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制备参数和退火对a—C:H膜光学性质的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文主要研究了制备参数和退火对a-C:H膜的光学性质的影响。得到了样品的吸收系数、光学带隙和带尾宽度等反映a-C:H膜电子能带结构的物理参数。 相似文献
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氩离子轰击对射频溅射法制备的a-SiC∶H膜退火形成6H-SiC的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
本文对射频溅射法淀积的a-SiC∶H膜热退火形成6H-SiC相进行了研究.我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和X光衍射谱来研究退火形成6H-SiC的过程.在较高的射频功率下淀积的a-SiC∶H膜经800℃60分钟等时退火后转变为6H-SiC相,该温度低于在低功率下制备的a-SiC∶H形成6H-SiC的温度(1000℃).高功率可导致6H-SiC形成温度的降低与膜中硅及石墨团簇的消失,同时高能量的氩离子轰击可使膜中氢含量减少及各组分均相.通过改变射频功率,本文研究了氩离子轰击对a-SiC∶H膜及形成6H-Si 相似文献
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采用PECVD技术在P型硅衬底上制备了a-SiOx:H/a-SiOy:H多层薄膜,利用AES和TEM技术研究了这种薄膜微结构的退火行为,结果表明:a-SiOxL:H/a-SiOy:H多层薄膜经退火处理形成nc-Si/SiO2多层量子点复合膜,膜层具有清晰完整的结构界面,纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构,颗粒大小随退火温度升高而增大小随退火温度升高而增大,在一定的实验条件下,样品在650℃下退火可形成尺寸大 相似文献
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用椭圆偏振光谱法研究了热处理对射频辉光放电淀积的氢化非晶碳膜光学性质的影响。结果表明,500℃温度退火使氢化非晶碳膜的光学性质发生明显改变:折射率在短波端下降而在长波端上升,消光系数、吸收系数和反射率都随退火温度的增加而逐渐增加,而光学能隙则逐渐下降。对这些结果进行了初步讨论。 相似文献
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采用磁控溅射法,在衬底温度300 ℃制备CdS薄膜,并选取370 ℃、380 ℃、390℃三个温度退火,获得在干燥空气和CdCl2源+干燥空气两种气氛下退火的CdS薄膜.通过研究热处理前后CdS薄膜的形貌、结构和光学性能表明,CdS薄膜在干燥空气中退火,晶粒度、表面粗糙度和可见光透过率变化不明显,光学带隙随退火温度的升高而增大; 在CdCl2源+干燥空气中退火,随退火温度的升高发生明显的再结晶和晶粒长大,表面粗糙度增大,可见光透过率和光学带隙随退火温度的升高而减小.分析得出: 上述性能的改变是由于不同的退火条件对CdS薄膜的再结晶温度和带尾态掺杂浓度改变的结果. 相似文献
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用光热偏转谱拟合计算研究非晶硅缺陷态及其稳定性 总被引:1,自引:0,他引:1
通过光热偏转谱(PDS)研究了衬底温度对用超高频辉光放电(VHF-GD)制备的a-Si:H光学特性的影响,考虑了电子在缺陷态的相关统计,数字拟合各样品在不同亚稳状态下PDS次带吸收谱(0.8 ̄1.7eV),获得带尾态,光能隙,缺陷态分布及相关能等电子态结构参数。结果表明,缺陷态分布随光照时间向能隙深处移动,相关能增加,在电中性条件下,用迭代法求出费米能级与电导率,与实验结果吻合较好,分析讨论所用计 相似文献
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本文从a-Si:H的材料特性出发,采用更为精确的a-Si:H带隙态分布模型计算了a-Si:HCCD的转移特性,得出了a-Si:H材料参数对a-Si:HCCD的动态性影响的数值分析结果,理论结果表明,a-Si:H材料带隙中局域态分布对a-Si:HCCD的转移特性有非常大的影响,而且在高频下,a-Si:H中的带尾态对a-Si:HCCD转移特性的影响比深局域态要大。 相似文献
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氩离子轰击对射频溅射法制备的a—SiC:H膜退火形成6H—SiC的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
本对射频溅射法沉积的a-SiC:H膜热退火形成6H-SiC相进行了研究。我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和X光衍射谱来研究退火形成6H-SiC的过程。在较高的射频功率下沉积的a-SiC:H膜经800℃60分钟等时退火后转变为6H-SiC相,该温度低于在低功率下制备的a-SiC:H形成6H-SiC(1000℃)。高功率可导致6H-SiC形成温度的降低与膜中硅及石墨团簇的消失,同时高能量的氩离子轰击 相似文献
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用C2H2-N2射频等离子体化学气相沉积法在单晶硅、锗衬底上沉积了无定形碳化氮膜(a-C:N)。通过改变反应气中氮气分压,得到不同掺氮含量的a-C:N膜,该膜的显微硬度高达3900kg.f/mm2。电阻率和掺氮量随反应气氛中氮分压的升高而增加。XPS分析表明,a-C:N膜中可能存在三种不同的C-N键合状态,键能分别位于401.0eV、399.0eV和398.0eV,红外吸收谱分析表明掺入的氨是以化学键的形式存在于膜中。 相似文献
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用新的催化CVD法在约350℃的低温条件下研制出了a-Si薄膜。本文是利用催化剂,使SiH和H2混合气体在一定温度下反应而裂解,在衬底上沉积a-Si薄膜。所制出的a-Si膜膜具有良好的光电特性,光电灵敏度超过10^6,电子自旋密度约2.5×10^6cm^-3。 相似文献
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固体C_(60)/p-GaAs异质结的整流特性和界面电子态 总被引:2,自引:0,他引:2
我们将C60膜淀积在p-GaAs〈100〉衬底上,做成了固体C60/p-GaAs异质结并对其电学性质做了研究.异质结的理想因子接近于1,在偏压为±1V时,其整流比大于106倍.在正向偏压固定的情况下,结电流的对数与温度倒数成线性函数关系,从关系中求出异质结有效势垒高度为0.63eV.用深能级瞬态谱(DLTS)技术在C60/p-GaAs界面上观测到一个空穴陷阱,其能级为GaAs价带之上0.45eV,密度为2.4×1011/cm2.这样少的界面态存在于C60/p-GaAs界面上可能意味着C60膜对GaAs表面 相似文献