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高Tc超导GdBa2Cu3O7—δ薄膜弱连接双晶结研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了获得具有约瑟夫逊效应的超导弱连接结,我们在YSZ(钇稳定的氧化锆)双晶基片上,制备了高TcGdBa2Cu3O7-δ超导薄膜,晶界夹角为24°和32°两种,采用光刻技术的晶界上刻出不同尺寸的微桥,晶界贯穿桥区而形成双晶结,观测了结的直流I-V特性和在10GHz微波辐照下临界电流的压缩hapiro台阶,实验结果证明双晶结具有约瑟夫逊弱连接行为,在实验基础上,对结的特性进行了理论分析,并将双晶结用于 相似文献
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高温超导GdBa2Cu3O7—δ薄膜双晶晶界结及光探测器 总被引:1,自引:0,他引:1
在晶界夹角为24°的Zr(Y)O2人工双晶基片上制备高温超导双晶Gd-Ba2Cu3O7-δ薄膜,用光刻技术在晶界上刻出10×10m2的双晶晶界结,它与外电路一起构成光探测器。在80K用He-Ne激光和500K黑体作为辐射源测量了光探测器的响应特性。探测结果:噪声等效功率NEP分别为6.7×10-14和3.8×1014WHz-1/2,归一化探测率分别为1.4×1010和2.6×1010cmHz1/2W-1;响应度分别为1.8×107和3.2×107VW-1。 相似文献
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用高TcGdBa2Cu3O7-δ薄膜设计并研制了单元及2×2阵列型红外探测器。其中2×2阵列型器件的四个单元探测器的Tc值及R-T特性相差≤3%。使用500K黑体及He-Ne激光作为辐照源。单元及阵列器件最好的结果为噪声等效功率NEP(500,10,1)分别为3.6×10-12和4.1×10-12W/Hz1/2,归一化探测率分别为1.6×1010和1.2×1010cmHz1/2/W;响应率分别为8.2×104和7.2×104V/W。 相似文献
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本文对红外探测器进行理论分析的基础上,设计并研制了液氮温度下的GdBa2Cu3O7薄膜红外探测器,系统地测试了器件的特征参数。 相似文献
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本文针对超导光电探测器件中测辐射热和光致非平衡两种机理进行了理论分析,给出了器件响应率的计算方法。实验测量了YBa2Cu3O7-δ晶状膜和外延膜光电器件的探测特性,并将实验测量结果与所提出的理论模型进行了比较,制备出性能指标较高的YBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜光电探测器件。 相似文献
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采用准分子激光扫描消融法淀积YBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜,利用常规光刻工艺制备线列高温超导薄膜器件,采用离子束刻蚀制备与高温超导薄膜器件匹配的熔凝石英微透镜阵列,测试了微透镜/高温超导薄膜器件所构成的混合结构在1 ̄5μm红外波段的几项重要的光响应特性。 相似文献
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首次报导了一种改进结构的P^+Ge0.3Si0.7/P-Si异质结内光发射长波长红外探测器在77K下的电学特性和光学响应特性。 相似文献
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研制了在平面结内无敏感区的光探测器,测量结果表明其光电流是显著的。在这种器件的基础上,研制了受栅极控制的无平面结敏感区光探测器,实验测量说明这种器件的光电流输出不仅依赖于受光信号,还受到栅极电压信号的控制。这种输出信号受到光与电信号双重控制的特性,扩大了光探测器件的应用领域。 相似文献
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设计了基于石墨烯/硅纳米线阵列异质结的高灵敏度自驱动光探测器。该探测器中的纳米线阵列为直径约为100 nm的周期性结构,表面纳米结构的光捕获效应可以有效地抑制入射光的反射,增加了有效光照面积,增强了异质结的吸收,从而提高了器件的光电检测性能。实验制备出的异质结在±3 V偏压下表现出明显的电流整流特性,整流比为6.93×105。此外,由于纳米线阵列的光捕获效应增强了探测器在紫外到近红外的吸收,所以该探测器的探测范围可以从紫外到近红外光。在入射波长810 nm、光强为90μW/cm2的光照下,光探测器的光电流响应度可以达到0.56 A·W-1,光电压响应度达1.24×106 V·W-1,探测率为1.18×1012 Jones。更重要的是,该器件具有30/32μs的快速升/降响应速度。 相似文献
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采用偏轴直流磁控溅射原位生长YBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜,以H3PO4为腐蚀液,采用化学湿刻工艺制作YBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜微桥,微桥长10μm,宽5μm,在8mm微波源的辐照下,除观察到整数常压台阶外,还观察到n=1/2,1/5,6/5,9/5等分数常压台阶,分数台阶的高度随微波功率的变化较整数台阶更敏感。 相似文献
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用分子束外延方法生长了p^+-GexSi1-x/p-Si异质结,并用平面工艺制成了内光电红外探测器,器件截止响应波长达9μm,在52K时,Rv500K=3.3×10^3V/W。 相似文献
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P^+—GexSi1—x/p—Si异质结红外探测器性能的提高 总被引:3,自引:0,他引:3
通过采用层叠结构、增加SiO2介质腔和铝反射镜、背面蒸镀SiO抗反射层等措施,使P^+-GexSi1-x/p-Si异质结内光发射红外探测器在77K下的性能提高到在不加偏置电压的条件下响应范围2 ̄8μm,D(5.5,1000,1)^*=1.1×10^10cmHz^1/2/W,量子效率可达4%。其Dp^*已达到实用的PtSi红外探测器的量级。另外,在器件的结构设计中,我们采用了一种改进的电极结构,以提 相似文献
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描述了 Ge_xSi_(1-x)/Si 异质结长波长红外探测器的基本工作原理及结构,并结合器件介绍了实现异质结生长的各种工艺,如 MBE,CVD 等。 相似文献
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