改进偏置电路提高音质的单声道60W晶体管功率放大器

本文介绍一款通过仿真对各种偏置电路的传输特性做了认真分析比较后设计的单声道60W功率放大器,使放大器的传输特性有所改善,音质进一步提高。整个放大器由对称的两级电压放大器和两管作达林顿连接的SEPP电路构成。电压放大级和功率放大器均采用独立的稳压电源单独供电,并设置有电源关闭型扬声器保护电路,输出级晶体管过流防止电路等保护电路。在8Q扬声器上可输出60W,其音色非常自然。     

影响晶体管功放音质的因素与对策

可变的时延影响功放的动态稳定。降低电路对进入非线性的敏感度,是降低TIM的一种有效方法。提高晶体管功放动态余量,是改善其音质的良好途径。设计不合理的过流保护电路,限制了功放在复合性阻抗负载下的输出功率。本文分析了以上原因,给出了解决方法。     

晶体管15W甲类功率放大器

本刊去年举行了“斯巴克杯”有奖征文活动暨放大器设计竞赛,有众多的读者参与了此项活动。本文系放大器设计竞赛的二等奖作品,现刊登出来以飨读者,并与大家进行交流。     

双极型晶体管AB类放大器偏置电路的设计

本文首先介绍了双极型晶体管在AB类工作状态下的一些固有特性，并对几种常用的偏置电路进行了分析，在此基础提出了一种能兼顾放大器各种主要性能指标的偏置电路设计方法。     

晶体管放大器偏置电路的噪声计算

本文首次给出了晶体管放大器三种电路组态各管脚偏置噪声的计算方法。该方法能够定量模拟晶体管放大器不同工作状态下的偏置噪声，从而为晶体管放大器偏置电路的噪声分析和低噪声优化设计提供了有利的工具。     

HBT MMIC功率放大器的自适应线性化偏置技术

设计HBT MMIC功率放大器,偏置电路的选择对于提高功率放大器的效率和线性度至关重要.为了在效率和线性度之间取得良好折中,一个重要的方法是让HBT的偏置点随输入信号的功率变化而变化.许多文献都对这种自适应偏置技术进行了研究,然而,对于多种自适应线性化偏置电路比较和分析的文章尚未见报道.本文综合叙述了适用于HBT MMIC工艺,尺寸小、成本低的多种自适应线性化偏置电路,总结了这些偏置电路的基本工作原理,并提出了一种改进的线性化偏置电路.     

LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计

LDMOS功率放大器的热效应会导致放大器的性能恶化,在LDMOS场效应管自热效应模型的基础上分析和仿真了一种最小化器件热效应的偏置电路设计.实验结果验证了偏置电路的仿真设计方法的有效性.     

HBT自热效应对功率放大器偏置电路的影响及补偿

研究了GaAs HBT的自热效应对功率放大器镜像电流源偏置电路性能的影响.HBT自热效应使得这种偏置电路的镜像精度和温度特性变差.利用HBT器件特有的集电极电流热电负反馈理论,通过优化基极偏置电阻的方法,对自热效应进行了有效补偿,偏置电路的电流镜像精度得到有效提高,偏置电流温度漂移由9.5%减小到0.5%.     

一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器

基于IBM0.35μm SiGe BiCMOS工艺BiCMOS5PAe实现了一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器。该功率放大器采用两级单端结构和一种新型偏置电路,除射频扼流电感外,其它元件均片内集成。采用的新型偏置电路用于调节功率放大器的静态偏置电流,使功率放大器工作在高功率模式状态或低功率模式状态。在3.5V电源条件下,功率放大器在低功率模式下工作时,与工作在高功率模式下相比,其功率附加效率在输出0dBm时提高了56.7%,在输出20dBm时提高了19.2%。芯片的尺寸为1.32mm×1.37mm。     

5~6GHz自适应线性化偏置的InGaP/GaAs HBT功率放大器

针对高质量无线局域网的传输需求,设计了一款工作在5~6 GHz的宽带磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器芯片。针对HBT晶体管自热效应产生的非线性和电流不稳定现象,采用自适应线性化偏置技术,有效地解决了上述问题。针对射频系统的功耗问题,设计了改进的射频功率检测电路,以实现射频系统的自动增益控制,降低功耗。通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路(MMIC)技术实现该功率放大器芯片。仿真结果表明,功放芯片的小信号增益达到32 dB;1 dB压缩点功率为28.5 dBm@5.5 GHz,功率附加效率PAE超过32%@5.5 GHz;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-32 dBc。