90nm集成电路工艺进入量产

根据半导体工业协会(SIA)发表的ITRS(国际半导体技术发展蓝图)2002年修订版显示,21世纪集成电路工艺将告别早期的微米(1μm)制程,进入了纳米(100nm)制程(如图1所示)。其中,DRAM存储器在2003年,MPU处理器在2004年初相继实现线宽100nm的工艺,并且两种最高集成度的IC都在2004年中实现线宽90nm的工艺。到     

日本Elpida完成90nm 512Mb XDR DRAM量产准备

日本Elpida于2005年3月开始100nm工艺XDR DRAM的出货。由于看好市场前景，当时也同时进行了90nm工艺产品的开发。日本Elpida日前表示，该公司已成功开发采用90nm工艺技术生产的512Mb XDR DRAM，并已完成量产的准备。和100nm相比较，采用90nm工艺可将生产效率提升20％以上。     

三星首创50nm工艺1Gb DRAM技术

三星电子表示，已领先研发出以50nm工艺打造的1Gb DRAM技术，预定将自2008年第一季起推出此类DRAM产品。三星预估，2008年50nm等级DRAM市场规模将达50亿美元，2011年则可望成长至550亿美元。     

65nm及以下IC制造挑战

全球IC制造业在2004年取得辉煌业绩,销售总额达到2180亿美元,提前完成了国际半导体技术发展路线图(ITRS)的90nm节点进程,十多座300mm晶圆厂正在投产或共建,全球以Intel为首的十大IC供应商都在加紧研发65nm工艺,Intel、TI、三星、东芝、台积电开始小批量生产65nm工艺的IC,谋求技术领先,抢占市场.根据2004的修正的ITRS最新技术进程可知,90nm节点正好在2004年完成了DRAM指标,65nm节点预定在2007年和45nm节点预定在2010年达到DRAM的生产水平,因为存储器IC的制造工艺最成熟,而且单元电路相同,比较容易设计和测试.对于电路单元更复杂的逻辑IC和混合IC来说,65nm节点和45nm节点的完成时间要推后两年,分别至2009年和2012年完成.     

IBM公司发表铜布线90nm规格ASIC

美国 IBM公司日前发表了使用铜布线与低介电体层间绝缘膜 (low- k膜 )、设计规格为 90 nm的 ASIC产品“Cu- 0 8”。该产品可以在单芯片上最大设计 72 0 0万个门电路 ,耗电量也较原有产品减少了 40 %。此次发表的 ASIC采用了以下 3种新技术。第一种是“Voltage Island"技术。设计人员可以根据要求 ,对芯片内的每个电路的内核电压分别进行设置。由此 ,提高性能的同时能够减少耗电量。第二种技术是在电路设计中运用多种库选项。可以选择是优先解决性能还是优先芯片尺寸。第三种是扩展嵌入式 DRAM存储功能。导入经过编辑的扩展存储功能…     

中芯国际2006年3月开始量产90nm产品

中国的半导体代工企业——中芯国际集成电路制造（SMIC：Semiconductor Manufacturing International）将于2006年3月进入90nm工艺量产体制，预计90nm工艺产品的销售额将出现在2006年第二季度（2006年4月-6月）的业绩中。中芯国际社长兼CEO张汝京表示，除了已经公开的德国英飞凌以外，还有数家公司计划委托中芯国际使用90nm工艺进行代工。英飞凌委托中芯国际使用90nm工艺制造的是DRAM产品，预定于2006年第三季度进入量产阶段；而对于在第二季度就能带来销售额的90nm产品，张汝京并没有公开委托公司的具体名称，只是表示是从两家公司接到了逻辑LSI产品的委托制造订单。     

70nm技术DRAM厂生存关键

为强化竞争力，全球DRAM厂持续积极朝先进制程技术发展。有鉴于DDR2时代来临，今年DRAM厂商竞争淘汰赛，将以90nm技术为基础关卡，70nm为领先关键；今年，包括力晶、茂德、南亚科及华亚科等国内DRAM厂，都将陆续将产能转进90nm，并规画迈向70nm时代，成为下一阶段的业绩续扬、优劣淘汰的主要动力。[第一段]     

台DRAM厂拼战70nm制程

近期DRAM价格止跌回稳，使台系DRAM厂6月营收较5月提升，但由于业者预估价格持续上涨幅度有限，遂积极转进70nm制程，以期降低生产成本，确保获利。目前台DRAM大厂中，茂德晶圆三厂预计10月所有投片采用70nm制程，华亚科亦预计在第3季开始量产，力晶12A、12B厂投片已有逾70％导入新制程，且良率不高的问题已获解决。     

英飞凌与中芯国际开始90纳米生产线合作

2006年1月6日,英飞凌科技股份有限公司和中国的半导体制造商中芯国际集成电路制造有限公司共同宣布,双方已经签署合作协议,进一步扩展在标准记忆芯片(DRAM)产品生产领域中的现有合作,开始90纳米标准的产品合作生产。根据新协议的内容,英飞凌将把自己最尖端的90纳米DRAM沟槽技术和300毫米产品技术转让于中芯国际,并可以在未来期间灵活进行其70纳米技术的进一步转让。预计在2006年中期完成产品的最终验证之后,中芯国际将开始将其目前用于英飞凌110纳米DRAM产品的300毫米生产线转移至90纳米产品之上。英飞凌与中芯国际开始90纳米生产线合…     

针对移动应用的75nm 512Mb低功耗DRAM

Mobile RAM是一种超低功耗的DRAM，与同等密度的标准DRAM相比，功耗低80％，主要用于智能手机和多功能手机、GPS、数码相机以及MP3播放器等移动产品。     

驱动因素面面观 剖析2005年DRAM供给与需求

在观察2005年DRAM供给端时,发现今年和1995年的情况有些相似.1995年由于8英寸厂产能持续开出,使得DRAM市场由卖方市场转变为买方市场,造成1995年年底的DRAM价格崩盘.而2005年在12英寸厂产能开出时是否会重覆1995年的情况呢?1995年和2005年的时空变化,当然会造成对于DRAM产业的影响不一,本文将深入解读驱动供给与需求变化的因素.     

三星2011年下半推出20nm级制程DRAM

<正>三星电子(Samsung Electronics)2011年将致力于提升DRAM存储器半导体制程技术水平,再拉大与其它竞争业者间差距。三星半导体事业部专务赵南成表示,2010年采用30 nm级制程制造     

HyniX发布首款54nm制程的2GB移动DRAM

日前,韩国半导体制造商Hynix（海力士）发布了目前世界第一款采用54nm工艺的2GB移动DRAM。Hynix突破了目前采用MCP封装以及PoP封装的移动DRAM只有最高1GB容量密度的限制,成功实现了2GB的容量密度。     

DRAM产业进入“减产或退出”的关键调整期

集邦科技(DRAMeXchange)日前指出认为DRAM产业进入以"减产或退出"的关键调整期.大规模减产正开始进行中,甚至有DRAM厂商将于2009年退出DRAM市场.DRAM产业这波调整将持续进行,直至产业回复供需平衡.     

DRAM市况坚挺4M产品攀升16M需求看好

随着个人电脑CPU处理速度越来越快,处理信息越来越多,对主机部分最重要的存储器——DRAM的容量的要求也越来越高,如从286CPU变成386时,存储需求量即将提高4倍.当前4M DRAM的全球生产量已超过1M产品,成为个人电脑使用的主流产品.1993年世界1M DRAM的月产已降为3,250万片,4M则提升到6,280万片,至于16MDRAM每月还仅约175万片.预计1994年全球对4M DRAM需求量为9,45亿,达到顶峰.今后几年内16M DRAM将以极快速度增长,期望1996年将超过4M DRAM.因此,日本、韩国等的DRAM生产大     

海力士66nm DRAM研发几近完成进度超越三星

据韩国媒体Korea Times报道，存储器大厂海力士（Hynix）在66nm工艺技术的DRAM研发进度已近于完成阶段，进度超过其对手全球最大存储器厂三星电子（Samsung Electronics），目前2家公司都有采用80nm工艺技术研制DRAM，而三星电子积极开发70nm工艺技术，海力士则是转往与65nm接近的66nm工艺技术开发。     

动态随机存储器新动向

美国Rambus Inc.已策划出Direct Rambus DRAM规范,其目标是瞄准1999年度PC机主存储器市场。这是备有高速接口的DRAM(Direct Rambus DRAM)规范,美国Intel Corp.将于1999年投放市场的PC机用外围LSI电路里,决定嵌入Direct Rambus DRAM的接口电路。世界著名的DRAM厂家有13家鉴于此情,纷纷领取Direct Rambus DRAM生产许可证。预定从1998     

512Mb的PC DRAM将在2008年上半年跌破1美元

DRAM的价格今后仍将继续下降,最近一年内已跌至原来的1/3-1/5.虽然这种跌势不会长久持续下去,但全球消费电子产品的低成本压力仍将迫使DRAM价格下降.有线索表明,今后4年左右,DRAM成本的下降速度为每年30%.随着DRAM价格的持续回落,设备厂商们很有可能在5万日元(约合435美元)以下的消费设备中集成GB级的内存.     

全球2018年DRAM产业预估预测

本文介绍了2017年DRAM市场状况,并对2018年的DRAM市场进行了分析预测.2018年预计仅增长19.6%,无大规模增产计划下,供给将延续吃紧走势.     

半导体存储器期待再创辉煌

DRAM是半导体业的起点 今天来说半导体存储器,主要包括DRAM和flash(闪存)两大类产品.DRAM是Intel公司的起家产品,是日本、韩国及中国台湾进入以集成电路为代表的半导体行业的切入点和迄今为止的主打产品,日本通过1976～79年的VLSI技术研究组合国家计划,首先进入了64K DRAM时代,在存储器技术方面赶上并超过了美国,从而使日本企业的半导体生产大发展,并于1985年超过美国,1988年曾独占世界市场50%以上,达于顶峰.