脉冲真空电弧离子镀沉积速率的研究

薄膜沉积速率是影响薄膜性能的重要参数,研究它对于沉积优良的类金刚石薄膜具有重要的作用.针对脉冲真空电弧离子镀的具体工艺参数,研究了各种工艺参数对类金刚石薄膜沉积速率的影响,找出了影响类金刚石薄膜沉积速率的主要参数,得到了各种工艺参数下类金刚石薄膜沉积速率的曲线.     

氧化工艺对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响

研究了各种氧化工艺对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响。结果表明，TiN薄膜在400℃于不同时间整体氧化时，表面Ti液滴和TiN相发生不同程度的氧化，转变成具有金红石型的TiO2薄膜，提高了膜层表面的致密性，而TiN薄膜的整体组织结构未发生较大改变。随着氧化时间的延长，在40min后硬度才略有下降，内应力下降，膜层的结合力提高，并具有较好的耐磨性能。     

真空弧沉积类金刚石膜探讨

根据等离子沉积的原理,将原真空热处理炉改造成低压真空等离子沉积装置,采用过滤式阴极电孤沉积法分别在单晶硅和高速钢这两种基体上沉积出类金刚石膜。对所沉积的膜进行了机械性能和防腐蚀性能的试验。结果表明①这一装置的改造取得了初步成功,为今后进一步改进和优化打下了基础;②运用该装置在单晶硅基体上所沉积的类金刚石膜要比在高速钢基体上所沉积的类金刚石膜性能好。     

脉冲偏压对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响

研究了脉冲偏压对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响.结果表明脉冲偏压幅值在500-1700V,脉宽比在1/25～2/5的范围内,沉积温度低于250℃时膜层组织主要由Ti2N和TiN相构成,随脉冲偏压幅值和脉宽比的增大,晶面的择尤沉积由Ti2N(200)向(002)转变,柱状晶生长程度减弱.膜层具有较高的显微硬度和耐磨性,但在过高的脉冲偏压和脉宽比的沉积条件下,膜层的性能有下降的趋势.     

在真空等离子沉积中起弧和电弧稳定性问题研究

在真空系统中,电弧的触发和稳定性受到很多因素的影响,阴极的材料,电极的结构,阴阳两电极之间的间隙,电极的表面状态,触发方式等,本文对于低真空状态下的电弧触发和稳定性问题作了探讨并提出了适合于本装置的较合理的参数。     

动态偏压与真空度对真空电弧沉积Ti—N涂层组织与性能的影响

采用动态偏压和真空度控制方法,用真空电弧沉积技术制备Ti-N涂层,研究了动态参数条件对膜层组织与性能的影响。结果表明,动态参数控制下沉积的膜层形态表现为层状分布特征,膜层具有较高的致密性和高的显微硬度,以及良好的耐磨性能。在低偏压或较低真空度沉积阶段,膜层组织主要为Ti2N和TiN相,而在高偏压高真空度沉积阶段膜层组织主要是Ti2N相。     

过滤式阴极电弧沉积类金刚石薄膜工艺的研究

本文研究了过滤式阴极电弧沉积系统的稳弧工艺参数,通过正交试验获得最佳稳弧参数,并且研究了弯管内置挡板对宏观粒子过滤效果的影响,采用喇曼光谱研究了偏压对生成的类金刚石薄膜性能的影响,证明－１００Ｖ偏压下,获得的类金刚石薄膜有最佳的ｓｐ＾３含量,扫描电镜测试表明,在（１１１）硅基片上获得致密的膜,但在高速钢基体上沉膜堆积现象比较严重,不易获得优质类金刚石膜。     

钛表面电弧离子镀沉积钯膜层的研究

利用电子显微镜、X射线衍射仪、显微硬度试验机等分析手段，对采用焊接复合式靶材，在钛表面沉积出的钯膜层进行分析研究。结果表明：钯膜层具有电弧离子镀典型特征，膜层的厚度为1,2-2μm，膜层致密。提高膜层的沉积温度使膜层与基体之间生成Ti4Pd相。膜层的表面硬度约为2GPa，在膜层与基体之间由于生成了Ti4Pd相，硬度增加到2．8GPa。     

真空电弧沉积的Ti—Zr—N和Ti—Nb—N多元涂层

硬质涂层对于减少工具,特别是刀具的磨损起着越来越重要的作用．ＴｉＮ是目前使用的主要涂层．ＴｉＮ涂层的改进工作主要集中在新的ＴｉＮ基合金和多元复合层,希望得到多元素组合的耐磨、耐高温涂层．Ｔｉ－Ｚｒ－Ｎ徐层一直是通过反应溅射法、磁控靶和弧源同时混合的离子沉积法和真空电弧沉积法制备的．关于Ｔｉ－Ｎｂ－Ｎ合金系涂层,文献报道的很少．研究表明,三元系氮化物涂层比二元系的性能更好．多元涂层大都是由合金靶材沉积得到的．关于利用二阴极的真空电弧沉积法共沉积的Ｔｉ－Ｚｒ－Ｎ涂层和Ｔｉ－Ｎｂ－Ｎ涂层,文献报道的很…     

关于真空电弧镀膜研究中的几个问题

本文论述了真空电弧镀膜(VAC)技术研究中的几个主要问题,包括宏观颗粒污染的抑制,微观过程的观测及典型应用实例等,并进行了一些评述。     

电弧离子沉积钽膜及微结构研究

目的研究电弧离子沉积钽膜的沉积工艺及微观结构,分析钽膜生长机理。方法采用电弧离子沉积法在石墨基体上沉积钽膜,研究了沉积工艺(如弧电流、负偏压等参数)对钽膜的物相组成、沉积速率、表面形貌的影响。结果电弧离子沉积钽膜的物相由α-Ta相和极少量β-Ta相组成。弧电流、负偏压、靶间距等沉积参数对钽膜厚度、沉积速率和膜-基结合力的影响很大,在弧电流为220 A、负偏压为300 V、靶间距为200 mm时,钽膜沉积速率为0.1μm/min,沉积速率适宜,膜-基结合力达到69 N,结合力高。钽膜厚度均匀,在靠近基体侧形成了晶粒细小、组织致密的过渡层,厚度约0.6~0.9μm,其余为细小柱状晶结构。钽膜表面颗粒尺寸随负偏压的升高而减小,负偏压为300 V时,颗粒尺寸细小均匀(仅3~5μm),钽膜表面无细小孔隙和裂纹。结论电弧离子沉积法可以在石墨基体上沉积出组织致密、厚度均匀且膜-基结合力高的钽膜。沉积初期主要通过沉积、移动、扩散等过程形成稳定核,随着沉积时间的延长,稳定核逐渐长大成岛,并在三维方向以岛状生长形成连续膜,为典型岛状生长模式。     

阳极真空弧沉积膜的背散射分析

通过对阳极真空弧沉积膜的背散射分析，测出沉积膜中阳极材料Ｗ含量不大于０．０４％，得出了起弧条件与Ｗ蒸发量的关系。     

阴极电弧制备TiAlN薄膜工艺参数的正交分析研究

为深入理解不同工艺参数对阴极电弧制备TiAlN薄膜性质的影响重要性,文中设计了L9(34)正交试验表,研究了基体负偏压、N2流量、阴极弧流对TiAlN沉积速率、表面粗糙度的影响,给出了工艺参数优化组合。结果表明:负偏压对TiAlN薄膜的沉积速率影响最大,其次是N2流量、弧流;对表面粗糙度的影响次序则为N2流量、弧流、负偏压。薄膜沉积速率随N2流量的升高而增大,随负偏压增加先增加后降低,随弧流的增大变化不明显。薄膜表面粗糙度随N2流量的升高逐渐减小,随负偏压的增加而增加,随弧流的增大而增大。     

低压真空接触器在钛冶炼中的应用

抚顺铝厂五一分厂是生产工业用海绵钛的化工冶炼厂。在其温度调节系统上，曾一直沿用ＣＪＩ－３００Ａ。ＣＪＩ－６００Ａ交流接触器。但因无法解决货源，影响维修和生产工作的顺利进行，故此类开关的更新换代已成为急待解决的问题，曾试用过８００ａ／９００Ｖ可控硅做为无触点开关，以后，又利用蒸馏炉及热风机调温系统，试用过ＣＪ１２．ＣＪ１交流接触器改装成直流控制等措施均未成功。最后，决定采用新型低压开关设备，ＣＫＪ－     

钢的低真空粉末渗钛

钢的低真空粉末渗钛成都热处理厂（成都６１００８２）王俊民西南交通大学（成都６１００３１）高国庆１前言钢渗钛后在表层形成的以ＴｉＣ为主的化合物，有低的摩擦系数、高的硬度（２４００～３８００ＨＶ），而且有良好的抗蚀性。Ｑ２３５钢经渗钛后在５％ＨＮＯ３水溶...     

激光触发真空电弧镀膜方法及其应用

介绍了一种新的表面处理方法－激光触发真空电弧镀膜技术。针对典型的镀膜装置，描述了其结构组成，分析了基本工作原理和过程，并就其应用进行了论述与展望。     

脉冲偏压电弧离子镀沉积温度的计算

针对脉冲偏压电弧离子镀技术，分析了影响基体沉积温度的各项因素及其影响程度．在直流偏压电弧离_子镀沉积温度计算模型的基础上，在偏压输出波形为近方波的相对规范形状的条件下，将脉冲离子轰击输入能量功率等效成直流输入功率与占空比的乘积，再基于能量平衡原理建立脉冲偏压电弧离子镀基体沉积温度的理论计算模型，最后用实测的沉积温度对计算模型进行检验，在-1000—0V的偏压范围内，理论与实验得到了好的吻合。