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设计了一款可吐纳3 A大电流的跟踪终端线性稳压器。该稳压器采用双电源供电,降低了芯片的功耗。内部误差放大器采用轨到轨输入结构设计,拓展了稳压器输入共模电压范围;同时采用跨导线性环电路结构和简单补偿电路结构的设计,使其在负载突变时提供快速的负载瞬态响应,减小输出过冲。输出级上下功率管采用NMOS推挽式输出,可提供1 A/2 A/3 A的大电流,极大提高了稳压器的带载能力。该稳压器能够满足DDRⅠ/Ⅱ/Ⅲ和低功耗DDRⅢ/Ⅳ总线终端对电源供应的要求。采用华虹0.35μm工艺流片,在两个输入电压V_(IN)、V_(LDOIN)分别为5 V、2.5 V条件下进行测试,输出/吸收3 A负载电流时,输出稳定在1.25 V。 相似文献
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半导体技术快速发展,双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Double Data Rata Synchronous Dynamic
Random Access Memory, DDR SDRAM)的信号完整性问题已成为设计难点。文中提出了一种基于ANSYS 软
件和IBIS 5. 0 模型的DDR4 SDRAM 信号完整性仿真方法。利用IBIS 5. 0 模型中增加的复合电流(Composite Current)
、同步开关输出电流等数据,对DDR4 SDRAM 高速电路板的信号完整性进行更准确的仿真分析。仿真结果
表明:高速信号在经过印制板走线和器件封装后,信号摆幅和眼图都有明显恶化;在仿真电路的电源上增加去耦
电容后,信号抖动和收发端同步开关噪声(Synchronous Switching Noise, SSN)都得到明显改善;在不加去耦电容的
情况下,将输入信号由PRBS 码换成DBI 信号,接收端的同步开关噪声有所改善,器件功耗可以降为原来的一半。 相似文献
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通信手持设备光源的应用主要体现在键盘灯、液晶屏幕背光和特殊照明三个方面,主要的发光器件是半导体发光二极管(LED),驱动芯片设计技术有低压差(LDO)稳压器、可调节(Regulator)稳压电源、电荷泵(Charge Pump)电源和超级电容(Super Capacitor)电源等不同形式. 相似文献
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介绍了一种应用于DRAM芯片内部供电的新型低压差线性稳压器(LDO)。在传统LDO电路PMOS输出驱动管的栅端增加了一个开关电容电路,根据负载电流使能信号控制耦合电容的接入,使驱动管的栅端耦合到一个正向或者负向的电压脉冲,在负载电流急剧变化时能快速调整过驱动电压,以适应负载电流的变化。仿真结果显示,该电路有利于输出电压的快速稳定,恢复时间缩短了38%以上。采用45 nm DRAM 掩埋字线工艺进行流片。实测结果显示,该LDO输出电压恢复时间在10 ns以内。在DDR3-1600的数据传输速度下,DRAM芯片的数据输出眼图为280 ps,符合JEDEC标准。 相似文献
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Barry Galvin 《电子设计技术》2010,17(6):71-71
正在设计由电池供电的产品时,你也许缺乏经验和硬件。产品的电池寿命对等效串联电阻(ESR)的依赖高于它对终端电压的依赖。当你用开关稳压器来提高电池电压时,情况尤其如此。开关稳压器在 相似文献
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提出了一种面向片上系统、不依赖片外电容的CMOS低压差稳压器.通过采用片上极点分离技术和片上零极点抵消技术,保证了没有片外电容情况下低压差稳压器的稳定性.芯片通过华润上华0.5/μm CMOS工艺进行了流片.芯片核心区域(不包括焊盘)尺寸为600μm×480μm.输入电压变化造成的输出电压变化偏差在±0.21%以内.静态电流为39.8μA.10kHz处的电源抑制比为-34dB.100Hz和100kHz处的输出噪声电流谱密度分别为1.65和0.89μV/√Hz. 相似文献
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提出了一种面向片上系统、不依赖片外电容的CMOS低压差稳压器.通过采用片上极点分离技术和片上零极点抵消技术,保证了没有片外电容情况下低压差稳压器的稳定性.芯片通过华润上华0.5/μm CMOS工艺进行了流片.芯片核心区域(不包括焊盘)尺寸为600μm×480μm.输入电压变化造成的输出电压变化偏差在±0.21%以内.静态电流为39.8μA.10kHz处的电源抑制比为-34dB.100Hz和100kHz处的输出噪声电流谱密度分别为1.65和0.89μV/√Hz. 相似文献