薄膜蒸镀光学控制中一种现象的数学分析

证明了在连续蒸镀两层高、低折射率介质膜过程中，当第一层厚度不足／４厚时，刚开始蒸镀第二层膜时其反射率变化趋势与第一层膜相同。并由此展开，说明两层厚度不足／４的薄膜在很大程度上等价于一层／４厚的薄膜。     

真空分层蒸镀InSb薄膜的研究

采用双源分层蒸镀的方法制作ＩｎＳｂ薄膜，将区域熔融技术用于ＩｎＳｂ薄膜的热处理，提高了薄膜的纯度和择优定向程度，室温下电子迁移率达到３００００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）。在此基础上，分析了影响ＩｎＳｂ薄膜性能的几个主要因素。     

蒸镀次序对Pd,Ge双层膜固态反应的影响

蒸镀次序对Ｐｄ、Ｇｅ双层膜固态反应的影响陈志文，张庶元，谭舜，李凡庆，卢江，吴自勤（中国科技大学结果构分析开放研究实验室，中国科技大学基础物理中心，合肥２３００２６）本文研究了不同蒸镀次序Ｐｄ、Ｇｅ双层膜的固态反应行为。通过真空镀膜机在新解理的ＮａＣ...     

精确拟合两种薄膜的光学常数及其应用

研究了一种新的研究薄膜光学参数的方法,在同一基片上沉积两种薄膜,可以同时对这两种薄膜材料进行参数拟合。通过材料实验与光谱测试,基于柯西公式拟合得到了两种薄膜在可见与近红外波段的光学参数。将获得的薄膜参数应用到透450～600、反650～800滤光膜的设计与制备中,结果表明,用该方法获取的薄膜材料参数具有较高的准确性。     

电子束蒸镀厚SiO2膜的工艺研究

本文研究了用电子束蒸镀工艺制备用于光波导器件的SiO2膜。采用高温退火处理工艺使SiO2膜的光学和物理特性稳定。在蒸镀过程中,输入不同压力的O2,可以改变和控制SiO2膜的组分,达到控制膜折射率的目的。通过逐次蒸镀、退火的工艺,实现1μm以上厚SiO2膜的制备。     

热蒸镀法与溶胶-凝胶法制备的WO3薄膜

采用真空热蒸发沉积技术在衬底上沉积了WO3薄膜；以金属W粉为无机原料，溶胶—凝胶技术结合浸渍镀膜方法制备出WO3薄膜，借助SEM、可见光分光光度计、椭偏仪等仪器测量了薄膜的特性。实验表明：热处理使两种方法制得的薄膜致密，折射率增大，WO3颗粒增大；在热处理条件相同的情况下，溶胶—凝胶法制备的WO3薄膜折射率比热蒸镀法制备的WO3薄膜折射率小。     

光学滤波片薄膜镀制工艺中的监控技术模拟分析

在窄带滤波器件的研制过程中，模拟分析了采用极值法对膜层厚度进行光学监控及其偏差对滤波器件光学特性的影响，并给出了一个4腔DWDM滤波片的理想工艺曲线以及模拟计算所得到光学特性的分布曲线，计算结果有利于指导高品质薄膜器件的研制，并研制出符合工业应用标准要求3腔和4腔的100GHz,200GHz的DWDM滤波片以及CWDM滤波片。     

一氧化硅减反射涂层的理论分析和蒸镀

本文在理论上,用角谱法分析了1.3μm InGaAsP/InP 半导体激光器腔面镀膜后的剩余反射率,并对 TE 波算出了单层近似结果。在实验上,较详细地讨论了 SiO 减反射膜的蒸镀。并通过对1.3μm 激光器前后腔面蒸镀 SiO 减反射膜而制成了超发光二极管。     

线性共蒸法制备渐变折射率薄膜的光学特性分析

利用德鲁德理论和洛伦兹一洛伦茨理论，从介电常数分析人手，探讨了混合介质膜的折射率表达式，给出利用双源共蒸法镀制的渐变折射率薄膜在混合介质膜的总沉积速率恒定、两种膜料的单分子大小近似相等和沉积速率均为线性变化时的折射率表达式；从正变和负变、单周期和多周期、不同的周期数和不同的单周期厚度几个方面对渐变折射率薄膜的光学特性进行了模拟分析和讨论；对渐变折射率薄膜的实现、应用以及实验制备中有待进一步解决和处理的问题进行了讨论。     

一种新型光学偏振薄膜的制备及其性能研究

对还原深蓝BO进行磺化改性处理引入磺酸基,使其成为双亲性化合物。磺化改性后的还原深蓝BO分子在一定浓度的水溶液中自组装成溶致液晶相。将溶液在玻璃衬底上展开,同时在其上覆盖另一载玻片进行摩擦涂膜并剪切诱导分子取向分布,溶剂自然蒸发后形成固态偏振薄膜。用红外光谱对改性后的还原深蓝BO分子的结构进行表征,用偏光显微镜、紫外可见分光光度计研究其水溶液及其固态偏振薄膜的性质。结果表明:磺酸基的引入改变了还原深蓝BO分子的极性,它所形成的固态偏振薄膜具有良好的光学偏振效率,最佳偏振效率达到90%以上,耐热性能测试表明该偏振薄膜的最高耐热温度在200℃以上。     

一种新型的光学电压互感器

介绍了一种不采用1／4波片的新型光学电压互感器,该互感器适用于高电压值的测量。该设计基于Pockets效应,但不采用1／4波片结构。基于Jones矩阵,建立了光学电压互感器的数学模型,设计出最佳输入角及工作点,推导出电压与输出光强的理论公式。与传统电压互感器进行了比较并且进行了相关实验,证明此设计结构更简单,精确度更高。     

一种用于薄膜热容测量的微热量计的设计与制作

目前已发现并证实薄膜的热导率和热扩散率存在着尺寸效应。本文为了研究薄膜的另一个热学性质比热是否也具有尺寸效应,提出了一种用于薄膜热容测量的新方法,其相应的实验器件为一悬膜结构。从理论上阐述了其测量原理,结合ANSYS热学模拟设计并利用微机械加工技术制作出SiO2悬膜结构,悬膜由两个悬臂支撑,在悬膜上制作了Pt薄膜电阻同时用于加热和测温。这种结构加快了样品、悬膜和加热/测温电阻之间的热传递,减小了悬膜的热损失,提高了测量精度。     

用于太阳电池吸收层的Cu2ZnSnS4薄膜的制备及其光电特性

采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)、Hall效应测试仪、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对样品进行了表征分析,研究了前驱体中预计原子比对CZTS薄膜的晶体结构及光电特性的依赖关系.通过对蒸发源Cu的质量的控制与微调,获得了具有单一相类黝锡矿结构的CZTS薄膜,其对可见光的光吸收系数大于104cm-1、光学禁带宽度约为1.51eV,薄膜的电阻率、载流子迁移率和载流子浓度分别为1.46Ω·cm,4.2cm2/(V·s)和2.37×1018cm-3,适合作为薄膜太阳电池的吸收层.