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相似文献
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1.
故障现象 :放映时交流声大且信号混浊不清。检修过程 :分别用两机试放影片 ,均有同样故障。不放影片 ,甚至拨去输入端的信号线扩音机也有交流声。这表明故障来自扩音机自身。该扩音机由两只双三极电子管 6N2组成三级电压放大 ( G1、G2、G3 )和侧相 ( G4)由两只 6P3 P电子管作推挽功率放大。交流声的故障 ,可用一只 0 .0 5~ 0 .1μF/ 40 0 V的电容器分别逐个地由后级向前级将栅极短路的办法查找故障源。当短路 G2的栅极 (前一只 6N2的 7脚 )时 ,交流声消失。这说明交流声来自前级 G1。换一只新的6N2管 ,扩音机工作正常。这是故障电子…  相似文献   

2.
具体设计、分析了一款利用6N1、6N2和6P1所作的推挽电子管放大器。放大器采用6N2做电压放大,6N1倒相,6P1做推挽功率输出。功率级采用固定栅压,标准接法,具有比较高的输出功率和效率。文中给出了具体参数的原理图,并做了分析。最后完成了样机的调试,并提供了常见故障的排除方法。  相似文献   

3.
国产旁热式阴极五极管6P14(EL84,6П14П,6BQ5)是一支性能优异的音频放大功率管,在拇指管中,具有输出功率大、灵敏度高、音色清丽等优点。利用6P14做甲类单端功率放大器可输出4W左右的功率,对于一般家庭的听音需求,在配置灵敏度较好的音箱的情况下,听音功率已经足够。同时做单端机器比做推挽机器的工作量要小,不用考虑设计倒相电路,元件用量少,另外输出变压器制作也简便一些,虽然与推挽机器相比输出功率要小,失真也较大,但甲类机器偶次谐波失真却独具韵味。6P14的静态工作点为:Ua=260V,Ug2=250V,Ug1=-6.2V,则在此工作状态下的输出功率…  相似文献   

4.
柯颂V6i“超纯甲类”合并式功率放大器,是标准版V6的全面升级产品。“超纯甲类”(Hyper A)是技术上取得重大成功的自适应偏置方式(Adaptive Bias)注。Hyper A技术不但使V6i杜绝了开关失真对音质的劣化,而且摆脱了扬声器阻抗降低时传统纯甲类功放所不可避免的、甲类输出功率锐减的遗憾局面,实现了理想甲类放大器遇相同情形时甲类功率成倍增加的终极目标,彻底超越了传统的纯甲类方式。不仅如此,“Hyper A”技术更是一种低功耗、低热量、高效率的“绿色”甲类,它使V6i的听众在尽情享受大功率甲类功放纯美音乐的同时,不再时刻受到…  相似文献   

5.
国产胆管6P3P(6L6)拥有量较大,价格较低,作为成熟的束射四极管,6P3P具有优良的音频放大性能,音色醇厚,中性,胆味浓郁。利用国产6N2推动6P3P,可设计成输出功率10?W左右的单端放大器,整机仅使用1支6N2电子管,2支6P3P,整流采用晶体二极管,电路设计与制作都比较简洁,放音效果也相当不错,下面就原理图1,对电路做简要说明。6P3P工作点和类型的确定由电子管手册可查,当6P3P应用在上述工作点时,输出功率10.8?W,失真15%(固定栅负压),而在小音量放音时,失真并不大。放大器类别为A(S)。电源部分为能提供360?V的阳极电压,电源变压器的次级绕组设…  相似文献   

6.
小知识     
什么是甲类、乙类、甲乙类功放甲类:甲类放大器是指放大器中的放大器件(晶体管、电子管)在被放大信号整个周期中都处于导通状态,并且被放大的信号始终处于放大器件的线性工作区。乙类:乙类放大器是指放大器中的放大器件只在信号的半周导通,信号只在半周内工作于线性区,即导通角为180°。因此在音频放大器中只能采用推挽电路,一只三极管放大正半周,另一只三极管放大负半周,这样才能完整地放大信号的整个周期。甲乙类:处于甲类和乙类之间,即放大器件的导通角在180°>360°时称为甲乙类放大。甲类放大器信号的连续性最好,但效率最低…  相似文献   

7.
钟文祥 《音响技术》2009,(12):55-56,60
1 电子管的选择 笔者制作胆机采用的6C5P系大八脚直身管,造型与6N8P相似,其直流基本参数与6N8P单三极相近,但用于音频电路的交流参数不尽相同,6C5P的交流参数更优于6N8P。6C5P虽属于三儆管,但实为四极管改为三极管,  相似文献   

8.
音频在信号进入功放前进行预处理,这已成为了业界的共识。电子管前级的打造简单,花费又不高,而且用其与电子管功放或晶体管功放搭配能柔化数码声的“硬度”而得到较为通透的效果。本人在打造胆前级时,几经摩改最后定型于本刊97-3期上,在摩改中用料一次次提高。较老的西门子金脚E88CC都借来参加较试,历经6N8P(6SN7GT)、6N10(12AU7)。6N1、6N2(12AX7)、6N3(5670)等,都各具特色。但从解析力上而讲,用6N11搭配6N10最好,声音也最为柔滑,G2和G3都用6N10,并把其跟随范围作调整,算是此电路应用的最佳状态,通透度、力…  相似文献   

9.
采用非平衡磁控溅射技术,通过改变氮气和氩气分压比P(N2)/P(Ar),在钛合金(Ti6Al4V)表面制备出不同结构及性能的氮化硅薄膜.结果显示,制备的氮化硅薄膜为非晶态结构,随着氮气分压的增加,Si-N键的含量增加,其对应的红外吸收峰逐渐变宽,并向高波数偏移.氮化硅薄膜的显微硬度、耐磨性随着P(N2)/P(Ar)的增加而先增加,当P(N2)/P(Ar)为0.25时,随着P(N2)/P(Ar)的增加,薄膜硬度及耐磨性稍有降低.氮化硅薄膜具有较好的膜/基结合力,当增大氮气和氩气分压比,薄膜的脆性随之增加.  相似文献   

10.
设f(x)∈LP(Ωn),1≤P≤2,δ>(n-1)(1)/(P)-(1)/(2)),σδN(f)(x)表示f(x)在n维球面Ωn上的Cesàro平均.证明了 limN→∞(1)/(N+1) ΣN)/(k=0|σδk(f)(x)-f(x)| 2ak=0 a.e.x∈Ωn 其中权系数ak>0,满足 1≤(1)/(N+1)ΣN)/(k=0ak≤A (A是一个绝对常数).  相似文献   

11.
笔者用国产优质电子管6N11J和6P6P,制作了一台电路简洁、结构简单的电子管超线性放大器,经多次调校和实际试音,音色悦耳动听。制作的电路图如图1所示(一个声道)。  相似文献   

12.
针对Nb-Si-N纳米复合薄膜在沉积过程中Nb、Si、N单原子与NbN晶粒相遇之后聚集与分离情况进行了研究。采用基于密度泛函理论(DFT)第一性原理超软赝势平面波计算方法分别计算了Nb、Si、N各单原子在NbN(001)表面绕2N2Nb岛的吸附作用和迁移过程。计算结果表明,Nb、Si、N单原子在2N2Nb岛旁边的吸附能最大位置分别为P3、P1、P2,吸附能分别为7.3067,5.3521和6.7113eV;Nb、Si、N单原子绕2N2Nb岛的迁移所需的激活能分别为2.62,1.35和5.094eV。吸附能与迁移激活能较小的Si原子为激活元素促进了其它原子的扩散进而提高薄膜的致密性。沉积过程中具有较小激活能的Si原子极易围绕2N2Nb岛迁移将NbN晶粒分隔,阻止晶粒长大进而细化晶粒。  相似文献   

13.
通过进行甜玉米田间“3414”效测试证明,处理产量最高的是供试田块N2P—K,每667m2为785kg,相比于其它不施肥处理的田地增产48.67%,氮、磷、钾最佳经济施用量为每667m2施纯N12.681,rg、P2058.02kg、K2015.02kg,得出结论最佳比例为1:0.63:1.18。  相似文献   

14.
辽宁省凤城北部1/5万的土壤和水系重砂测量,利用计算机进行趋势分析(二次、四次)和剩余异常分析,区内异常以铜和铅为主,可分为三类:甲类异常、乙类异常、丙类异常.甲类异常有H1Cu 、H3Cu、H1pb 、H2pb和H3pb号异常,形态规正,强度强,分布范围大,为是有定找矿远景的异常.乙类异常H2cu位于白家岭-凉水泉一带,该异常工作较低.丙类异常H5cu、H4pb位于宫家堡子一带,推断为非矿异常.  相似文献   

15.
目前音频功率放大器的输出级基本上是图1所组成的乙类推挽电路输出形式。无信号输入时,静态工作电流取得很小,消耗的功率也很小,所以效率很高。但是在输入交流信号时,一半管子在导通工作,放大输出,另一半管子则完全处于截止状态。这样,两只管子在交替工作过程中,使输出信号产生了开关失真。即使把工作点设计成甲、乙类状态,也只能改变开、关时间。众所周知,纯甲类功放任何时刻都不会有管子截止现象,所以输出信号就不会产生开关失真。在同等技术条件下,纯甲类功放的音质比乙类功放的音质要好。由于甲类功放的静态工作电流很大,…  相似文献   

16.
继M 2 0 0 0、A 50A、P 10 0 0的新产品之后 ,利用在这几款机型中取得的成功经验和技术 ,即输出阻抗的降低和定压驱动的理念 ,开发出缩水版 (笔者这样认为 )A 2 0V纯甲类功放。A 2 0V纯甲类功放的输出管采用MOSFET 3组并联推挽 ,每声道在 2 0W / 8Ω(峰值 50W ) ,4 0W / 4Ω ,80W/ 2Ω ,音乐信号的峰值在1Ω时可达 156W。金嗓子功放又出新品  相似文献   

17.
6C33C-B系俄制低内阻、低电压、大电流三极管,较6N5P,6N13P,6AS7,6AS7G,6AS7GT,6NA3P,6080,6H5C等三极管内阻还要低,不少胆机爱好者将6C33C-B灵活运用于无输出变压器推挽功率放大器中,以省却输出变压器的“瓶颈”作用,并能节省成本及减小机体重量。此种作法出声不成问题,但6C33C-B用于推挽功率放大一是管子配对困难,二是  相似文献   

18.
小功率甲类放大器是家用音频放大器的理想形式。文中对ZEN1H的后级电路进行了介绍、分析,并设计了基于2SK30场效应管的前级。机器经过测试,效果良好。  相似文献   

19.
以N2为P型掺杂源,利用射频磁控溅射技术,通过改变O2:N2比制备了不同N掺杂量的P型ZnO薄膜,详细研究分析了N掺杂ZnO薄膜的PL谱及电学性能.结果表明,随着O2:N2的变化,不仅薄膜的峰位发生了变化,其强度也进行相应的变化.当O2:N2为10:10时,薄膜具有三个发光峰,且UV峰发光强度最大,此时薄膜呈现出明显的P型特征.  相似文献   

20.
介绍了β-FeSi2合金的基本特性和制备方法.评述了目前通过不同的元素掺杂可制得N型或P型β-FeSi2基半导体材料以及在热电性能方面取得的重要大进展.其中掺杂Co,B元素可得到N型β-FeSi2基半导体材料,且掺杂Co,在850 K最大ZT值为0.4;而掺杂B,高于800 K时Z值是未掺杂3~6倍,在667 K最大Z值为1.18×10-4 K-1.掺杂Mn,Cu,Al可获得P型β-FeSi2基半导体材料,掺杂Mn在873 K时最大Z值达2×10-4 K-1;掺杂Cu可缩短β相的生成时间;掺杂Al,在743 K获得的最大Z值为1.55×10-4 K-1.指出通过结构优化、组分调整,进一步提高β-FeSi2基合金的热电性能.  相似文献   

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