探针尖磨损误差的计算

在半导体测量中,常规方法是把金属探针压接在半导体硅单晶表面上,电流通过金属探针与晶体表面的接触点流到体内,以探索晶体的各种性质。金属探针要求选用坚硬、耐磨的低阻材料。如合金钢、碳化钨、锇钨金属、锇钌合金等。所用的探针尖的磨损将给测量结果带来不可忽略的系统误差。本文以四探针法为例,在不考虑电压测量、电流大小、探针间距测量及     

射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性

采用射频磁控溅射方法和热处理工艺制备了二氧化钒（VO2）薄膜,并制作了金属钨／VO2／金属钨三明治结构,通过改变金属钨／VO2／金属钨三明治结构中VO2薄膜与金属钨电极的接触面积,研究了VO2薄膜的电致相变特性．采用x射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、四探针和半导体参数测试仪对VO2薄膜的结晶取向、表面形貌、方块电阻和,I-V特性进行了测试．实验结果表明,所制备的VO2薄膜为具有热致相变特性的单一组分VO2纳米薄膜,在热激励下,薄膜的方块电阻相变幅度达到2个数量级;在电压的激励下,VO2薄膜与金属钨的接触面积为12μm×12um时,电流发生跳变的阁值电压为9．4V,随着接触面积的减小,闽值电压也逐渐降低．     

电化学阻抗谱在材料研究中的应用

电化学阻抗谱是电化学研究中的有效工具,在材料研究中有着广泛的应用。综述了电化学阻抗谱在金属材料、金属/聚合物复合材料、半导体材料以及其他材料中的应用。从电化学阻抗谱中可以获得材料的结构与性能的变化以及界面性质等信息,如金属材料中的电荷传递电阻、界面电容等参数,金属/聚合物复合材料中的涂层电容、涂层电阻等参数以及半导体材料中电子转移和复合性质。     

触点材料与绕组的匹配及有关问题的探讨

本文叙述有关触点材料及绕组材料的发展趋势,简单介绍贵金属合金及有色合金触点材料与电位器绕组材料的品种、要求和概况。研究小功率触点材料及电位器绕组材料的匹配问题,并列举出一些电位器绕组材料与电刷匹配关系的典型例子,认为如二者匹配不当则会造成磨损,形成磨损产物和金属疖瘤,而致断络报废。并对影响接触电阻的各种关系,如材料硬度对接触电阻的影响、接触压力、几何形状、化学稳定性、抗电侵蚀性、抗磨性、金属表面上生成氧化物、硫化物和有机污染膜等都会影响元件的接触电阻和稳定性,提出了看法。又对接触材料的电侵蚀及金属转移,影响电弧特性的因素等现象进行了探讨,认为电刷材料和电位器匹配不合理时,可产生电弧,在元件之间出现缺陷,影响因素较多,如气压、温度、湿度、接触表面状态和接点形状等都有一定关系,可加入难熔金属和高蒸汽压的金属起消弧作用,并提出今后应注意的发展趋向。对以上这些关系和现象,进行了论述和研究讨论,通过这些问题的探讨将有助于触点材料和绕组材料的选择与匹配,以防止仪器仪表中电位器与触点的某些障碍,得以改进和提高。     

半导体电学特性四探针测试技术的研究现状

四探针法是材料学及半导体行业电学表征较常用的方法,其原理简单,能消除接触电阻影响,具有较高的测试精度.由厚块原理和薄层原理推导出计算公式,并经厚度、边缘效应和测试温度的修正即可得到精确测量值.据测试结构不同,四探针法可分为直线形、方形、范德堡和改进四探针法,其中直线四探针法最为常用,方形四探针多用于微区电阻测量.本文综述了四探针测试技术的基本理论,包括四探针法的分类、原理和修正,并阐述了四探针测试技术在微观领域的发展.     

界面接触效应对不同尺度半导体制冷器性能的影响

本文建立了半导体制冷器的实际模型,讨论了界面接触效应对不同尺度半导体制冷器性能的影响,并对比分析了接触热阻、接触电阻、冷端温度等对制冷效率和单位面积制冷量的影响。研究发现:接触热阻对半导体制冷器性能的影响比接触电阻大,且界面接触效应对薄膜型半导体制冷器件性能的影响不可忽视。在设计高效率半导体制冷器时,应尽量优化其界面接触效应,并减少接触热阻。     

半导体／金属薄膜的研究进展

半导体／金属薄膜是膜材料中传统而有生命力的材料，在电子及微电子工业、能源、信息科学等领域中的应用越来越广泛［１］。近年来，随着科技的发展，半导体／金属薄膜的应用领域已从传统电子工业中的晶体管、整流器、欧姆接触，扩展到微电子、太阳能利用、半导体多相催化...     

金属有机骨架材料作为荧光探针的研究进展

金属有机骨架材料(MOFs)是利用金属离子或金属离子簇形成的次级结构单元与含氮、羧酸类官能团的有机配体通过自组装形成的具有晶体结构的多孔材料,与传统多孔材料相比,其拥有极高的比表面积和孔隙率,且孔道结构可调。金属有机骨架材料荧光探针的发光机理包括:基于中心金属离子发光、基于有机配体发光、基于配体到金属的电荷转移(LMCT)或金属到配体的电荷转移(MLCT)发光、基于封装具有优异发光性能的客体分子发光。通过检测目标物使金属有机骨架材料荧光光谱发生变化,从而实现对目标物的检测,金属有机骨架材料荧光探针已经在众多领域得到了广泛的应用。金属有机骨架材料荧光探针主要包括传统金属有机骨架材料荧光探针、通过后合成修饰改性的金属有机骨架材料荧光探针以及通过封装客体改性的复合金属有机骨架材料荧光探针。过去学者们热衷于制备传统金属有机骨架材料荧光探针,近来为了丰富其可检测目标物的种类,开始研究将传统金属有机骨架材料荧光探针孔道结构可调的优点与荧光性能优越的客体材料相结合,开发复合金属有机骨架材料荧光探针,或将传统金属有机骨架材料荧光探针进行后合成改性。本文通过介绍近年来金属有机骨架材料荧光探针对爆炸物、阴阳离子、生物小分子、温度、p H以及溶剂中的水等待测物检测识别中的应用,分析目标物使荧光光谱发生变化的机理,总结金属有机骨架材料荧光探针的设计理念,为金属有机骨架材料荧光探针的设计开发提供了新思路。     

Au/Ti/W/Ti与n-GaAs欧姆接触的特性研究

用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,用传输线法对其比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了研究。结果表明该接触在700℃时比接触电阻为1.5×10~(-4)Ω·cm~2,快速合金化后呈现欧姆特性可能与接触界面处生成的TiAs相有关。     

淀积大晶粒Pb膜的研究

一、引言作为集成电路和太阳能电池电极引线的金属化薄膜必须具有较好的抗电迁移性能,使金属/半导体界面保持较低的接触电阻和较好的接触稳定性。减弱迁移的途径之一是增大薄膜晶粒尺寸和取向度,减少晶界短路通道,并减弱原子在晶粒内平行密排面方向     

硅单晶电阻率测量中四探针头的测量

一、前言共线四探针电阻率测量方法是国际上公认的标准方法,它广泛地应用于半导体工业中。本文介绍了四探针头对准确测量电阻率参数的影响和四探针头的测量方法。二、四探针头对电阻率测量的影响用共线四探针测量电阻率的基本原理如图1所示。测量时,四根金属探针同时与样品表面压接接触。外侧1、4探针通以恒定电流I,在内侧2、3探针间测量电位差V。根据理论分析,对于半无穷大样品(即样品的几何尺寸比探针间距S_i大很多倍),其电阻率ρ的普遍公式为:     

AlGaN/GaN肖特基二极管中金属电极的制备方法研究

本文主要研究AlGaN/GaN二极管制备工艺中Ohmic Contact金属和Schottky Contact金属电极的制备,主要讨论了金属电极材料的选取,退火温度和退火时间对接触电阻的影响,最后得出了Ohmic Contact的比接触电阻和TiN的淀积参数。     

流体组装制造的金属-碳纳米管-金属结构

基于碳纳米管的纳米器件制造中,金属-碳纳米管-金属结构是重要部分通过流体组装多壁碳纳米管,并在其上沉积、光刻图形化金属制造了金属-碳纳米管-金属结构．对比不同流体组装条件下的排列效果发现,较大的样品台倾角和较高的气流速度可实现较好的碳纳米管组装．通过对碳纳米管与金属间的接触电阻进行估算和比较,金属包覆碳纳米管比碳纳米管沉积在全电极上的接触方式具有更小的接触电阻和接触电阻分散性,且碳纳米管与金电极接触状态比钛电极好最终通过该方法制造出了接触良好的金属-碳纳米管-金属结构。     

AIGaN/GaN肖特基二极管中金属电极的制备方法研究

本文主要研究AlGaN/GaN二极管制备工艺中Ohmic Contact金属和Schottky Contact金属电极的制备,主要讨论了金属电极材料的选取,退火温度和退火时间对接触电阻的影响,最后得出了Ohmic Contact的比接触电阻和TiN的淀积参数.     

热电材料电阻率测试的影响因素

为提高热电材料电阻率测试的准确度,以康铜合金、钴酸钙、硒化铅、碲化铋、方钴矿等块体热电材料为测试对象进行了一系列测试,研究了接触电阻、附加塞贝克电压和热电偶距离的测量对电阻率测试的影响。结果表明:采用两探针法测试热电材料的电阻率,可消除接触电阻的影响;测试时改变电流方向做两次测试取平均值可消除附加塞贝克电压的影响;热电偶距离测量引起的电阻率测试偏差是比较明显的。     

半导体材料电阻率的测量及电阻率测试仪

一、半导体材料电阻率的测量目前对半导体材料的电阻率测量有接触式测量法和非接触式测量法。而接触式测量法包括二探针法、三探针法、四探针法、六探针法、范德堡法等。其中,四探针法使用最广泛,测量准确度较高。该方法对于不同几何尺寸的材     

利用退火的碳纳米管与金属接触特性的改善

碳纳米管与金属电极间的接触特性是提高纳米器件性能的重要因素.本文采用介电电泳在金属对电极上组装碳纳米管,形成金属-碳纳米管-金属结构.将样品分别在200℃、300℃、400℃下恒温退火1h后自然冷却.通过测量样片的伏安曲线,根据曲线线性度和斜率来评价退火前后的接触状态.实验表明,在三种温度下退火,接触电阻均有不同程度的减小.但一段时间间隔后,电阻又会增加.在本次实验时间范围内,其接触电阻均小于退火前.样片在300℃下分别退火30min、60min、90min后比较其电阻的大小,发现电阻随着退火时间的延长而逐渐减小.     

A~ⅢB~Ⅴ化合物半导体欧姆接触的研究进展

本文全面、系统地评述了A~ⅢB~Ⅴ化合物半导体材料上欧姆接触的研究现状和发展方向。首先考虑金属／半导体接触物理，从理论上阐明了欧姆接触的机理，以及对其表征和测试。其次，文章用大量篇幅，总结了利用不同方法（如重掺技术、金属化和能带工程等）实现各种A~ⅢB~Ⅴ半导体材料上欧姆接触的工艺过程、实验研究和重要结论，其中以GaAs最为详细。结合器件的发展和实际工艺的要求，文章还分析了各种制备方法的优缺点，并指出这方面研究工作目前存在的、急需解决的一些问题。     

半导体材料技术与科学的进展

一、历史简述当人类开始使用电时,最关心的材料是导体和绝缘体,而对介于二者之间的半导体基本上未予注意。最早对半导体进行研究的要算法拉第,他于1833年发现α-Ag_2S在加热时,其电阻不是象金属导体那样上升,而反有下降。1835年,蒙克发现了单向导电现象;1906     

接触电阻的准确测量

导线或金属导体接触有电阻,电势存在,通常称之为接触电阻,接触电势。本文就两导线接触后准确测量接触电阻随外加拉力及电压的变化的规律进行实验。实验结果表明：接触电阻随外加拉力的增加有所减小接触电阻随外加电压的增加有所增大。同时对其它外界因素如振动,接触面积,表面清洁度,以及交流情况等给予了讨论。