神经网络优化ITO废靶酸浸回收铟(英文)

以提高铟浸出率为目标,通过工艺实验结合神经网络研究ITO废靶酸浸的优化工艺。首先,固定其他工艺因素,进行单因素如残酸度、氧化剂加入量、酸浸温度及时间对铟浸出率影响的实验研究。结果表明,增大残酸度可提高铟浸出率;氧化剂的加入可明显提高铟浸出率,但增加到一定程度后浸出率提高不明显;升高温度可明显提高浸出率,但继续升高则会降低铟浸出率;延长浸出时间也可提高铟浸出率。通过反向传播算法的人工神经网络(BPNN)研究多因素的综合作用对铟浸出率的影响规律,预测值与实验值相差很小,表明所建立的BP模型铟浸出率能比较准确地预测。最终,通过BPNN预测以及实验验证,获得高达99.5%浸出率的工艺参数:残酸度50~60 g/L、氧化剂含量10%、浸出温度70°C和浸出时间2 h。     

纳米ITO粉末及高密度ITO靶制备工艺的研究现状

对铟锡氧化物ITO(Indium Tin Oxide)纳米粉末的制备方法如均相共沉淀法，水溶液共沉淀法，电解法，溶胶-凝胶法，喷雾燃烧法，喷雾热分解法等以及ITO磁控溅射靶的现有几种制备工艺进行了综合评述。阐述了各种制备工艺过程和工作原理，比较和分析了各工艺方法的优缺点，并提出了制备高品质ITO粉末及ITO靶的努力方向。     

ITO废靶回收制备超细ITO粉末的研究

以ITO废靶为原料，硫酸浸出，均相共沉淀一共沸蒸馏法制备出了均匀分散、粒径小于100nm的类球状高纯纳米级ITO粉体。用本工艺制备回收超细ITO粉末，制备工艺简单，设备投资小，可适用于工业化生产。     

ITO薄膜——新材料中的奇葩

伴随着液晶显示的发展,用于透明电极的锢锡氧化物（ITO）薄膜的需要量急剧增加．目前,世界上的发达国家如日本、美国、法国等国将一半左右的钢用于制备ITO薄膜材料．ITO薄膜具有导电性好,对可见光透明,对红外光反射性强等特性,在液晶电视、建筑用节能视窗、太阳能电池、轿车风挡等方面获得日益广泛的应用,成为高技术领域新材料中的一支奇葩．ITD薄膜制备技术含量高,仅有少数几个发达国家能够生产,保密十分严格．而我国铟锡资源丰富,所用ITO材料需要进口,迫切要求攻克技术难关,改变原料廉价出口的局面,以满足高技术领域中…     

从含银的废催化剂中回收白银

介绍了从含银的废催化剂中回收白银的一种新方法。采用氨浸，A还原剂还原，浸出率98．5％，还原率99．9％，直接可获高纯度的银粉，金属银纯度可达99．9％。     

含银废电子浆料中银的浸出和除杂工艺条件研究

用硝酸作为浸出剂,通过正交试验考察了各工艺条件对含银电子废料中的银的浸出效率的影响。结果表明,硝酸浓度和浸出温度是影响浸出效率的主要因素;在硝酸浓度为8 mol/L、搅拌速度为100 r/min、浸出温度和时间分别为80℃和80 min的最佳条件下,浸出效率可达88%以上。控制温度为70℃,以 NaOH 溶液调节浸出液至近中性(pH=6.0),共存杂质 Cu、Fe、Pb、Ni 和 Bi的一次去除率达到80%以上,可得到较纯净的硝酸银溶液。     

水热法浸出废钯炭催化剂中钯的工艺研究

以王水作为浸出剂,研究了水热法浸出废钯炭催化剂中钯的工艺。采用正交实验方法研究了反应时间、反应温度、王水用量等条件对钯浸出率的影响。通过单因素实验,确定出在实验范围内最佳的工艺参数为:温度90℃、反应时间3 h、液固比40 m L/g,在此条件下,钯的浸出率在99%以上。由于采用密闭的回收体系,在较好解决环境污染的同时还可回收试剂,降低成本。     

从含银的废催化剂中回收白银

介绍了从含银的废催化剂中回收白银的一种新方法.采用氨浸,A还原剂还原,浸出率98.5%,还原率99.9%,直接可获高纯度的银粉,金属银纯度可达99.9%.     

废提款机线路板铜粉脱除杂质金属EI北大核心CSCD

废提款机线路板铜粉通常采用火法炼铜系统提取有价金属,本文提出两段浸出方法分离废提款机线路板铜粉中的杂质金属,以消除对火法炼铜系统的危害,并为火法炼铜提供了优质的原料。首先,采用盐酸处理废提款机线路板铜粉,脱除其中的铝,脱铝渣再分别采用盐酸控电位氧化浸出,或碱性加压氧化浸出分离回收铅和锡。结果表明:盐酸浸出过程中96.11%的铝被选择性脱除;脱铝渣采用盐酸控电位氧化浸出,铅和锡的浸出率分别为91.12%和94.69%;碱性加压氧化浸出处理脱铝渣,铅和锡的浸出率分别为86.28%和96.96%;在废提款机线路板破碎过程中,由于机械撞击力使杂质金属与铜相互包裹,难以充分溶解,导致铅和锡脱除不完全。     

最近几个月ITO需求迅速增加 铟价还要趺？

外电报道,日本到岸铟价目前还处于下跌趋势。1月份第一周,日本现货铟主要港口到岸价为385-400美元斤克,创2004年1月份以来的新低,据说这宗交易有1吨,是中国生产的铟,涉及几家日本贸易商和一家用户。2007年12月份类似的俄罗斯4N级精铟价格为400美元斤克,据说当时中国出口到日本的到岸价为410美元／千克,     

钌靶废料碱熔-水浸实验研究

采用碱熔-水浸法溶解难溶钌靶废料,研究熔剂种类、碱熔条件和水浸条件对钌溶解率的影响。结果表明,以Na_2O_2和NaOH组成的熔剂具有较高的碱熔效率;在配料质量比为Na_2O_2:NaOH:Ru=4:3:1的条件下,750℃碱熔3 h得到碱熔渣;在液固比为150:1 mL/g,95℃以水浸取碱熔渣4 h,钌靶废料的溶解率达到97.3%。     

铟锡氧化物靶材的应用及管状靶材的爆炸成形

铟在自然界是稀散金属，其氧化物具有许多优异的性能，合理利用铟资源的重要途径之一是生产铟锡氧化物（ＩＴＯ）靶材，介绍了ＩＴＯ靶材的应用领域，分析了平面ＩＴＯ靶材与管状ＩＴＯ靶材的特点，提出了ＩＴＯ管状靶材的爆炸成形技术，与现有成形技术相比，爆炸成形工艺特别适用于管状靶材成形，对制粉的要求将降低，不丧失粉末的优良性质，通过爆炸成形工艺的分析可知，适当控制状飞片厚度，飞行距离，爆速，炸药厚度并与粉末材料     

热压烧结ITO靶材物相组成与电子结构研究

采用XRD、XPS对ITO固溶烧结前后物相结构及靶材表面In、Sn、O三元素价态进行表征和研究。结果发现:ITO固溶体中溶质与溶剂离子的半径差异较大是引发掺杂后XRD图谱谱峰偏移的主要原因;而XPS图谱中谱峰偏移则是Sn掺杂导致ITO导带中电子态占有率增加、Fermi能级升高的缘故。研究结果为制备成分、结构均匀的高密度ITO靶材提供了有益的参考。     

高密度高导电性ITO靶研制

采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO(IndiumTinOxide)靶相对密度达到97%~99%,并且靶电阻率小于3.0×10-4??cm,其质量损失率小于4.0%。采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上。当烧结温度为l500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率。     

从高温合金废料浸出渣中浸出钌的实验研究

针对高温合金浸出渣中的钌,采用碱焙烧-水浸工艺进行实验研究,考察了碱料比、焙烧温度、焙烧时间、水浸温度、水浸时间等因素对钌浸出率的影响。结果表明,碱料比、焙烧温度对钌的浸出率影响较大。在最佳的实验条件：碱料比8：1、焙烧温度600℃、焙烧时间4 h、水浸温度95℃、水浸时间3 h下,钌的浸出率为98.3%。     

高致密ITO靶材制备工艺的研究现状和发展趋势

简述了ITO薄膜的各种性能和主要应用,综述了国内外ITO靶材的主要成形、烧结工艺及其研究现状,概括了ITO靶材的发展趋势.     

爆炸压实烧结ITO陶瓷靶材的实验研究

通过爆炸压实烧结纳米ITO粉末制备了ITO陶瓷靶材，结果表明爆炸冲击压实在靶材的后续烧结密实过程中起到了促进作用，它与常规的加压烧结相比，具有操作简单，设备要求低等很多优点。经过爆炸压实的烧结靶材具有细小的晶体颗粒，比商业靶材的晶粒度小约1个数量级。     

紫色色杆菌从废旧电子线路板中浸出金的研究

紫色色杆菌代谢产生HCN,可浸出废旧电子线路板(WPCB)中的金。考察了预处理、pH值和处理量等重要因素对金浸出率的影响。结果表明,采用硝酸预处理WPCB可以提高金浸出率,每150mL菌液中WPCB物料加入量为0.5g,在pH=10.5条件下浸出8天,WPCB中金的浸出率可达68.14%。