直流电沉积法制备镍纳米线（阵列）及其磁性能研究

采用直流电化学沉积方法,在经过阶梯降压处理的多孔阳极氧化铝模板纳米级孔洞中,制备出直径约30nm,长度超过10μm的金属镍纳米线(阵列).通过场发射扫描电子显微镜,透射电子显微镜,X射线衍射仪,振动样品磁强计对所制备的样品进行形貌、结构及相关性能的表征和测试.结果表明所制备的镍纳米线排列规整,形态均匀,呈fcc结构,且沿[111]方向择优生长,易磁化方向沿纳米线长轴方向.     

模板法合成分叉Ni纳米线阵列及其磁性能

首先采用三次阳极氧化法制备了具有Y形孔道的氧化铝(AAO)模板,然后采用直流电化学沉积法,在模板内成功合成了分叉Ni纳米线的有序阵列.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对所合成样品的晶体结构和形貌进行了表征测试.结果表明,制备的Ni纳米线分布均匀、排列有序,呈Y形分又结构,其...     

Co88Ni12合金纳米线阵列的制备与磁性能表征

采用直流电化学沉积方法，在多孔阳极氧化铝模板的纳米级微孔内电沉积钴镍合金，制备出直径为30nm，长度为几个微米的准一维合金纳米线（阵列）材料；随后采用场发射扫描电子显微镜（FE-SEM），透射电子显微镜（TEM），X射线衍射仪（XRD），振动样品磁强计（VSM）对纳米线的形貌、结构及其磁性能进行了相关表征与测试．发现所制备的Co88Ni12合金纳米线表面光滑，粗细均一，具有较高的长径比；呈现密排六方结构（hcp），沿[100]择优取向生长，易磁化方向沿纳米线轴向方向．     

Pt/Ni异质纳米线的制备及其电催化氧化甲醇性能

首先采用直流电化学沉积法,在氧化铝模板内成功合成了Pt/Ni异质纳米线的有序阵列,并通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对所合成样品的晶体结构和形貌进行了表征测试。然后将Pt/Ni异质纳米线修饰在玻碳电极上,利用循环伏安法和计时电流法对比研究了这种新型纳米结构对甲醇的电催化性能,结果表明,Pt/Ni异质纳米线具有明显优于Pt或Ni纯金属纳米线的甲醇催化活性和稳定性。     

大规模制备Ni纳米线阵列及其磁学特性研究

在多孔氧化铝模板的纳米孔洞中,利用直流电化学沉积的方法成功地制备了高度有序的磁性金属Ni纳米线阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)和物理性质测量系统(PPMS)对样品的形貌、晶体结构和磁学性能进行了表征测试.SEM和TEM观察结果显示,Ni纳米线均匀地生长在氧化铝模板的孔洞中,直径约为300nm,其表面非常光滑.XRD结果显示,生长的Ni纳米线为fcc结构.磁测量结果表明,与体材料相比,Ni纳米线展现出增强的矫顽力和剩磁比,并且表现出较强的磁各向异性,其居里温度约为627K,与块体Ni的居里温度相当,说明在较高温度下,纳米线仍可呈现铁磁特性.     

交流电化学沉积FeCo合金纳米线阵列及其磁性能研究

采用二步阳极氧化法制备孔结构高度有序的多孔氧化铝(AAO)模板。在不同Fe2+/Co2+摩尔比的电解液中,利用交流电化学沉积,在模板孔内成功制备了FeCo合金纳米线阵列。分别采用透射电子显微镜(TEM),场发射扫描电子显微镜(FE-SEM),X射线衍射仪(XRD)和震动样品磁强计(VSM)对样品的形貌,结构及磁学性能进行了表征。结果表明,制备的FeCo合金纳米线排列有序,粗细均匀;其直径与模板孔径一致,填充率较高,且具有明显的[110]择优取向。VSM测试结果表明,不同溶液浓度下制备的FeCo合金纳米线阵列均具有良好的垂直磁各向异性,易磁化轴沿着纳米线轴线方向。随着电解液Fe2+/Co2+摩尔比的不同,可在一定范围内对FeCo合金纳米线阵列的磁性进行调控,并对其原因进行了讨论。     

不同结构镍纳米线阵列的制备及其磁性

采用直流电沉积在多孔有序氧化铝模板中制备了不同结构的有序镍纳米线阵列。采用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对所制备的镍纳米线的形貌和结构进行了表征。研究了镍纳米线不同结构对镍纳米线阵列磁性性能的影响规律。当电沉积电压为2.5V时制备的镍纳米线为多晶结构;电沉积电压4V时,镍纳米线为沿[220]择优取向的单晶结构;电沉积电压大于5V时,择优取向由[220]转为[111]方向。磁滞回线结果表明,单晶镍纳米线阵列与多晶纳米线阵列相比具有更高的矩形度,沿[111]择优取向的单晶纳米线相比沿[220]取向的单晶镍纳米线具有更大的矩形度,表现出显著的磁各向异性。     

模板法制备CuO分叉纳米线

通过3次阳极氧化制备具有分叉结构的氧化铝模板,在氧化铝模板的纳米孔洞中,用电化学方法沉积铜纳米线,经过500℃、30h氧化处理,成功制备出具有分叉结构的CuO纳米线.分别用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对样品的形貌和晶体结构进行了表征测试.SEM观察结果氧化铝模板的纳米孔洞相互平行、分布均匀,枝干的孔心距约为120nm,枝叉的孔心距约为70nm.TEM观察显示纳米线各部分粗细均匀.样品的XRD分析表明分叉纳米线阵列的晶体结构为CuO.     

退火温度对电沉积FeNi纳米线阵列结构及磁性能的关联性研究

采用E-T和脉冲电化学沉积法,利用氧化铝（AAO）模板制备出直径200 nm,长度约为13.1μm的非晶态FeNi纳米线阵列。FeNi纳米线阵列的形貌、成分、微观结构以及磁学性能分别通过场发射扫描电子显微镜（SEM）、场发射透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射仪（XRD）以及振动样品磁强计（VSM）进行表征。研究结果表明,FeNi纳米线排列致密,外壁平整光滑,粗细均匀,元素分布均匀。制备的纳米线表现出纯非晶结构,退火后从非晶基体中析出γ（Fe, Ni）相,且晶粒的生长具有明显的（111）择优取向。VSM结果表明在非晶纳米线中具有较强的磁各向异性,其易磁化轴为平行于长轴方向。随着退火温度的升高,矫顽力H_c和剩磁比B_r/B_s整体呈下降趋势,主要归因于纳米线内应力的释放及纳米晶间的磁交换耦合作用。     

交流电化学沉积铜纳米线阵列及其机理探讨

利用二次阳极氧化的方法制备孔高度有序的阳极氧化铝(AAO)为模板,采用交流电化学沉积方法,在AAO模板孔道内制备Cu纳米线。采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对Cu纳米线的形貌、晶体结构进行研究。结果表明:模板的孔径均匀,孔道平直。Cu纳米线均匀分布在AAO模板纳米孔隙中,直径均一,并沿Cu(Ⅲ)晶面择优生长;AAO模板孔道生长铜纳米线不光滑,成凹凸状,并对此沉积机理进行探讨。