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1.
研究了一种BiCMOS新技术,基区和发射区均通过发射极多晶注入,使形成的基区更浅,更窄;通过等平面氧化形成的鸟嘴,将版图设计中3.0μm,的发射极条宽“挤”为2.0μm左右。提高了器件性能。在器件结构及工艺设计中,中能提高工艺的兼容性,简化工艺。 相似文献
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在表层硅厚度为180um的SIMOX材料上,用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为2.5μm的全耗尽CMOS/SIMOX器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏电的抑制降低了器件的整体漏电水平,使PMCOS和NMOS的漏电分别达到3.O×10-11A/μm和2.2×10-10A/μm。5V时,例相器的平均延迟时间达6ns。 相似文献
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论述了深亚微O主MOS器件模型BSIM2。从强反型区、业阈区、过渡区及输出电阻等几方面,以物理要领为基础进行了较详细分析,并与国内1μm工艺的nMOS测量数据进行了比较,得到了满意的结果。 相似文献
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通过求解经修正的二维泊松方程,并考虑了主要的短沟效应和高场效应,得到一个描述短沟道MOSFET器件I-V特性的统一物理模型。该模型适用于包括亚阈区在内的不同工作区域,对0.8μm和1.4μm器件的漏极电流特性能较好地描述,可应用于亚微米、深亚微米级MOSFET的电路模拟。 相似文献
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在表层硅厚度约6μmBESOI材料上,制备了Al栅CMOS器件。实验样品消除了纵向寄生结构和困扰SOI薄膜器件的背沟效应、边缘效应、Kink效应。样品未作抗辐照工艺加固,γ累积辐辐照剂量已达3×105rad(Si)。实验表明,该结构埋层SiO2的存在对器件的辐照性能影响不明显。 相似文献
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用于亚微米CMOS的轻掺杂漏工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了轻掺杂漏工艺对器件特性的影响。优化了轻掺杂区离子注入的剂量和能量。优化的SiO2侧墙LDD工艺有效地抑制了短沟道效应。研制成功了沟道长度为0.5μm的CMOS27级环振电路,门延迟为170ns. 相似文献
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0.15μm薄膜全耗尽MOS/SOI器件的设计和研制 总被引:6,自引:6,他引:0
利用自己开发的二维数值深亚微米SOI器件模拟软件,较为详细地分析了沟道长度小于0.2μm的SOI器件的阈值电压特性、穿通和击穿特性、亚阈值特性以及直流稳态特性等.通过这些模拟和分析计算,给出了沟道长度为0.18、0.15和0.1μm的薄膜全耗尽SOI/MOS器件的设计方案,并根据该设计方案成功地研制出了性能良好的沟道长度为0.15μm的凹陷沟道SOI器件.沟道长度为0.15μm薄膜全耗尽凹陷沟道SOI器件的亚阈值斜率为87mV/dec,击穿电压为1.6V,阈值电压为0.42V,电源电压为1.5V时的驱动电 相似文献
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高帧速CCD摄像器件的设计 总被引:3,自引:3,他引:0
设计了光敏元尺寸18μm×18μm512(H)×512(V)光纤面板耦合CCD高帧速摄像器件,帧速为500帧/s。详细讨论器件多相加压(MPP)和常规工作模式的设计,给出了器件设计性能参数。该器件采用2μm,双层多晶硅和双层金属工艺制作。 相似文献
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成功地研制了八元线阵红外CCD多路传输器,该器件为三相结构,采用进沟和三层多晶技术。器件动态范围≥45dB,转移效率≥99.99%,非均匀性±5%,信号输出幅度≥800mV,每个输出信号时间为96.6μs,驱动电压±15V。 相似文献
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GaAs1×2Mach-Zehnder波导开关/调制器 总被引:2,自引:0,他引:2
文报道了GaAs1×2MZ波导开关/调制器的研究结果,并分析了该器件的工作原理.这种器件利用Y分支作为3dB耦合器,非对称X结作为干涉器.在波长1.15μm下测试,得到了串音比小于-16dB和开关电压19V的开关特性.预计该器件可广泛应用于GaAs1×。开关列阵及高速光调制等方面. 相似文献
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SrS:Ce蓝色薄膜电致发光 总被引:6,自引:0,他引:6
用H2还原法制备了SrS:Ce蓝色发光材料,研究了它的光谱特性,并用不同掺杂浓度比较了H2还原法和CS2还原法,得到了掺杂的浓度范围,研究了H2气氛下处理温度对器件发光的影响。制得了最高亮度为220cd/m^2,流明效率为0.181m/W的蓝色发光器件。 相似文献
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4096位线阵CCPD摄像器件 总被引:1,自引:0,他引:1
采用双线型三相埋沟结构,设计并研制成功4096位线阵CCPD摄像器件。器件动态范围达600:1,暗电流密度为10nA/cm ̄2。文章阐述了该器件的工作原理、结构设计和制作工艺。 相似文献
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凹陷沟道SOI器件的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文较为详细地描述了凹陷沟道SOI器件的结构和工艺制造技术,采用凹陷沟道技术制备的SOI器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽SOI器件的性能.采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为70nm、源漏区硅膜厚度为160nm、有效沟道长度为0.15~4.0μm的高性能凹陷沟道SOIMOSFET,它与常规薄膜全耗尽SOIMOSFET相比,跨导及饱和漏电流分别提高了约40%. 相似文献
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1.3μm量子阱LD的工艺研究和特性分析金锦炎,李同宁,刘涛,李云樵,王任凡,刘自力(武汉电信器件公司)1引言1.3μm波长激光器作为光通信光源,正由有致冷向无致冷转化。量子阱激光器阈值电流低、温度特性好,因此是无致冷激光器的最佳选择[1~2]。我们... 相似文献
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介绍一种采用6相时钟电路的1024位MOS图像传感器,其像元中心距为15μm,移位寄存器采用5管动态无比电路,功耗小于0.5mW,且与位数无关。器件光敏面上沉积了SiO2增透膜,提高了光电转换效率。给出了该器件光电参数测试结果。 相似文献