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粗铟真空蒸馏除镉的试验结果表明,在450~500℃、真空度20~30 Pa、蒸馏时间2 h的条件下,除镉率可达97%~99%.生产实践表明,采用该工艺除镉,粗铟含镉可降至0.01%,除镉后的铟能够满足电解工艺对原料的要求. 相似文献
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介绍了某厂粗镉真空蒸馏工艺生产精镉的生产情况, 分析了置换法生产的蒸馏镉杂质超标的原因。通过向真空蒸馏炉直接进液体料, 大大提高了产能。 相似文献
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采用真空蒸馏-籽晶定向凝固工艺制备6N及以上高纯铟,考察了蒸馏温度、凝固速度及凝固次数对杂质脱除率的影响,并对半导体用高纯铟进行了表面分析及其纯度测定。结果表明,真空蒸馏温度1 273 K、保温时间60 min、定向凝固温度150~170 ℃、籽晶转速5 r/min、坩埚转速15 r/min、凝固速度20 mm/h、凝固次数3次条件下,高纯铟产品纯度达到6N及以上超高纯铟标准,该工艺所得金属铟结晶度高,呈现出片状结构,金属呈单晶相,实现了6N及以上金属铟的稳定结晶,并且金属铟没有腐蚀和表面氧化,该半导体用高纯铟制备工艺所得产品纯度高、制备过程能耗低和效率高,利于实现产业化。 相似文献
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本文研究了粗铋真空蒸馏脱银的可能性及规律性。试验结果表明,采用真空蒸馏法脱除粗铋中银代替传统的加锌除银法,在技术上是可行的。在蒸馏温度900~950℃,时间15~20min,系统残压38~45Pa,熔体深度4~5.4mm条件下,一级真空蒸馏含Ag1.63%的粗铋时铋挥发率在99%以上,冷凝物中银含量为68~170ppm,银在残留物中含量达45%~60%。所得冷凝物经重蒸馏后含银降至23~31ppm,低于国家一号精铋规定的含银标准。 相似文献
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采用真空蒸馏的方法提纯1#镍,原料镍的纯度为99.96%。计算了1773~2023 K下,镍中各杂质元素的饱和蒸气压,部分杂质元素在某温度下的真空蒸馏分离系数β。考察了实验温度、真空度、实验时间对实验结果的影响。在温度为1873 K,保温时间2.5 h,真空度3~9 Pa的实验条件下产物已经达到了0#镍的国家标准。 相似文献
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采用真空蒸馏的方法提纯1#镍,原料镍的纯度为99.96%。计算了1773~2023 K下,镍中各杂质元素的饱和蒸气压,部分杂质元素在某温度下的真空蒸馏分离系数β。考察了实验温度、真空度、实验时间对实验结果的影响。在温度为1873 K,保温时间2.5 h,真空度3~9 Pa的实验条件下产物已经达到了0#镍的国家标准。 相似文献
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在系统压力5 Pa~10 Pa、蒸馏温度1470 K~1570 K条件下,开展了铟-锡(In-Sn)二元合金真空蒸馏实验研究,结果表明随着蒸馏温度升高,液相中In含量从14.31 wt. %降至0.01 wt. %,表明真空蒸馏可有效分离In-Sn合金。采用分子相互作用体积模型(MIVM)计算In-Sn合金组元的活度,计算值与实验值的平均标准偏差分别为±0.0113、±0.0154,平均相对偏差分别为±11.8134%、±11.7322%,表明采用MIVM预测In-Sn合金组元的活度是可靠的。在此基础上,采用MIVM预测In-Sn合金体系的气-液平衡(VLE)数据,并与实验值进行对比,二者吻合,表明采用MIVM预测铟基合金体系的VLE是可靠的,可用于指导真空蒸馏分离铟基合金。本研究将模型预测与真空蒸馏实验相结合,不仅验证了MIVM的可靠性,还优化了真空蒸馏分离铟基合金的工艺参数,为真空蒸馏分离提纯铟基合金或处理含铟复杂物料提供指导。 相似文献
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首先采用MIVM计算了Al-Mg合金组元的活度,平均相对偏差和平均绝对偏差分别小于±2.231%、±0.035,表明采用MIVM计算Al-Mg合金组元的活度是可靠的。在此基础上,结合气-液平衡(VLE)理论,计算了Al-Mg合金体系的气-液平衡,并绘制了VLE相图,结果表明:蒸馏过程中铝、镁分别在液相和气相富集,二者能实现较好分离。开展了Al-Mg合金真空蒸馏实验,获得了VLE实验数据,并考察了蒸馏温度、保温时间对镁挥发的影响。结果表明:VLE计算值与实验值吻合,表明本研究建立的VLE计算模型是可靠的。另外,在蒸馏温度1373K、系统压强10~15Pa、保温时间120min条件下,镁的挥发率高达99.98%,直收率达到98.65%;残余物中Mg含量降至0.0017%。本研究为真空蒸馏回收铝镁合金废料奠定了理论及实践基础。 相似文献
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共沸精馏技术研究及应用进展 总被引:2,自引:0,他引:2
本文综述了共沸精馏的特点、分类及共沸剂的选择。根据所形成的共沸物能否分离为不互溶的两个液相,共沸精馏分为均相共沸精馏和非均相共沸精馏。介绍了近些年共沸精馏技术的应用研究进展,并提出了非均相共沸精馏技术的优势及展望。 相似文献
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