烯丙基化合物改性双马来酰亚胺反应机理的探讨

介绍了烯丙基化合物改性BMI树脂体系的反应机理,包括“ene”反应、Diels-Alder反应以及其它可能存在的反应。对比研究了二烯丙基双酚A醚(DABPE)/BDM和二烯丙基双酚A(DABPA)/BDM体系的固化机理和固化物的物性,表明DABPA的活性比较高。     

双马来酰亚胺与烯丙基酚（醚）/环氧树脂无溶剂耐热共聚树脂的研究

从改性二苯甲烷双马来酰亚胺(BDM)出发,用能降低熔体粘度的活性烯释剂烯丙基甲酚(AC)和增韧剂双酚A二烯丙基醚(DE)以及少量扩链剂M作改性剂,在催化剂作用下,与BDM加热得到预聚树脂,并在温热下配加适量较低粘度的环氧树脂(ER),制成了系列在较低温度(80℃左右)流动性好、工艺性优良、常温十分稳定的单组分耐热无溶剂树脂(漆).通过凝胶时间(GT)、粘接强度(LSS)、IR、DSC、TGA、扫描电子显微镜(SEM)以及力学、电学性能等测试手段,分析和表征了共聚树脂的结构和性能.结果表明,系列无溶剂耐热树脂可作为高性能电绝缘材料和先进复合材料的基体树脂.     

化合物、混合物、复合物

"化合物"(compound):它是由两种或两种以上的单质按一定比例用化学键(离子键、共价键)结合在一起构成的另一种物质,其组元元素已完全失去原来的性状.例如NaCl、CH4、MnFe2O4(锰铁氧体)等.还有一种化合物称为金属间化合物(intermetallics),它不是通过价键结合在一起的,顾名思义,它是金属原子彼此间形成的二元或多元化合物的总称.因此俗称合金.稀土永磁材料SmCo5、Sm2Co17和Nd2Fe14B即属于这类化合物.其中B是半金属.金属间化合物又可分为三类:电子金属间化合物(如CuZn、CuZn2)、配位多面体金属间化合物(如Fe-Cr、Laves相Cu2Mg)和电化学金属间化合物(如GaAs、GdS).为方便计,将轻原子(H、C、N、O)侵入金属晶格间构成的填隙型化合物(例如永磁材料Sm2Fe17Nx)也列入金属间化合物.     

锂离子电池正极材料Li-Ni-Go-Mn-O化合物研究

3G时代的数码产品和电动汽车要求锂离子电池具有高比容量、高循环性能、低成本和环保的特点,Li-Ni-Co-Mn-O化合物就是在这种趋势下开发出来潜在替代LiCoO2的锂离子电池正极材料,且近年来成为研究热点。综述了Li-Ni-Co-Mn-O化合物作为锂离子电池正极材料的研究,同时以LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2为例介绍该系列化合物的结构研究情况。重点阐述了Li-Ni-Co-Mn-O化合物的合成方法、Li:M(eMe=Ni Co Mn)对其性能的影响、Me在该化合物中的作用,最后介绍了Li-Ni-Co-Mn-O化合物的表面处理与掺杂研究进展情况和应用前景。     

晶粒尺寸对NiZn铁氧体磁芯耐热冲击的影响

高性能功率电感要求NiZn铁氧体磁芯具有优良的耐热冲击能力和较高的直流叠加性能。通过氧化物法制备了两种不同晶粒尺寸的NiZn铁氧体材料NZ-A和NZ-B,分别制作6mm和2mm尺寸的电感磁芯,并分别对比一般耐热型NiZn铁氧体材料和高B_s型NiZn铁氧体材料。实验结果证明不同尺寸磁芯所用材料的热冲击的失效模式不同。为满足不同尺寸磁芯耐热冲击性能的需求,所设计材料的晶粒尺寸也应不同。     

耐热冲击高B_sNiZn铁氧体材料TN35H

高性能功率电感要求磁心所用的NiZn铁氧体材料具有优良的耐热冲击能力和较好的直流叠加性能。通过传统氧化物法制备了NiZn铁氧体材料TN35H。测试证明,相对于一般NiZn材料,一方面TN35H材料的耐热冲击能力有明显提升;另一方面TN35H的饱和磁通密度大幅度提升,从而其直流叠加特性也显著提升。     

电沉积制备Ni-P化合物及其电化学性能

采用电沉积法制备Ni-P化合物锂离子电池负极材料,运用扫描电子显微镜(SEM)、X射线色散谱分析法(EDS)、充放电测试、循环伏安法(CV)、电化学阻抗谱(EIS)等对其形貌、组成和电化学性能进行了表征。结果表明,Ni-P化合物负极材料的容量及循环性能会受到镀层热处理温度以及活性材料晶粒大小的显著影响。Ni-P化合物负极材料首次放电比容量达到862 m Ah/g,而首次充电比容量仅有407 m Ah/g,大部分容量损失可归因于一种高度不可逆的贫锂相的生成。此外,EIS结合SEM、CV结果分析指出,活性材料较差的导电性以及转化反应过程中由于体积膨胀导致的SEI膜反复破裂和再生成是容量衰减的另一重要原因。     

锂离子电池嵌入式化合物的研究

讨论了锂离子电池所用嵌入式化合物的固体化学问题.在相同的质量和体积下,锂离子电池的能量是普通电池的两倍,它是未来消费电子产品、电动汽车和可移植医疗器具(加人工心脏)发展的关键所在.简要介绍了二次锂电池正极嵌锂化合物的基本原理,嵌入式化合物的结构性能关系,最后讨论了几种重要的可嵌入正极材料的晶体结构、电子结构和嵌入化学;展望了几种有希望用于新一代充电锂电池的化合物.     

耐热绝缘材料的热性能评定

1.前言随着宇航技术的进步,对耐热高分子材料的研究和发展十分活跃起来,其应用范围正迅速地向其他工业部门扩大。在绝缘材料方面,也采用着许多种耐热性的高分子材料。特别是在电工设备方面,设备倾向于小型化、轻量化和高性能化,对在苛刻条件下使用的绝缘材料要求迫切,因而,耐热高分子材料作为绝缘材料,而被广泛地加以应     

Sm_2(Co、Cu、Fe、M)_(17)系永磁

近年来,对稀土钴金属间化合物进行了研究,并研制出了以RCo_5系化合物为中心的永磁材料。这种永磁材料与以往的永磁材料相比,具有极高的性能。目前,最大磁能积(BH)_(max)为10-26兆高奥的稀土钴永磁材料已在市场上出售。要研制具有更高性能的永磁体,就需要饱和磁化强度(4πM_s)更高的材料。在稀土钴化合物当中,比目前占主流地位的RCo_5系化合物具有更高4πM_s的化合物,有R_2Co_(17)系。例如,Sm_2Co_(17)就具有比SmCo_5更高的饱和磁化强度(4πM_s=12KG)和居里温度(T_c(?)920℃),而且,磁晶各向异性常数(Ku)也高达5×10～7尔格/cm～3,因此,人们认为,它作为更高性能的稀土钴永磁材料是有希望的。根据这种观点,主要在二个方面对Sm_2Co_(17)系永磁进行了研究。一是发展SmCo_5系永     

共混法制备硅酸镁锂/PAAS/KOH/H2O凝胶电解质

以硅酸镁锂(M LS)、聚丙烯酸钠(PAAS)及KOH为原料,采用共混法制备了MLS/PAAS/KOH/H2O复合无机碱性凝胶电解质.采用交流阻抗、循环伏安和恒流充放电测试对样品进行研究.室温时,制备的凝胶电解质具有与6 mol/L KOH溶液同一数量级的电导率电化学稳定窗口约为1.6V;以m(MLS)∶m(PAAS)...     

Bi/Pt底层对Co/Ni多层膜反常霍尔效应的影响

采用直流磁控溅射法在玻璃基片上制备了一系列分别以Pt和Bi/Pt为底层的Co/Ni多层膜样品。通过研究Bi的厚度、周期层数、周期层中的Co和Ni的厚度以及退火温度对样品反常霍尔效应的影响,最终获得了霍尔效应最强、良好的霍尔曲线矩形度,同时具有良好的垂直各向异性的最佳样品Bi(1nm)/Pt(5nm)/[Co(0.3nm)Ni(0.5nm)]1/Co(0.3nm)/Pt(1nm)。实验表明,退火处理有利于增强反常霍尔效应。     

基于电化学改性石墨电极构建钒/钛液流电池

在2.0 mol/L HClO_4溶液中通过恒电流阶跃方法制备了电化学改性石墨电极(MGE)。发现其在硫酸溶液中对V(Ⅳ)/V(Ⅴ)和Ti(Ⅲ)/Ti(Ⅳ)氧化还原反应具有良好的催化可逆性,并提出了受电位影响的电极表面含氧官能团电对与金属离子电对间的氧化还原协同作用机理。将V(Ⅳ)/V(Ⅴ)和Ti(Ⅲ)/Ti(Ⅳ)分别作为正、负极活性物质构建成氧化还原液流电池并评价其充放电性能。在10 mA/cm~2下恒流充放电,相应的电压效率为94.2%,能量效率达到91%,展示了基于MGE构建的钒/钛液流电池潜在的应用价值。     

Effects of nitridation treatments for SBT/Ta2O5 stack gate capacitors

Abstract

In this study, effects of ICP nitride treatments on characteristics of ferroelectric gate stack capacitor were investigated for FET type ferroelectric memory applications. Pt/SBT(200nm)/Ta₂O₅(20nm)/ Nitride/Si (MeFINS) structure capacitors show wide ΔV (memory window) of 1.06V under ±3V operation, while Pt/SBT(200nm)/ Ta2O₅(20nm)/Si (MeFIS) capacitors without nitride treatments exhibit memory window of 0.60V. At the same time, an accumulation capacitance of the MeFINS structure device is higher than that of the MeFIS structure capacitor. This result implies that the ICP nitride treatment successfully suppresses a formation of low dielectric constant interfacial SiO_x layer and alleviates a series capacitance problem.     

DeviceNet I/O数据触发方式的研究

生产者/消费者网络模式是一种能够提供多点传送功能的新型网络技术.在生产者/消费者网络模式的基础上,DeviceNet支持位选通、轮询、状态改变/周期等多种数据触发方式,可构建主/从、多主和对等网络结构.介绍了生产者/消费者网络模式的通信特性,分析了位选通、轮询、状态改变/周期等数据触发方式的通信机理.     

Ferroelectric properties and reliability of La-Sr-Co-O/Pb-La-Zr-Ti-O/La-Sr-Co-O heterostructures on si for non-volatile memory applications

Abstract

Highly oriented La-Sr-Co-O(LSCO)/Pb-La-Zr-Ti-O(PLZT)/La-Sr-Co-O heterostructures have been successfully grown on a highly oriented Pt film which was grown on a thermally oxidized Si (SiO₂/Si) substrate. The growth of oriented Pt film on the SiO₂/Si substrate was made possible through the use of a thin bismuth titanate template layer which is c-axis oriented on the SiO₂/Si substrate. The hybrid LSCO/Pt structure effectively reduced the sheet resistance of the electrodes by at least 3–5 times compared with a single LSCO electrode. These ferroelectric PLZT capacitors on Si exhibited symmetric hysteresis loops with very desirable ferroelectric properties. The test capacitors showed reliable performance at both room and high (100°C) temperatures with respect to fatigue, retention, aging, and imprint, suggesting that they can be used as reliable, nonvolatile memory elements.     

采用PI/PTFE复合隔膜的Li/SOCl_2电池的性能

制备了一种具有超薄、高吸液率和良好热稳定性的Li/SOCl_2电池用聚酰亚胺(PI)/聚四氟乙烯(PTFE)复合隔膜。通过SEM、同步热分析(STA)、吸液率及恒电流放电等方法,研究PI、玻璃纤维(GF)和PTFE隔膜的结构、热稳定性和吸液性能,以及复合隔膜对Li/SOCl_2电池输出电压的影响。相对于采用GF/GF隔膜的电池,采用PI/PTFE复合隔膜的电池输出电压提升了0.130 V,热生成速率降低了39.4%。     

硅/石墨/热解碳复合材料的制备与性能

利用化学气相沉积(CVD)法制备了硅/石墨/热解碳复合材料。用XRD、SEM和恒流充放电等测试,分析了制备工艺对复合材料电化学性能的影响。当气相沉积温度为800℃、时间为50 min时,制备的复合材料的循环性能较好,首次和第200次循环的脱锂(放电)比容量分别为535.5 mAh/g和429.8 mAh/g。     

综合资源规划/DSM与可持续发展

文章介绍了中国的能源消费现状,阐述了这种不合理的能源消费结构对能源环境和经济可持续发展的影响,同时指出了解决的方法,即实施综合资源规划（ＩＲＰ）／需求侧管理（ＤＳＭ）,并对如何实施 ＩＲＰ／ＤＳＭ提出了一些建议。     

基片温度对Ni81Fe19薄膜结构和各向异性磁电阻的影响

利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(x)/Ni81Fe19(100nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针法测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻。结果表明,基片温度对薄膜的各向异性磁电阻及饱和场有显著影响,随着基片温度的升高,薄膜各向异性磁电阻随之增大,饱和场则相反。基片温度在400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻比和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻比为4.23%,最低磁化饱和场为739.67A/m;随着缓冲层厚度的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值。