了探讨。     

微波介质陶瓷的介电损耗研究进展

综述了微波介质陶瓷介电损耗理论与实验研究的最新进展,讨论了陶瓷体系中气孔、第二相、杂质等微结构对介电损耗的影响,介绍了远红外光谱-阻尼谐振子模型在介电损耗研究中的应用以及双声子过程或多声子过程对介电损耗的贡献,并对微波介质陶瓷研究的发展做了展望.     

B位Cr替代对BiFeO3介电特性的影响

采用传统的固相反应法制备了BiFe1-xCrO3（x=0，0．01，0．1,0．3，0．5）系列陶瓷样品，运用X射线衍射仪对样品进行结构分析发现，随着Cr含量的增加BiFeO3的微观结构发生了改变；利用HP3458A型万用表在室温下测量样品的电阻率随Cr含量的变化关系发现适当的Cr替代可以在一定程度上提高样品的电阻率；室温下利用HP4294A型阻抗分析仪在100Hz～100kHz的频率范围内测试样品的介电性能随频率的变化关系，结果表明介电常数岛随着Cr替代量的增加先增大然后又减小，而tanδ则随着Cr替代量的增加出现了较为复杂的变化．