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体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现 总被引:2,自引:1,他引:1
制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点,文章讨论和分析了体硅RF IC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法,这些方法都与CMOS工艺兼容。 相似文献
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硅衬底RF集成电路中螺旋电感的建模和分析 总被引:2,自引:0,他引:2
对硅衬底RF集成电路中的螺旋电感进行电磁场建模,考虑了衬底损耗效应,并通过电路分析和网络分析技术得到了二端口简化电感模型.该模型在特定的截止频率以下可提供可靠的电路系统仿真.利用该模型分析了硅衬底的损耗对螺旋电感品质因素(Q)的影响. 相似文献
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通过蚀刻铜箔结合导通孔连接的方法在四层PCB中制得了大小从120 nH到1 400 nH的三维螺旋隐埋电感,品质因数分别为6~31(测量频率为1 MHz)。所制得隐埋电感既包括垂直轴线,也包括水平轴线三维螺旋隐埋电感线圈;既包括平面螺旋电感和三维螺旋线圈,又包括两者的复合。另外通过对比研究不同物理参数对垂直轴线三维隐埋电感的影响,结果发现在相同周长的情况下,圆形电感略优于方形电感;电感大小和线圈的面积及圈数成正比,与线圈间距成反比;品质因数随着线圈的面积、圈数和线圈间距的变化而略有变化。 相似文献
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基于硅通孔(TSV)技术,可以实现微米级三维无源电感的片上集成,可应用于微波/射频电路及系统的微型化、一体化三维集成。考虑到三维集成电路及系统中复杂、高密度的电磁环境,在TSV电感的设计和使用中,必须对其电路性能及各项参数指标进行精确评估及建模。采用解析方法对电感进行等效电路构建和寄生参数建模,并通过流片测试对模型进行了验证。结果表明,模型的S参数结果与三维仿真结果吻合良好,证实了等效电路构建的精确性。采用所建立的等效电路模型可以提高TSV电感的设计精度和仿真效率,解决微波电路设计及三维电磁场仿真过程中硬件配置要求高、仿真速度慢等问题。 相似文献
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硅基平面螺旋电感的等效电路模型和参数提取 总被引:1,自引:1,他引:0
针对螺旋电感传统等效电路模型的不足,提出了一种改进形式的集总参数等效电路模型.该等效电路模型能很好地反映出电感参数随频率变化的实际效应,可适用于从低频到自谐振频率的宽频带范围.同时,应用电磁场全波分析方法对CMOS工艺下平面螺旋电感进行仿真分析.从得到的散射参数中提取电感L、Q值及自谐振频率.基于参数优化和曲线拟合技术,给出了等效电路模型中各个元件值的多变量闭合表达式.这些表达式可方便地用于集成电路的设计和优化,从而提高电路设计的性能和效率. 相似文献
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本文从硅材料质量与器件关系研究入手,对工艺中发现的滑移位错、失配位错、热氧化堆垛层错,以及微缺陷等几种二次缺陷进行了研究,并试图对它们的性质、工艺中的变化、产生原因及消除办法进行归纳,以便对有关工作有所裨益。 相似文献
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提出了一种用于改善硅基螺旋电感品质因数的厚铝膜干法刻蚀技术;这种技术利用氧化硅和光刻胶双层复合掩模来掩蔽厚铝的干法刻蚀,完全兼容于CMOS工艺;应用于双层铝布线,实现了最大厚度达到6μm的顶层铝,显著地减小了螺旋电感的串联电阻,提高了品质因数;该技术同高阻SOI衬底技术相结合,制造的10nH螺旋电感的最大品质因数达到8.6。 相似文献