微波功率管测量的微波辐射分析与防护

该文介绍了微波辐射防护的理论知识和安全标准,以及微波功率管测量系统的配置和测量流程。对测量系统的微波电磁辐射进行了分析,列举了在微波功率管测试工作中采取的一些防护措施和测评结果,阐述了使用程控化测量系统对微波辐射防护的益处。     

微波功率管特征参数测试

由于大功率全固态电子设备在体积、性能和可靠性方面的优势,微波功率管将逐步取代行波管在雷达发射机中的核心地位。随着微波功率管的大量应用,正确的测试和评价功率管性能已经显得迫切。微波功率管的特性参数包括直流和射频两部分,直流参数包括:反向击穿电压、反向漏电流和直流增益;射频参数包括:输出功率、增益、顶降、集电极效率、反射系数、1 dB过激励输出功率和抗适配等。文中对微波功率管的特征参数先从理论上阐述,然后结合DC和RF测试平台详细描述了各个特征参数的测试,得出测试结果,并对测试结果进行分析。     

硅微波功率管键合失效机理分析

硅微波功率管在生产过程中随机发生大量的键合失效。分析表明,这种硅功率管管芯的焊盘与有源区的连接处介质层容易在键合过程中因为受到金丝的振动冲击而毁坏,因此键合完成后镀金层与介质层无法完整粘合,从而造成微调金丝弧度时发生键合失效。通过加厚焊盘镀金层,避免了金丝对介质层的冲击,提高了硅功率管的键合质量及成品率。     

具有在片稳定网络的GaAs HBT微波功率管

采用GaAs标准MMIC工艺制作了具有片上RC并联稳定网络的InGaP/GaAs HBT微波功率管单胞.依据K稳定因子,RC网络使功率管在较宽的频带内具有绝对稳定特性.Load-pull测试表明RC网络没有严重影响功率管的大信号特性,在5.4GHz饱和输出功率为30dBm,在11GHz 1dB压缩点输出功率大于21.6dBm.功率合成电路验证了该功率管具有高稳定性,非常适合制作微波大功率HBT放大器.     

具有在片稳定网络的GaAs HBT微波功率管

采用GaAs标准MMIC工艺制作了具有片上RC并联稳定网络的InGaP/GaAs HBT微波功率管单胞.依据K稳定因子,RC网络使功率管在较宽的频带内具有绝对稳定特性.Load-pull测试表明RC网络没有严重影响功率管的大信号特性,在5.4GHz饱和输出功率为30dBm,在11GHz 1dB压缩点输出功率大于21.6dBm.功率合成电路验证了该功率管具有高稳定性,非常适合制作微波大功率HBT放大器.     

砷化镓PHEMT功率管高温加速寿命试验研究

通过解决温度提升、温度稳定控制、寄生振荡抑制等关键问题,使砷化镓PHEMT功率器件的高温加速寿命试验得以实施。经过2 832h试验,三个分组的样品均出现了失效。对样品的失效模式与机理进行了分析,并确定了失效原因。对试验数据进行分析得到了该器件的寿命分布与寿命加速特性,并对分析结论进行了验证。     

1.4GHz模拟小微波传输质量的改善

湖南经济电视台(以下简称湖南经视)的节目是通过数字微波及模拟微波进行县级有线网络覆盖的,本文介绍的就是湖南省娄底市冷水江市(县级市)有线网络中湖南经视信号系统的改善.     

GaN HEMT微波功率管直流和射频加速寿命试验

分别选用南京电子器件研究所研制的1.25mm栅宽GaN HEMT和12mm栅宽GaN功率管,对小栅宽器件进行三温直流加速寿命试验,评估其直流工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率为1.86×10-9/h;对大栅宽器件进行脉冲射频加速寿命试验,评估其射频工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率小于1.02×10-7/h。     

反射速调管微波振荡源不稳定分析

本文通过用电场和电子运动方程，分析反射速调管作为微波振荡源，为什么其加速极电压或反射电压波动，会引起振荡源工作不稳定。     

数字微波与模拟微波传输特性的异同性比较

如何应用已掌握的模拟微波的传输规律,正确区分数字微波与模拟微波传输特性上的异同性,对于科学地掌握数字微波传输技术具有重要的现实意义。     

微波功率晶体管的发展与分析

本文阐述了国内外硅双极微波功率晶体管和砷化镓微波功率场效应晶体管的发展历史和现状,并分析了微波功率晶体管的发展特点。介绍了HBT,HFET,MISFET,金刚石、SiC电子器件,真空微电子器件等用于或将用于微波、毫米波功率领域中的情况。提出了发展微波功率晶体管的几点想法。     

220GHz高功率微波信号源的设计与仿真

本文通过理论分析与数值模拟相结合的方法对220 GHz高功率微波信号源进行了设计与仿真。研究表明,在120 kV注入波电压、4.0 T引导磁场条件下,模拟得到了4.8 MW的信号功率输出,工作频率高于220 GHz。同时,器件输出性能可由注入电压波幅度及外加引导磁场强度调节。     

全离子注入双极硅微波晶体管E-B结低、软特性浅析

通过全离子注入双极硅微波晶体管研究中出现的E-B结特性软、低击穿和β变小等现象,从理论上给以浅析,同时,指出了设计和工艺上改进的措施。     

微波功率模块微波特性的研究

集成固态/真空电子技术的微波功率模块(MPM)是新一代电子武器装备的"超级微波元器件".文中对MPM微波特性进行了研究,由于行波管(TWT)良好的色散特性,使MPM具有宽频带和功率、带宽乘积的优点;又由于固态放大器(SSA)低噪声性能,使MPM具有低噪声特性;高稳定的集成电源(IPC)决定了MPM具有低相位噪声与低杂散的频谱特性,合理的增益分配也使得MPM具有良好噪声特性.文中具体分析了集成电源(IPC)性能对频谱特性的影响,SSA与TWT噪声特性、增益分配对MPM噪声特性的影响,MPM幅相一致性和功率合成效率问题,并给出了仿真曲线,通过对某X波段MPM微波特性测试,验证了MPM优越的性能,也充分表明了MPM具有广泛的应用前景.     

总剂量辐射对硅双极和MOS器件性能的影响

对比研究了总剂量辐射对硅微波功率双极器件、LDMOS器件、VDMOS器件以及常规功率VDMOS和抗辐射加固功率VDMOS器件电性能的影响,并分析了辐射后器件性能变化的原因,为抗辐射加固方法的改进和优化提供了基础。     

低电压高效率非晶硅发射极异质结UHF功率晶体管

本文报道了利用重掺杂氢化非晶硅作宽禁带发射极材料的低电压硅异质结UHF功率晶体管的实验结果.制备的器件在9伏电压、工作频率470MHz下,输出连续波功率4W,功率增益8.2dB,集电极效率72％.在迄今有关非晶硅发射极HBT的报道中。这是首次详细报道可工作于UHF频率的低电压非晶硅发射极异质结功率晶体管.文中还讨论了这种异质结构的低压功率器件的设计和制备应考虑的一些问题,并提出一些解决办法.     

微波相关器散射参数推导与MATLAB仿真

运用矩阵代数分析方法,推导了由功分器、定向耦合器和延迟线组成的微波相关器在忽略各部件互连传输线情况下的散射参数表达式,形式简明,物理概念清晰。结合S参数表达式利用Matlab数值计算,全面分析了功分器输出幅度、相位不一致,定向耦合器耦合度变化、直通端和耦合端相位差非90°等情况对微波相关器鉴相带来的影响,为分析设计微波相关器提供了参考。     

微波功率SiGe HBT研究进展

Si的热导率比大部分化合物半导体(如GaAs)的热导率高,SiGe HBT在一个较宽的温度范围内稳定,SiGe HBT的发射结电压VBE的温度系数dVBE/dT比Si的小,双异质结SiGe HBT本身具有热-电耦合自调能力,所加镇流电阻可以较小,所有这些使SiGe HBT比GaAs HBT和SiBJT在功率处理能力上占一定优势。文章对微波功率SiGe HBT一些重要方面的国内外研究进展进行评述,希望对从事微波功率SiGe HBT的研究者有所帮助。     

一种宽频带低功耗的数字式微波频率合成器

本文介绍的数字式微波频率合成器,采用直接分频锁相方式,使压控振荡器和分频器直接工作在微波频段。其突出特点是输出频率范围宽(750～950MHz),频率稳定度高(-25℃～+50℃内,优于1×10~(-5)),功耗低(<0.7W),电路简洁,体积小。本文主要介绍该微波频率合成器系统方案设计、工作原理及有关电路和测试结果。