锡-铋合金局部电镀工艺在电子产品中的应用

介绍了以整体镀镍和局部镀锡-铋相结合,处理电子部件或整机产品外壳内外表面的工艺方法,以此替代传统的镀金层或镀银层.既增加了盒体外表的装饰性能,又提高了盒体内腔的焊接性能.此项工艺技术已在微波组件、功率放大器等许多电子产品上广泛使用,对其它电子产品也有很好的利用价值和应用前景.     

脉冲镀金及其在微波器件上的应用

脉冲电镀,是目前国内竞相研究和应用的一项新的电镀工艺,在国外一些国家的电子工业和贵金属电镀工艺中,使用已日趋普及,在研制微波器件和集成电路工艺中,不仅需要镀金的环节很多,而且对镀层性能有较高的要求.1981年,我们从解决直流电镀金层的应力较大的问题入手,开展了脉冲镀金的研究,实     

器件引线锡铈电镀新工艺

<正> 南京第二晶体管厂在中国南京无线电公司易焊性研究小组的指导下,试验成功锡铈电镀工艺,每生产250万只3AX31型晶体管,就可节约6000元。 当前,在电子整机装配中,据统计由于元器件的引线焊接不牢而产生的故障约占总     

适用于电镀金及其合金的胺金络合物

本文叙述了一种适用于电镀金及其合金的胺金络合物。该络合物的化学式为 Me[A Au(SO_3)_2]_pX_q这里Me是一价或多价的阳离子,A是聚胺,其表示式为其中,R~1、R~2、R~3和R~4分别为H或C_1到C_4的直链或支链的一价基团。该基团可以被—OH、—CO或—COOH取代过,或未被取代过。同时,R~1和R~4合并后或R~2和R~3合并后的基团是C_2到C_6的二价亚烃基或二价的链烯基。该基团可以是被—OH、—CO或—COOH取代过或未被取代过。R是C_2到C_6的二价亚烃基或链烯基,它也可以是被—OH、—CO、—COOH取代过或未取代过。R也可以是部分芳环的基团。R的基团表示式为 (CH_2—CH_2—NR~5)_mCH_2CH_2式中m是整数1、2或3;而R~5是H或是C_1到C_4的直链或支链的一价基团。该基团可以被—OH、—CO或—COOH取代过或未被取代过。X是阴离子;p是1、2或3;而q是0,1或2,但p q的总数必须与Me的化合价相等。     

电镀铜锡锌三元合金应用探讨

本文主要探讨了电镀铜锡锌三元合金的槽液控制方法,以及镀层的三防性能、镀层导电性、镀层可焊性、镀层附着力、镀层退镀方法。     

锡铈合金电镀液的测定

本文提出在锡铈镀液中选用氧化剂将亚锡氧化为高锡,以酒石酸将高锡掩蔽,在一定的条件下,以二甲酚橙为指示剂,用EDTA溶液测定铈。另取一份锡铈镀液,在一定的条件下,用EDTA溶液测得亚锡与铈的含量。再取一份镀液加入过量EDTA溶液,在一定的条件下,用硝酸     

高温超导体厚膜及其在微波无源器件上的若干应用

系统论述了高温超导体厚膜的概念、制备方法,高温超导体厚膜的特性,介绍了高温超导体厚膜在微波无源器件上的若干应用。     

微波半导体功率器件及其应用

本文介绍了微波半导体技术主要特点,功率器件和单片集成电路特性及其应用。     

微波铁氧体器件的控制及其应用

阐述了微波铁氧体器件在现代雷达中所起的重要作用,从外加磁场的角度对微波铁氧体器件进行了分类,对各种器件的控制方式进行了讨论,介绍了微电子技术在相控阵雷达中的应用。最后,对器件及电路的发展趋势进行了分析。     

固体微波器件及其应用的前景

固体微波器件今后几年内研究工作的着重点是:把接收机的低噪声器件的噪声系数降低到相当完美的程度,大力提高功率器件的输出功率,发展功率合成技术,加速单片微波集成电路的研究,探索新材料和新器件;在单片集成和混合集成的基础上,把微波整机——包括雷达、通讯、电视卫星接收、遥感等集成化、小型化和固体化.     

高温超导微波器件应用研究进展和建议

高温超导微波技术已经成熟,在美国、欧洲等国家核心战略系统中（例如美国的全球数据传输系统）占有重要地位,在提高通信、雷达等实际系统性能中发挥了重要作用。中科院物理所的应用研究已从核心技术攻关阶段、联机试验验证阶段,进入到用户设备使用阶段。文中对我国超导研究面临的核心技术问题以及领导、规划、项目组织、研究体制等提出了建议。     

微波半导体功率器件及其应用(第三部分)

本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用。     

微波半导体功率器件及其应用(第二部分)

本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用。     

化合物半导体异质结微波和高速器件的研究和发展

介绍了微波和超高速异质结器件的研究和发展，着重叙述了各种异质结场效应管、异质结双极晶体管和双极场效应管的特点、发展水平和新型器件结构。     

微波功率器件中AuGe合金焊接界面特征

在微观尺度上,焊点的可靠性取决于焊料同焊盘之间界面反应生成的界面金属间化合物(IMC)的结构。通过金锗合金焊点的界面反应及微观结构随环境的变化表征了焊点的可靠性,研究了AuGe合金焊料与不同金层厚度的Ni/Au焊盘共晶焊接后其界面特征,同时总结了AuGe合金焊料在Cu和Ni等常见焊盘上的焊接润湿性及其焊接界面特征。切片分析结果显示,在共晶焊接后,厚金样品焊接界面冷却时焊料层析出富Au相形成不规则焊接结合层,Au层厚度减薄50%～60%;薄金样品的Au层全部消失,并在界面处形成很薄的一层富Ni的NiGe化合物。实验结果显示,厚Au层样品未出现Ni向焊接层扩散的现象和NiGe化合物的生成,厚Au层起到了阻挡层作用;薄金样品时,Ni通过互扩散缓慢与Ge形成NiGe化合物,在长期使用中焊接层会通过元素扩散等形式演变,使整个焊接层转变为含氧化层、富P层、NiGe层和AuCuGe合金层等多层结构的IMC,降低了焊点强度,严重影响焊接层可靠性。这说明IMC在焊接过程中主要以界面化学反应方式形成,服役过程中主要以元素扩散方式演变。     

用于制作微波器件的脉冲图形镀金工艺研究

介绍了微波成电路中一种新的制作技术－脉冲图形电镀技术，并对影响脉冲电镀技术的关键因素－亚硫酸盐镀 组成及稳定性，添加剂ＴＴ－１和ＰＰ－１的作用脉冲波形的影响，产生镀层结瘤和微坑，夹杂的原因等作了详细的分析和探讨。