表面加工多晶硅薄膜热导率测试结构

提出了一种使用表面加工工艺设计多晶硅薄膜热导率的测试结构，论文推导了热学模型，给出了测试方法。由于其制造工艺能和其它微机械器件制造工艺完全兼容，因而能够达到监控MEMS器件制造工艺和在线检测的目的。     

多层平坦化互连技术

阐述了实现多层平面互连结构的方法 ,对该技术中的三个主要方面——介质隔离度、小于 2 .0 μm× 2 .0 μm互连孔和 5 0 nm之内的介质填充平坦技术进行了分析。测试结果表明 ,该技术稳定可靠 ,是改善互连质量的可行方法 ,并已用在实际电路的制造工艺中。     

温差电器件接触电阻和接触热阻的测试及分析

接触电阻和接触热阻是影响温差电器件性能的两个重要的工艺参数，直接反映器件制造的工艺水平。因此，对器件的接触电阻和接触热阻进行测试分析，将能够定量地了解现行工艺对器件温差电性能的影响程度。本文首先介绍接触电阻的测试方法和实验结果，然后利用所测的数据，再通过对器件输出功率特性的测试，间接地导出器件的接触热阻。据笔者所知，这是温差电器件接触热阻实测数值的首次报道。     

AuGeNi/n—InP欧姆接触研究

本文对金属—n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触的接触电阻进行了理论分析,研究了AuGeNi/n-InP欧姆接触的电学特性、冶金性质和组分分布,其最佳工艺条件已用于器件制造.     

Multitest发布Kelvin测试座综合教程

为全球（集成元件制造商（IDM）和最终测试分包商，提供设计和制造最终测试分选机、测试座和负载板的领先厂商Multitest公司，现宣布推出Kelvin教程。若要低成本测试其测量值相对于接触电阻值很敏感的元件，Kelvin测试座是不可或缺的。真正的Kelvin测试座完全消除了直流电参数测试的接触电阻误差。     

电容分选机分选测试工艺改进

介绍了电容分选工艺的技术现状,通过对分选机分选工艺和电容器各参数测试原理的研究可知,绝缘电阻测试仪对被测电容的充电不足是影响分选机测试精度和分选效率、造成测试不稳定等现象的主要原因.通过对绝缘电阻测试仪内部电源结构、输出控制方式的改进以及接触状态检测技术在测试中的应用,提高了分选机的测试精度和测试效率,改进了产品质量.     

表面加工多晶硅薄膜热导率测试结构

提出了一种使用表面加工工艺设计多晶硅薄膜热导率的测试结构 ,论文推导了热学模型 ,给出了测试方法。由于其制造工艺能和其它微机械器件制造工艺完全兼容 ,因而能够达到监控MEMS器件制造工艺和在线检测的目的     

表面加工多晶硅薄膜热导率测试结构

提出了一种使用表面加工工艺设计多晶硅薄膜热导率的测试结构,论文推导了热学模型,给出了测试方法.由于其制造工艺能和其它微机械器件制造工艺完全兼容,因而能够达到监控MEMS器件制造工艺和在线检测的目的.     

汇流环技术的研究与发展

论述汇流环技术的研究进展。分析了汇流环的主要电性能指标,其中包括接触电阻、绝缘电阻、电介质强度、串扰、电噪声及驻波比等;针对汇流环电接触件结构、电接触材料及零部件制造工艺等方面的研究发展现状分别进行阐述;探讨了汇流环未来的发展方向:小型化、集成化以及向民用领域拓展。     

电气互联技术的现状及发展趋势

简要介绍了国外电气互联技术的现状，从电路可制造性设计、堆叠装配、FPC组装设计与工艺、PCB可制造性分析及虚拟设计技术、微波电路互联结构及绿色清洗技术等7个方面分析了电气互联先进制造技术的发展方向。     

一种新型板件连接

TOX板件冲压连接工艺是一种新的板件连接技术。作者对TOX板件冲压连接技术进行了应用研究，并取得了一些经验。主要介绍一种板件连接技术－板件冲连接工艺，较详细地叙述了其原理、应用范围及工艺要点。     

TDICCD相机成像系统片式电阻失效分析

为了判断TDICCD相机成像系统在温度循环试验中出现的故障原因,通过故障模式影响及危害性分析,建立了故障树。经排查分析和测试,判断故障部位是地址线表面贴装片式电阻。元器件可靠性中心通过电测和DPA,对该片式电阻进行了失效分析。检查结果表明,该片式电阻是由使用过程中的异常外力造成片式电阻器端电极局部脱落,并排除了该器件存在批次性缺陷的可能。异常外力的来源是电装操作人员在返修过程中焊接时间过长,热应力导致片式电阻器端电极局部脱落。改进措施为严格控制片式电阻焊接时间小于2s。该故障定位准确,机理清楚,经试验验证,措施有效。     

无损耗电阻器用于实现负阻性电路系统的稳定

对无损耗电阻器的特性和功能作了分析和探讨，建立了无损耗电阻器的数学模型及应用补偿算法。由于无损耗电阻器可由理想开关阵列和电路储能元件组成，所以损耗极小。利用无损耗电阻器可节省能源的牧场生，将无损耗电阻器代替电阻器用于负阻性电路系统中，实现了负阻性电路系统的稳定，减少了电路中的能量损耗，并可控制系统的响应时间。实验结果验证了特性分析和补偿算法的正确，说明无损耗电阻器可用于实现具有不稳定极点的各类电系统和自动控制系统的稳定。     

钽掺杂的钌基厚膜电阻导电相和玻璃相颗粒尺寸效应的研究

本文报道了钽掺杂钌基厚膜电阻制备过程中导电相和玻璃相颗粒尺寸效应的实验研究结果。当导电相和玻璃相颗粒尺寸分别达到25和50nm时,电阻阻值和电阻温度系数也随之发生显著变化,并尝试根据厚膜电阻导电机理对其产生的原因进行定性的分析。     

场发射阵列中的分布电阻层

文章提出一种具有网格状分布电阻层结构的场发射阵列（ＦＥＡ）。讨论了电阻层的横向电阻和纵向电阻对器件性能的影响。实验结果表明，通过引入电阻层，器件发射的不均匀性得到较大改善，异常发射得到有效的抑制。     

Modeling of N-well device and N-well field resistors

Modeling of both N-well device and N-well field is reported here. A simple model as well as an advanced model have been used to model both types of resistors. The modeling has been carried out using MATLAB 6.5 and equations derived from device physics. Detailed modeling of an N-well field resistor, which is not generally available in the literature, has been carried out in great details. The results of various models applicable to different types of N-well resistors have been compared with operating conditions kept the same. A simulation strategy for circuit design has also been suggested.     

微波连接器绝缘电阻的测试

本文介绍连接器绝缘电阻的测试,重点阐述如何确定其测试条件,以保证测试的准确性和一致性。     

激光调阻中切槽质量与影响因素的关联定位分析

在激光调阻中,切槽质量的评价主要包括清晰度、光滑度、平直度、垂直度和一致性等方面的内容,它们直接决定了生产片阻的品质与等级。为了得到优质切槽,掌握切槽质量与影响因素之间的关系,文章从两个角度进行分析。一是在复杂的光、机、电和计算机一体化的设备中,分析影响切槽质量的几个主要因素;二是重点分析并确定切槽质量与相关因素的对应关系。根据这些分析就可以在切槽质量发生不良时定性地得到原因并采取正确措施,无论是对调阻技术的改进还是在片阻生产中都具有重要的指导意义。     

范德堡和条状结构埋层电阻的测试及研究

薄层电阻经常被用于PCM以及SPICE模型的关键电阻测试。在正常情况下呈现欧姆特性。同时我们可以看到,随偏压的变化,JFET器件中的埋层电阻也发生相应的变化。本文研究了条形电阻和范德堡两种标准结构的电阻,同时利用2D、3D器件模拟,给出了优化电阻测试的路径和方法。     

高密度基板埋入电阻胶的开发

概述了聚合物厚膜胶和聚合物厚膜电阻器的开发,适用于制造高密度元件安装和元Pb化焊接用的埋入电阻型印制板。