GaAsMESFET在抗辐射领域的应用

详细论述了多种辐照源辐射ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件和电路产生的ＳＥＵ（单粒子翻转 ）效应，辐照源包括脉冲激光、质子、中子和电子不等。同时还讨论了计算机模拟辐射产生ＳＥＵ的过程和机制。研究表明：１）在低温生长ＧａＡｓ阻支的ＭＥＳＦＥＴ电路，有较强的抗ＳＥＵ能力；２）在ＭＥＳＦＥＴ中，产生ＳＥＵ的原因在于辐射导致了漏极收集电荷的增加，而且，电荷惧增强机制扔三种：ａ）背沟道导通机制，ｂ）双极增益机制；ｃ０     

集成电路工艺模拟软件SSUPREM4的应用

采用集成电路工艺模拟软件ＳＳＵＰＲＥＭ４模拟了氧化、扩散工艺,并同实验值进行了比较,模拟值和实验值的偏差在１０％以内,与集成电路器件模拟软件Ｓ－ＰＩＳＣＥＳ联用模拟了ＳＳＵＰＲＥＭ４的全工序,并把它应用于实际生产。结果表明ＳＳＵＰＲＥＭ４有较大应用价值。     

宁波GSM系统LAC调整方案

宁波ＧＳＭ系统ＬＡＣ状况 目前宁波ＧＳＭ系统共有ＬＡＣ区２２个,每个ＢＳＣ分配一个ＬＡＣ（除市区ＢＳＣ２３,ＢＳＣ２４外）,这样,某些ＢＳＣ的Ｌｏｃａｔｉｏｎ－Ｕｐｄａｔｅ占ＯＫ－ＡＣＣ－ＰＲＯＣ的比例（后称ＬＵ－ＲＡＴＥ）相当高,如余姚ＢＳＣ８,其ＬＵ－ＲＡＴＥ高达７９．４２％,其ＳＤＣＣＨ负荷相当重,且已导致ＳＤＣＣＨ拥塞,具体每个ＢＳＣ的ＬＵ次数,ＬＵ－ＲＡＴＥＰＡＧＥ－ＲＥＱＵＥＳＴＳ／ＰＡＧＥ－ＲＥＳＰＯＮＳＥ,ＰＡＧＥＳ－ＰＥＲ－ＳＥＣＯＮＤ,ＳＤ－ＣＯＮＧＥＳＴＩＯＮ－ＲＡＴＥ,…     

中国SunSITE正式投入运行

中国ＳｕｎＳＩＴＥ正式投入运行　　　　　　　　　　　　　　　查询号１１８美国ＳＵＮ公司和中国教育科研网（ＣＥＲＮＥＴ）中心于元月２３日在清华大学举行了隆重的剪彩仪式，宣布美国ＳＵＮ公司软件信息技术交换库（ＳｕｎＳＩＴＥ）在清华大学正式开通并投入运行。...     

第三代全球卫星移动通信系统在欧洲研究的进展

总结了欧盟“先进的通信技术与业务（ＡＣＴＳ）计划”在全球卫星移动通信方面研究的进展，介绍了ＩＮＳＵＲＥＤ、ＮＥＷＴＳＥＴ、ＳＥＣＯＭＳ、ＳＩＮＵＳ、ＴＯＭＡＳ工程在网络集成、空中接口、移动终端等方面取得的成果，认为卫星移动通信在未来的全球移动通信系统（ＵＭＴＳ）中占有重要的地位。     

SONY DSR—30P DVCAM录像机

１　磁带本录像机使用标准ＤＶＣＡＭ或Ｍｉｎｉ－ＤＶＣＡＭ磁带。２　菜单设置·按ＭＥＮＵ（菜单）键,再按ＣＵＲＳＯＲ（光标）的↑／↓键,选定ＳＥＴＵＰＭＥＮＵ（菜单设置）后,按ＥＸ－ＥＣＵＴＥ（执行）键,进入菜单设置：（１）Ｌ１ＩＮＶＩＤＥＯ（１路输入视频）·Ｓ当Ｓ端和复合端都接有信号时,若要选择Ｓ视频信号,则设置到Ｓ的位置。若只有复合端接有信号,则自动选择复合视频。·ＮＯＲＭ当Ｓ端和复合端都接有信号时,若要用复合视频信号,则选择ＮＯＲＭ项。（２）ＡＵＤＩＯＭＯＤＥ（音频模式）·１６当设置到１６时…     

集成电路工艺模拟软件SSUPREM4的校验

本文对知名的集成电路工艺模拟软件ＳＳＵＰＲＥＭ４进行了较仔细的校验,用ＳＳＵＰＲＥＭ４模拟了氧化、扩散工艺,并同实验值进行了比较,模拟值和实验值的偏差在１０％以内,与集成电路器件模拟软件Ｓ－ＰＩＳＣＥＳ联用校验了ＳＳＵＰＲＥＭ４的工序模拟结果,校验结果有较大参考价值。     

5ESS交换机软件补丁的安装及故障处理

介绍了５ＥＳＳ交换机的软件补丁ＳＵ（Ｓｏｆｔｗａｒｅ Ｕｐｄａｔｅ）的基本知识，做ＳＵ前的准备工作，ＳＵ的安装过程和常见故障处理。     

Molecular Doped Polymer Light Emiting Diodes with Air－stable Aluminum as Cathode

ＭｏｌｅｃｕｌａｒＤｏｐｅｄＰｏｌｙｍｅｒＬｉｇｈｔＥｍｉｔｉｎｇＤｉｏｄｅｓｗｉｔｈＡｉｒ－ｓｔａｂｌｅＡｌｕｍｉｎｕｍａｓＣａｔｈｏｄｅ①②ＣＨＥＮＢａｉｊｕｎ，ＨＯＵＪｉｎｇｙｉｎｇ．ＸＵＥＳｈａｎｈｕａ，ＬＩＵＳｈｉｙｏｎｇ（ＳｔａｔｅＫｅｙ...     

英特尔公布USB2.0标准

４月２６日公布了新的ＵＳＢ２．０标准。按照这一标准，ＵＳＢ２．０总线的传输速度将达到４８０Ｍｂｐｓ。这一速度不但比现行ＵＳＢ１．１快了４０倍，其速度超过了ＩＥＥＥ１３９４标准。ＵＳＢ２．０的集线器支持ＵＳＢ１．１外围设备，但反过来不行。英特尔公布USB2.0标准     

用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子结构

本文首次使用分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究新腐蚀的多孔硅样品（ＰＳ）的电子结构．实验结果发现，从ＨＲＥＥＬＳ谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到２．９ｅＶ左右，与文献报道的光激发谱（ＰＬＥ）的结果相近．ＵＰＳ结果发现多孔硅费米能级到价带顶的距离不同于单晶硅，结合ＨＲＥＥＬＳ和ＵＰＳ结果可以初步得出多孔硅与硅界面的能带排列．     

薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析

提出了基于二维Ｐｏｉｓｓｏｎ方程的薄膜ＳＯＩ降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ结构解析物理模型．并在该模型基础上,给出了一种分析薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压的方法．利用这一方法计算了漂移区长度较长的薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压与漂移区掺杂浓度的关系,并定量分析了场ＳｉＯ２界面电荷密度对击穿电压和漂移区临界掺杂浓度的影响．首次提出了临界场ＳｉＯ２界面电荷密度的概念,并研究了其与漂移区掺杂浓度的关系．而且计算结果与ＭＥＤＩＣＩ模拟结果符合得很好．这些为漂移区长度较长的薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压的优     

阿尔贡WIRELESS SOLUTION获得蓝牙订单

新近被阿尔贡收购的 ＷＩＲＥＬＥＳＳ ＳＯＬＵＴＩＯＮ赢得了首个蓝牙合同,为德国最大的便携电脑分销商ＲＦＩ电子有限公司提供无线通信产品。 由此,阿尔贡 ＷＩＲＥＬＥＳＳ ＳＯＬＵＴＩＯＮ的产品可推广到欧洲其他各大分销商。此订单对于阿尔贡 ＷＩＲＥＬＥＳＳ ＳＯ－ＬＵＴＩＯＮ具有重要战略意义。 此份订单中所谓的蓝牙产品主要是用于无线连接便携电脑的ＰＣＭＣＩＡ网络卡。ＲＦＩ电子有限公司拥有德国３０％以上的市场份额,他们表示有意向向阿尔贡 ＷＩＲＥＬＥＳＳ ＳＯ－ＬＵＴＩＯＮ增订价值约 ２ ５００万瑞典克朗的相关…     

超高清晰度彩色显示管

ＮＥＵＦＯＳ彩色显示管已开发出发。作为显示器，它提供了迷人的图象质量和高清晰的字符特性。ＮＥＵＦＯＳ彩色显示管是由超精细条状荧光屏和适合于条状荧光屏的优化形貌的电子束构成。结果，ＮＥＵＦＯＳ彩色显示管具有更高的清晰度和更低的莫尔条纹现象。     

阿尔贡系统有限公司收购WIRELESS SOLUTION

近期,阿尔贡系统有限公司收购了瑞典 ＷＩＲＥＬＥＳＳ ＳＯ－ＬＵＴＩＯＮ有限公司。该公司主要生产和开发无线通信的产品和系统,尤其是基于 ＧＳＭ、Ｗ－ＬＡＮ及蓝牙（Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ）,适用于工厂、办公室及家庭的通信技术。 ＷＩＲＥＬＥＳＳ ＳＯＬＵＴＩＯＮ也将参与阿尔贡第三代无线系统及无线通信（如 ＥＤＧＥ和 ＷＣＤＭＡ）的开发。阿尔贡系统有限公司收购WIRELESS SOLUTION@高芳     

Sun推出加强型Sun Enterprise 10000系统

ＳｕｎＭｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍｓ公司推出了一款加强型ＳｕｎＥｎｔｅｒｐｒｉｓｅ１００００系统 ,该系统采用新的４６６ＭＨｚＵｌｔｒａＳＰＡＲＣ？ＩＩＣＰＵ模块 ,具有一系列优良特性 ,使系统的可靠性、可用性和可维护性（ＲＡＳ）进一步获得提升 ,其性能比现在采用的４００ＭＨｚ／８ＭＢ的ＣＰＵ模块提高了１６ %。新款４６６ＭＨｚＵｌｔｒａＳＰＡＲＣＩＩ模块还将被引入到Ｓｕｎ的Ｅｎｔｅｒｐｒｉｓｅ３５００ -６５００中档服务器系统中 ,且价位比现有的基于４００ＭＨｚＵｌｔｒａＳＰＡＲＣＩＩＣＰＵ的Ｅｎｔｅｒｐｒｉｓｅ…     

ISDN和中继通信用的卫星通信系统DYANET—Ⅱ（下）

ＩＳＤＮ和中继通信用的卫星通信系统ＤＹＡＮＥＴ—Ⅱ（下）ＴｏｕｒＯｔｓｕ等４ＤＹＡＮＥＴ—Ⅱ的系统结构４．１网络结构ＤＹＡＮＥＴ—Ⅱ由一颗通信卫星、用户站（ＵＥＳ）、基站（ＢＥＳ）、一座控制站（ＣＥＳ）、一个卫星信道控制单元（ＳＣＵ）和一个卫星中转单...     

S1240中继选线的重要概念及应用

Ｓ１２４０中继选线的重要概念及应用北京市市内电话局庄蔚一、出中继选线原理Ｓ１２４０出中继选线顺序为ＲＯＵＴＥＢＬＯＣＫＲＯＵＴＥＴＲＵＮＫＧＲＯＵＰＴＲＵＮＫ。５１２４０选线方式有四种：（１）循环选线（ＣＹＣＬＩＣ）（２）顺序选线（ＳＥＱＴＬ）（３）...     

LTC台CHANNEL BUSY故障的分析和处理

ＬＴＣ台ＣＨＡＮＮＥＬＢＵＳＹ故障的分析和处理天津日电电子通信工业有限公司田建忠ＴＤＮＷＬＴＭＬＴＥ－ＳＳＵＢ×ＴＴＥＳＴＬＩＮＫＬＣＭＦＲＥＣ４ＬＣ图１ＬＴＣ测试原理图ＬＴＴＩＬＴＭＬＴＣＬＴＥ－Ｍ在ＮＥＡＸ６１程控交换机的日常测试和维护工作中，用...     

JEM-1200EX型电镜SENSITIVITY值与电子照射密度之间关系的测量分析

ＳＥＮＳＩＴＩＶＩＴＹ（ＳＥ）代表电镜在照像时电子照射到电镜底片上的电子照射密度（σ）。通过测量、分析ＳＥ取各不同值时ＥＸＰＴＩＭＥ及其相应的ＣＵＲＲＥＮＴＤＥＮＳ的取值范围,计算出了与各ＳＥ值相对应的电子照射密度σ（即ＥＸＰＴＩＭＥ值与ＣＵＲＲＥＮＴＤＥＮＳ值的乘积）的取值范围。由此,分析、计算出ＳＥ与σ的函数关系及其关系曲线