表面分析讲座 第四讲 俄歇电子谱仪(二)

在固体表面的俄歇分析中,应用筒镜型能量分析器(CMA)取得俄歇微分谱是普遍采用的灵敏度较高的方法。但是,如何由测出的俄歇峰的位置、峰高、峰形正确地得出关于待测的固体表面的更多信息,既有实验方法,也有数据分析和处理问题。 1.特征俄歇峰的分析     

俄歇电子能谱仪在氧化铜定量分析中的应用

将基体效应修正引入到俄歇电子能谱仪定量分析中,基于Monte Carlo模拟和TPP-2M模型进行了氧化铜样品中各元素背散射因子和非弹性平均自由程的计算,对氧化铜标样在相同条件下重复10次进行俄歇能谱试验。将修正因子引入到氧化铜标样的俄歇定量分析中,基体效应修正后,氧化铜中各元素含量的相对误差大大减小,俄歇定量分析的精确度有很大提高。     

俄歇定量分析基体效应校正因子的获得

本文探试了一种俄歇定量分析基体效应校正因子获取的新方法。通过测量淀积过程中的俄歇强度——时间曲线,并对此进行拟合,得到定量分析所需的相对背散射因子和相对非弹性碰撞平均自由程。将它们用于合金样品的定量分析,得到了较好的结果。实验表明,非弹性碰撞平均自由程效应的校正和背散射因子的校正对定量分析是同样重要的。     

俄歇电子谱术

介绍了俄歇电子谱术的某些基本问题，内容包括：俄歇电子发射、表面灵敏性，俄歇电子谱的测量，定性和定量分析，深度剖析等，最后介绍了三种俄歇谱仪的功能扩展，功函数测量，材料结构性能量和电子态密度测量。     

俄歇电子能谱定量分析的进展

本文扼要地评述了俄歇电子能谱定量分析的最新进展及其存在问题。首先评述了第一原理模型的俄歇电子能谱的物理基础,并分别对其中各种参数进行估算。同时,对以下专题进行了讨论。 1.利用俄歇电子能谱进行表面定量分析的方法;样品均匀性;强度的确定;带电效应;束流对样品的损伤。 2.对限制深度分布定量计算的各种现象进行了讨论。例如,溅射速率;表面原生粗糙度和束流引起的粗糙度;撞击和原子混合效应;择优溅射;离子束激发的俄歇电子能谱等。对于这些现象对深度分辨率的影响及其对溅射深度的依赖关系进行了讨论。     

电子束诱导表面组份变化的俄歇分析

本工作主要研究了超高真空环境中(5×10~(-10)Torr)多晶Al、Mo、Cu表面在3keV电子束轰击下,表面组份的变化。通过检测俄歇峰高随电子的轰击所发生的变化,对表面组份在电子轰击下所发生的变化进行了观察,并对这些变化的机理进行了探讨。     

氮化钛薄膜的高分辨AES谱和XPS谱研究

着重讨论了ＴｉＮｘ薄膜俄歇电子谱的定量分析方法和Ｘ射线光电子谱中线形的变化。利用已夼组元强度定量分析技术的ＬＭＶ俄歇电子峰，探讨ＴｉＮｘ薄膜中Ｎ含量的定量方法。由该方法给出的定量结果与Ｘ射线光电子谱定量结果相致，同时，利用Ｘ射线光电子谱测定了ＴｉＮ和Ｔｉ２Ｎ２Ｐ轨道的结合能。并针对Ｔｉ２Ｐ峰形随Ｎ含量的变化，给出新的解释。     

氮化钛薄膜的高分辨AES谱和XPS谱研究

着重讨论了TiNx薄膜俄歇电子谱的定量分析方法和X射线光电子谱中线形的变化。利用已知组元强度定量分析技术和Ti的LMV俄歇电子峰，探讨TiNx薄膜中N含量的定量方法。由该方法给出的定量结果与X射线光电子谱定量结果相一致。同时，利用X射线光电子谱测定了TiN和Ti2N2p轨道的结合能。并针对Ti2p峰形随N含量的变化，给出新的解释。     

薄膜成分俄歇深度定量分析中的若干问题

深度分辨率和定量分析精度是薄膜组份深度剖面分析中两个基本物理量。首先从实际应用的角度出发.讨论了薄膜成分的俄歇深度剖面定量分析中的几个主要问题。其中包括溅射离子能量、入射角度和样品的化学组成对深度分辨率的影响及其优化。给出了组份溅射深度剖面定量分析方法。提出了定量分析中进行离子溅射修正、基本效应修正和深度定标的具体方法和措施。     

碳纤维碳化特征的SAM微观分析

本文应用SAM方法检测了由不同工艺条件造成的碳纤维的污染和产生的缺陷。对任意一根碳纤维,其表面和内部的碳俄歇峰、峰高和峰形都有差异,这一差异导致碳沿径向分布不均匀,并影响到碳纤维的力学性能。采用SAM的方法可监测予氧化和碳化过程中的工艺参数以便提高碳纤维的质量。      

PECVD SiC薄膜的AES研究

本文介绍用俄歇电子能谱对等离子增强化学气相淀积非晶碳化硅薄膜进行组分的定量分析、深度剖析和元素的化学状态分析;不同制备条件下非晶碳化硅薄膜的一些淀积规律和工艺中的问题,并利用SiLVV和C KLL俄歇谱探讨非晶碳化硅的特征和硅、碳的化学状态。     

无皂胶乳和240脱气前后乳液中残单的气相色谱分析

本文介绍用EGG作固定液，癸二酸作减尾剂，酸洗硅烷化Chromosorb作担体，峰高内标法定量分析无皂胶乳和240脱气前后乳液中残留CB、DCBD、MAA单体含量。以含有分散剂的水溶液适量稀释样品后直接进样，此法操作简便，可用于生产控制及产品分析，经济环保。     

Al_XGa_(1-X)As俄歇定量分析

本文提供一种较精确的表面微区俄歇定量分析方法——组元素标样法,并在两个系统中对具有0.0相似文献   

采用隔离放大器的俄歇电子谱仪

1.前言当前,作为表面研究手段的俄歇电子谱仪已经确定了牢固的地位。光电子谱法与质谱法的谱线可分别表示为能量分布E—N(E)关系和质量分布关系,通常俄歇电子谱是用能量分布的微分曲线E—dN(E)/dE来表示的。由于通常的俄歇电子峰是一个在相当大的二次电子本底上叠加的很弱的峰,因此要用能量分布的方式把它检测出来是异常困难的。虽然微分法在俄歇谱仪中是不可缺少的技术,但对时间的能量分布要比微分分布更为有用。例如,在考虑定量分析的情况下,因为前者意义明确所以更为优越。此外,由于二次电子本底是反映     

用蒙特卡罗方法计算俄歇电子谱中的背散射因子

俄歇电子谱（AES）要成为样品定量分析的手段，必须考虑背散射电子与俄歇电子平均逃逸深度对俄歇电子产额的影响。本文提出一种对固体中低能电子背散射过程的简化模型，并进行蒙特卡罗计算机模拟研究，以确定背散射因子的方法，不仅可减少计算时间又能保持必要的精度，而且具有不依赖于实验测量误差的优点。以铜、银材料为实例，所得的背散射因子与文献报道相符，表明所采用的简化模型是合理的。     

Hg1-xCdxTe材料AES定量分析中的电子束和离子束效应

在Hg1-xCdxTe材料的AES分析中 ,由于分析电子束辐照作用 ,可诱导表面Hg原子的脱附和热升华 ,导致短时间内样品表面严重失Hg ,使AES定量分析结果产生很大的误差。实验结果表明 ,在超高真空中分析电子束辐照下局部Hg元素的挥发损失以负指数关系进行。通过选择离子束溅射速率大于电子束蒸发速率 ,并在溅射的同时进行俄歇信号收集 ,则可减小或消除分析电子束对元素Hg的蒸发作用 ,获得稳定的俄歇信号。实验结果还指出 ,溅射离子束的参数会影响元素的相对溅射产额 ,具体定量分析时应选择相同的溅射条件     

液相色谱仪准确度降低的原因及解决方法

液相色谱仪利用试样中各组分在色谱柱中固定相和流动相间分配或吸附特性的差异，由流动相将试样带入色谱柱中进行分离，经检测器进行检测，根据组分的保留时间和响应值(峰高或峰面积)进行定性和定量分析。液相色谱仪在使用过程中常有定量结果不准确，准确度降低情况出现，如何解决液相色谱仪在使用过程中准确度降低的问题，须从以下原因入手寻找解决的方法。一、峰高、峰面积的积分值不准确解决的方法是设下列参数：样品量、换算比例、内标物量、保留时间。经适当变化后，重新进标样提高试验准确度。二、样品预处理时样品降解或样品不纯解决…     

利用遗传算法定量分析Ni/Cr多层膜俄歇深度谱

在MRI模型框架下,将遗传算法与卷积及TV-Tikhonov正则化反卷积方法结合,对Ni/Cr多层膜样品在旋转和非旋转条件下测量的俄歇(AES)深度谱进行了定量分析,确定了膜层间的界面粗糙度,重构的原始膜层结构与高分辨透射电镜测量的结果非常好的吻合.     

一种通过峰形分析进行色谱定性方法的研究

<正> 1.前言目前,大多数色谱分析所能得到的是二维色谱图。从谱图上测定的峰高或峰面积是定量分析的依据,但应用谱图进行定性分析的研究则很少。因此,虽然不够充分,往往也只能凭保留时间进行定性分析。70年代初,Grushka等人利用二维谱图,应用统计矩分析和斜率分析方法,对谱峰进行纯度分析;Klein等人则通过峰宽和峰顶点位置的变化来判断是否     

低能Ar^＋离子溅射合金表面组份变化的俄歇电子谱研究

用 AES分析了 AgCu、NiCr 合金受低能 Ar~+离子轰击后表面组份的变化,通过俄歇低能峰(LAES)和俄歇高能峰(HAES)的分析发现,离子轰击使合金表面组份达到相对稳定时,停止轰击后表面成分在短时间内有一个变化。离子轰击引起表面成分的变化发生在表面外层和以下数层内。随着轰击离子能量和束流密度的变化,表面最外层成分处于相对稳定和饱和的趋势,而亚表层内成分随之变化。对此,估算了这种变化对 AES 定量分析的影响,并对离子轰击诱导表面偏析和增强扩散效应进行了讨论。