东南大学MEMS教育部重点实验室

东南大学1983年开始了集成传感器的研究，并于1985年在德国召开的欧洲固态电子器件会议“ESSDERC 85”上报道了集成MOS流量传感器的研究结果；1986年开始了硅片直接键合技术研究，并于1987年在《Applied Surface Science》（30（2），397，1987）报道了硅键合材料的测试结果。     

一种使用四键合线电感的压控振荡器

本文给出了键合线电感（bond wire）的集总参数模型和三维电磁场仿真及拟合结果，使用四键合线双电感和片上MOS电容，设计了1．8～3．6GHz的压控振荡器，显著降低了芯片面积，优化了振荡器性能。     

一种PMMA表面改性的热压键合方法研究

介绍了一种基于表面改性技术的PMMA热压键合新方法。PMMA表面首先用其单体MMA进行改性，然后在真空热压设备中热压键合。主要的键合参数如下：键合压力0．5MPa～2．5MPa，温度88℃～100℃，时间180s。通过拉力法测量了键合强度，其最大值可达到0．15MPa。实验结果表明，与常规的热压键合方法相比，该方法可有效地降低键合温度，减少键合时间，提高键合强度，从而可减少对PMMA基片上微细图形结构的破坏。使用聚合物的单体（MMA）对PMMA进行改性，可避免对微管道产生化学污染，有利于集成毛细管电泳的生化分析。利用品红和氢氧化钠混合溶液对键合后的微流体芯片进行密封性测试，结果表明，封装后的微流体芯片没有出现泄漏的情况。     

芯片键合技术在光电子学中的最新研究进展

芯片键合技术在光电子学中的应用研究可概括为两大方面： 一、将波长（１．３～１．５μｍ）激光器与硅大规模电路集成，从而实现光电子集成．这是光纤通讯和光二连所渴求的．在长波长区光纤损耗小，通讯距离长． 对以ＩｎＰ为基片的激光波长，硅是透明的，因此，通过硅基间器件能实现光互连．１９９５年Ｋ．Ｍｏｒｉ等人报道了硅基 １．５５ μｎｍ的 ＩｎＰ激光器显示优良的伏安特性．在键合界面未见高阻层．激光器在室温脉冲条件下的阈值电流密度（Ｊｔｈ）为 １．７ ｋＡ／ｃｍ２，这与以 ＩｎＰ为基片的激光器Ｊｔｈ相近． １９９９年 …     

硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展

综述了硅直接键合（SDB）技术在绝缘栅双极晶体管（IGBT）、静电感应晶闸管（SITH）及MOS控制可关断晶闸管（MTO）等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管（IGCT）和集成门极双晶体管（IGDT）的设想,并给出了相应的工艺方案。     

基于混合气体活化的硅基钽酸锂晶圆键合研究

集成在硅基衬底上的钽酸锂薄膜在新型声学器件上具有重要应用，等离子体活化键合是其主要的集成方式，相关研究报道众多但仍缺乏对等离子体活化工艺的深入研究。本文研究了LT和Si衬底晶圆在不同活化气氛、频率和时间下的亲水性接触角变化情况，探索了一套可以显著提高键合强度的活化参数。研究结果发现，对晶圆表面采用N₂加O₂混合活化60 s后，LT和Si衬底晶圆亲水性接触角达到最小值，分别为4.244°和3.859°。键合后用SEM扫描了样片的横截面，发现键合质量良好。最后对比了用O₂、N₂和Ar活化60 s,以及N₂加O₂混合活化60 s后键合片的键合强度，发现混合气体活化后键合强度最大，达到了9.05 MPa。     

低温SDB技术研究及硅表面吸附态的影响

研究了低温（５００℃以下）硅一硅直接键合（ＳＤＢ）技术，在低至１２０℃条件下获得了优良的键合结果，其键合强度可达到１０ＭＰａ以上．结合现有ＳＩＭＳ和ＴＤＳ测试结果，研究了硅表面吸附态对ＳＤＢ的影响，并对低温ＳＤＢ的可能机制进行了讨论．     

基于BCB键合的MEMS加速度计圆片级封装工艺

对基于BCB的圆片级封装工艺进行了研究,该工艺代表了MEMS加速度计传感器封装的发展趋势,是MEMS加速度计产业化的关键。选用3000系列BCB材料进行MENS传感器的粘结键合工艺试验,解决了圆片级封装问题,在低温250℃和适当压力辅助下≤2．5bar（1bar=100kPa）实现了加速度计的圆片级封装,并对相关的旋涂、键合、气氛、压力等诸多工艺参数进行了优化。     

国外电子学基础教材的发展趋势

在众多国外电子学基础教材中，国际上影响最大、最具代表性的是J．Mill-man，A．Grabel《Microelectronics》（1979年第一版，1988年第二版）和A．S．Sedra，K．C．Smith《MicroelectronicCircuitS》（1982、1987、1992、1998第一至四版）这两本教材。其它教材虽各具特色，但无论体系或内容都没有跳出它们的框架。进入九十年代以后，后者的影响已开始超过前者。本文将以Sedra教材第四版为主，参照其它教材作一剖析，说明国外电子学基础教材的发展趋势，并提出我国电子学课程改革的对策。     

高g微机械加速度传感器芯片盖帽封装设计北大核心

为了提高高g微机械加速度传感器在极端恶劣环境中应用的可靠性,根据自制的高g微机械加速度传感器芯片,研究设计了一种新型＂台阶式＂传感器芯片的盖帽封装结构。利用圆片级键合工艺和有限元分析（FEA）方法确定了盖帽封装结构材料与尺寸的设计方案。优化微电子机械系统（MEMS）加工工艺流程完成对盖帽封装结构的加工,并通过数字电子拉力机对实现圆片级盖帽封装的传感器芯片进行键合强度测试。测试结果表明,键合强度为35 000 kPa,远大于抗过载封装设计要求下的键合强度值（401.2 kPa）,证明了盖帽封装结构设计的可行性和可靠性。     

双层6倍速读写的蓝紫色激光头

夏普公司于近日宣布，可支持Blu—rayDisc、HDDVD双层6倍速读写的蓝紫色激光读写头“GH04P21A2G”于2007年4月2日开始接受预定．并于5月开始量产，货样价格为5万日元（合人民币4000元）。     

硅片键合制备SOI衬底

硅片键合制备ＳＯＩ衬底童勤义（东南大学微电子中心，南京２１００９６）一、引言硅片直接键合ＳＤＢ的研究与开发，从８０年代中期以来，在国际上迅速开展起来，它的最主要特点是与硅超大规模集成技术（ＶＬＳＩ）的兼容性及其自身的灵活性。相同的或不相同的，抛光的半...     

SOI材料的场助键合技术

本文报道了SOI（Semiconductor On Insulator)材料的场助键合技术，其中包括SiO2-SiO2,Si-SiO2,Si-石英，GaAs－玻璃等的键合，利用各种检测手段对键合材料的键合面积，键合强度，界面形貌及电学特性进行了测试，文中还讨论了场助键合机理，等离子体表面处理方法及场助键合材料的应用实例,结果表明，场助健合技术是一种很大潜力的技术。     

集成MOS力敏运放压力传感器

设计并制作出一种新型集成压力传感器——集成MOS力敏运放压力传感器．它将运算放大器中的一对PMOS差分输入管集中设置在N型(100)Si膜片上的最大应力区，并使它们的沟道方向相互垂直，运放中其它元件全部集中设置在厚体硅上的低应力区．在压力作用下，输入级MOS 管沟道中载流子迁移率发生变化，运算放大器以其为输入信号而产生力敏输出．这种压力传感器具有很高的压力响应灵敏度，可望在诸多领域有广泛应用．     

石墨烯压力传感器Au-Si共晶键合的气密性封装

针对石墨烯压力传感器的高气密性封装要求，设计了一种应用于石墨烯压力传感器的Au-Si键合工艺。采用Au-Si键合工艺只需要在传感器的密封基板表面生长一层100 nm的SiO₂,并在生长的SiO₂表面溅射金属密封环，密封环金属采用50 nm/300 nm的Ti/Au。使用倒装焊机在380℃以及16 kN的压力环境下保持20 min完成传感器芯片与基板的键合，实现石墨烯压力传感器的气密性封装。键合完成后对键合指标进行表征测试，平均剪切力可达19.596 MPa,平均泄露率为4.589×10^-4 Pa·cm³/s。通过对键合前后石墨烯传感器芯片电阻检测，电阻输出平均值变化了3.36%,键合前后电阻输出相对稳定。对传感器进行静态压力检测，其灵敏度>0.3 kΩ/MPa,非线性<1%FS。实验结果表明，石墨烯压力传感器采用Au-Si键合工艺进行气密封装不仅工艺简单，且强度高。     

面向先进封装应用的混合键合技术研究进展

随着摩尔定律推进至纳米级节点,以硅通孔(TSV)、重布线层(RDL)、薄芯片堆叠键合等为支撑的三维集成被认为是延续摩尔定律的重要途径. Cu/SiO₂混合键合可以持续缩小芯片间三维互连节距、增大三维互连密度,是芯片堆叠键合前沿技术. 近年来它在互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)、Xtacking 3D NAND、 2.5D/3D集成等商业化应用突破,使之成为国内外领先半导体研究机构研究关注的热点话题. 本文将系统梳理混合键合技术的研究历史与产业应用现状,重点分析近年来国内外代表性研究工作的技术路线、研究方法、关键问题等, 在此基础上,对混合键合技术的未来发展方向进行展望.     

（100）与（111）晶面硅基金属整片键合后选择性去衬底技术

采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将（100）晶面硅与（111）晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护（100）晶面硅衬底,再粗化（111）晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除（111）晶面硅衬底。此技术在不损伤硅基驱动芯片的前提下实现了选择性去除硅基氮化镓外延衬底,是一种材料混合集成的新技术,有望应用于自对准硅基Micro-LED微显示器件制程和光电子器件集成领域。     

硅片直接键合制作SOI结构的工艺研究

硅片直接键合制作ＳＯＩ结构的工艺研究＝［刊，俄］１９９４，２３（６）．－４６～５４本文研究了硅片热压键合前化学处理原始硅表面对低温下表面半粘附键合质量和ＳＯＩ结构质量的影响。采用二次离子质谱方法分析硅片直接键合形成的ＳＯＩ结构中的杂质分布剖面表明，在...     

流媒体技术(8)

Intemet上使用最广泛的传输控制协议TCP最初并没有集成拥塞控制（congestion control）的功能。1986年，Intemet首次爆发了一系列“拥塞崩溃（congestion collapses）”事件。发生“拥塞崩溃”的链路可用带宽几乎降低为正常情况下的千分之一，TCP协议的设计者开始考察为什么会发生这样的情况。1988年，Jacobson和Karels在其经典论文《拥塞避免和控制》中首先提出了拥塞控制的概念，     

我国第一片20cm键合SOI晶片研制成功

据报道．中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员王曦领导的SOI研究小组．在上海新傲科技有限公司的研发平台上．通过技术创新．制备出我国第一片20cm（即8英寸）键合绝缘体上硅（S01）晶片,实现了SOI晶片制备技术的重要突破。