我国光刻胶的市场现状及发展趋势

现代微电子技术按照摩尔定律在不断发展．光刻技术也经历了从G线（436nm）,I线（365nm）,到深紫外248nm．及目前的193nm光刻的发展历程．相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生．光刻胶中的关键组分,如成膜树脂、感光剂、添加剂也随之发生变化．使光刻胶的综合性能能更好地满足集成工艺制程要求。目前集成电路制作中使用的主要光刻胶见表1。     

用于浸没式工艺的光刻胶研究进展

浸没式光刻技术是在原干法光刻的基础上采用高折射率浸没液体取代原来空气的空间,从而提高光刻分辨率的一种先进技术.此项技术的实际应用,为当前IC产业的飞速发展起到了关键的作用.本文概述了浸没式光刻技术的发展历程和浸没式光刻胶遇到的挑战及要求;对浸没式光刻胶主体树脂、光致产酸剂及添加剂的研究进展进行了综述;最后对浸没式光刻胶的研究发展方向作了进一步的探讨及初步预测.     

光刻胶树脂结构与性能技术进展

光刻工艺随集成电路的发展成为核心环节,被誉为集成电路制造这顶皇冠上最耀眼的明珠。而光刻技术离不开其辅助材料光刻胶,每一代光刻技术得到的突破都将在相应光刻胶技术上得到体现,从436 nm光刻技术到248 nm KrF光刻技术、193 nm ArF光刻技术再到EUV光刻技术等,与之相应的光刻胶也不尽相同。     

金属基极紫外光刻胶

由于具有光源波长短（13.5 nm）、图案化分辨率高等优点,极紫外（extreme ultraviolet, EUV）光刻技术被认为是突破5 nm甚至是3 nm半导体芯片制程节点的关键技术,与之相对应的EUV光刻胶研发广受关注。但传统的基于聚合物体系的化学放大光刻胶（chemical amplified resist, CAR）因尺寸过大、对EUV吸收低,限制了其在EUV光刻技术的应用进程。部分含有d轨道电子的金属元素具有高的EUV吸收截面,在光刻胶分子中引入这些金属元素可以有效提高对EUV的灵敏度。通过分子设计制备尺寸小、EUV吸收高的金属基光刻胶材料是解决EUV光刻胶服役性能问题的有效途径,已得到了广泛的研究。本文按金属氧簇（MOCs）、金属氧化物纳米粒子（NP）、金属-有机小分子（MORE）进行分类,对目前国内外的EUV光刻胶研究进展进行总结,并对EUV光刻胶未来所面临的机遇和挑战进行了展望。     

金属基极紫外光刻胶

由于具有光源波长短（13.5 nm）、图案化分辨率高等优点,极紫外（extreme ultraviolet, EUV）光刻技术被认为是突破5 nm甚至是3 nm半导体芯片制程节点的关键技术,与之相对应的EUV光刻胶研发广受关注。但传统的基于聚合物体系的化学放大光刻胶（chemical amplified resist, CAR）因尺寸过大、对EUV吸收低,限制了其在EUV光刻技术的应用进程。部分含有d轨道电子的金属元素具有高的EUV吸收截面,在光刻胶分子中引入这些金属元素可以有效提高对EUV的灵敏度。通过分子设计制备尺寸小、EUV吸收高的金属基光刻胶材料是解决EUV光刻胶服役性能问题的有效途径,已得到了广泛的研究。本文按金属氧簇（MOCs）、金属氧化物纳米粒子（NP）、金属-有机小分子（MORE）进行分类,对目前国内外的EUV光刻胶研究进展进行总结,并对EUV光刻胶未来所面临的机遇和挑战进行了展望。     

先进制程用光刻胶及TMAH显影液的改进

光刻是一种利用曝光、显影和刻蚀等工艺将光掩模上的图形转移到衬底材料上的工艺,是半导体器件制造工艺中的重要步骤.其中,在光刻胶层刻画图形时,主要涉及材料为光刻胶、显影液.在G线(436 nm)、I线(365 nm)光刻工艺中,光刻胶主要是酚醛树脂-重氮萘醌体系,显影液一般采用2.38 wt％的四甲基氢氧化铵(TMAH)水...     

国外光刻胶及助剂的发展趋势

光刻是半导体产业常用的工艺．借助光刻胶可将印在光掩膜上的图形结构转移到硅片表面上。光掩膜制备也是一个光刻过程，不过其所用化学品不同。     

远紫外光刻与远紫外抗蚀剂

随着半导体技术的飞跃发展,传统光刻工艺所用光谱波长为350～450nm的光致抗蚀剂,已不适用于波长低于350nm的光源和照明光学系统,为了适应微细加工的需要,就不断研制了电子束、X射线等光刻方法。但由于这些方法机构复杂,装置价格高昂,对准困难,要作为实用的光刻技术还存在着一定的困难。1975年美国IBM公司的B.J.Lin首次发表了远紫外(Deep UV)的光刻文章,他以氙-汞弧光灯波长为     

微加工厚光刻胶掩膜电镀工艺研究

介绍了溢出电镀二次涂覆薄层光刻胶再光刻的工艺流程：磁控溅射法电镀种子层一涂覆光刻胶一溢出电镀一光刻胶二次涂覆一再光刻一电镀。电镜照片表明,通过此方法可以消除微加工过程中在光刻胶掩膜与电镀结构间产生的深沟壑,从而获得了平整性和连贯性良好的镀层。     

高抗蚀性的聚酯型光刻胶

聚酯型光刻胶是国内常用的光刻胶,其特点是分辨率高,可以刻蚀1～2μm的细线,因此在集成电路器件工业中常用于刻蚀细线。国内目前生产的聚酯型光刻胶是聚肉桂叉丙二酸乙二酯(乙胶),虽可刻蚀细线但抗蚀性较差,如提高其分子量以满足抗蚀性,则又仅可用于刻蚀4μm左右的线条。我们最近研究成功的JZ—YD胶(乙丁     

我国电子化学品的现状与发展前景

综述了我国光刻胶、FPD专用化学品、印刷电路板材料、高纯试剂、电子特种气体和封装材料的生产和应用现状,目前我国能工业化生产或批量生产的电子化学品近1000种。我国电子化学品行业近年来的发展并不平衡,“短缺”是当前市场最根本的特征。预计2010年我国电子化学品的市场规模将超过200亿元,将成为全球电子化学品潜在的大市场。     

环化光刻胶用的新型胶

环化橡胶系光致抗蚀剂(光刻胶)是由迭氮化合物和高分子化合物混合制得的迭氮型感光树脂。它主要用于光刻半导体器件和集成电路的图形。吉林化学工业公司化工研究院试制环化光刻胶用的聚异戊二烯胶,是以异戊二烯为原料,以脂肪烃为溶剂,采用稀土催化体系,在0～50℃温度下,在精     

193nm光刻胶的研制

从主体树脂的结构设计、单体的合成工艺、主体树脂的合成工艺、光致产酸剂的评价、配方研究等多个方面论述了193nm光刻胶的研制工艺，合成出了多种适用的单体及多种结构的主体树脂，进行了大量的配方研究，筛选出了最佳配方．研制出的样品经美国SEMATECH实验室应用评价其最佳分辨率为0．1μm，最小曝光量为26mJ／cm^2，不但具有优异的分辨率和光敏性，而且还具有良好的粘附性和抗干法腐蚀性．     

半导体涂胶显影设备热板温度均匀性检测的研究

在半导体芯片加工工艺中，最重要的组成部分是光刻工艺，而在光刻工艺中涂胶和烘烤是不可缺少的。光刻胶涂覆在硅片表面后，可将硅片高速旋转，通过离心力作用使多余的光刻胶流出，可得到一层黏附在紧靠硅片表面上均匀分布的胶层，采用热板加热方式对硅片表面上的光刻胶进行烘干，既能使硅片表面黏附能力得到提高，又可提高曝光中光刻胶的耐磨性能，同时胶层的感光灵敏度和稳定性也得到提高，热板的性能决定了光刻胶能否达到烘干均匀。本文主要针对半导体涂胶显影设备热板的温控测试过程及要求进行了研究，给热板相关领域从业者提供思路、借鉴。     

正型光刻胶—江师4号

正型光刻胶—江师4号光敏剂,已由江苏师院研制成功,其化学名称为:4,4′—双—[1,2迭氮萘醌—(2)—磺酰氧—(5)]—二苯丙烷(2,2)。由于这一类型光刻胶的涂层,经曝光显影后所得的图象与掩膜相同,故称为正型胶。正型光刻胶具有分辨率高(1μ),所得图形逼真,图形边缘整齐,线条陡直与锐度好等特点,灵敏度比负胶高,它的反差亦高,应用于精细的超微性图形的光刻技术中显     

深圳科鼎创业推出高纯超细二氧化硅微粉填补国内空白

深圳科鼎创业公司近期推出新产品——高纯超细二氧化硅微粉，纯度达到99．86％、粒径达到0．4μm，具有高硬度、高耐磨性、高反射性、高导效率、低介电常数、低膨胀系数等特点，不但在传统行业中作重要的填充剂，还可在新兴行业如IC塑封料、电子封装业等行业中发挥重要作用，填补了我国一项空白。     

光刻技术的挑战和解决思路

简介了光刻技术及其国内外发展现状,分析了我国光刻技术面临的挑战,从光刻胶、光刻机、政策和人才等4个方面提出了解决思路.     

电子束固化在粘接技术方面的应用

电子束固化是利用电子束(来自电子加速器)作为一种手段,对涂层、胶粘剂进行干燥加工的新工艺。其基本原理是不饱和预聚物或它和乙烯基单体的混合物,经电子束辐照产生的自由基,在瞬间内发生交联反应而生成三元交联物。目前,电子束固化涂层在美国、欧洲、日本等国和地区已实现了工业化,     

应用技术

<正> 上试二号光刻胶上试二号光刻胶是一种环化橡胶系光致抗蚀剂,相当于美国柯达公司的KMER、KTFR,Hunt 公司的W aycoat,日本东京应化公司的OMR-81、OMR-83等。它是目前国外品种最多、应用最广的一类光刻胶,广泛使用于钼、铜、铬、不锈钢、二氧化硅等金属的光刻。这种胶的基本组成是:溶剂,二甲笨;交联剂,双迭氮化合物;高分子环化的顺式聚异戊二烯,其主要部分结梅式为:     

纤维复合材料及其制造方法

本发明提供一种纤维和碳纳米纤维均匀分散、尤其是在宽温度范围内热膨胀小的纤维复合材料及其制造方法。纤维复合材料包括：弹性体,分散在弹性体中的平均直径为0．7～15nm且平均长度为0．5～100μm的碳纳米纤维,以及平均直径为1～100μm且平均长径比为50～500的纤维;其中,弹性体具有对碳纳米纤维具有亲和性的不饱和键或基团。