急冷Nd_2Co_(14)B永磁合金的高分辨电镜研究

R-Fe(Co)-B合金因其很好的磁学性能而引起越来越多的研究者的注意,本文用高分辨电镜研究了呈P4_2/m nm空间对称的硬磁相Nd_2Co_(14)B相经急冷后的变化。在急冷Nd_2Co_(14)B合金中,我们发现了六角CaCu_5型(P6/mmm)的NdCo_5(1:5)相与三角Th_2Zn17(R(?)m)型的Nd_2Co_(17)(2:17)相的共生结构。其点阵常数分别为:a_(1:5)=0.494nm,C_(1:5)=0.3958nma_(2:17)=ar_(hom)/3~(1 /2)=0.4823nmC_(2:17)=Cr_(hom)/3=0.4027nm两相的取向关系为:     

PLZT多层陶瓷电容器瓷料的低温烧结

研究了反铁电体Pb(Cd_(1/2)W_(1/2))O_3、Pb(Co_(1/2)W_(1/2))O_3及Pb(Mg(1/2)W_(1/2))O_3和铁电体Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3及BiFeO_3对以银改性的PLZT多层陶瓷电容器瓷料烧结的促进作用及对瓷体介电性能的影响。并探讨了其低温烧结机理和介质损耗变化类型。     

宽带激光熔覆制造高速线材硬质合金辊环

利用积分镜对激光束进行整形获得宽带激光束,在Crl2基体上进行了宽带激光熔覆WC/钴基合金层,获得无裂纹的高速线材辊环。对激光熔覆层用扫描电境(SEM)进行形貌观察,并进行能谱成分分析,用XRD进行合金物相的表征。结果表明,熔覆层组织主要是由Co的过饱和固溶体、WC、W_2C、CoCr、Cr_7C_3等相组成。W_2C相的出现说明WC相发生了分解,WC等硬质相的存在导致熔覆层硬度的非均匀性。     

用单稳电路作同步分离

用一块J210和一块C032可以构成一个电视同步信号的分离电路(图1).J210为CMOS双单稳态触发器;C032为CMOS双或门,图1中用了一个或门. 调节W_1使第一个单稳延时10微秒,其Q_1端(⑥脚)输出的便是行同步信号.同时将Q_1送至第二个单稳的输入端((11)脚),第二个单稳工作于脉冲的下降边.第二个单稳的清除端Cr_2((13)脚)是由或门输出控制的,只有当Cr_2处于高电平时单稳才会被触发.     

Ca4Al6SO16孪晶的高分辨电镜观察

Ca_4Al_6SO_(16)(简称C_4A_3S)是一种具有广泛应用前景的建筑材料。实验观察的样品系采用分析纯试剂CaO,Al_2O_3和CaSO_4,按分子比CaO:Al_2O_3:CaSO_4=3:3:1配料,生料混匀,加压成型,置于铂金坩锅中,在硅钼炉中煅烧,烧结温度为1380℃。 C_4A_3S属立方晶系,单胞参数为a=9.19A,z=2,空间群为I_(43m)。它的原子排列方式与佛青类化合物相同,即铝氧四面体组成结构基型。沿晶胞的体对角线方向钙原子无序地占据两8c位置,可形成多种超结构。电子衍射(图1)表明在C_4A_3S基体中可按体心立点阵的规律形成孪晶结构。在对应的高分辨像(图2)中显示出该孪晶界面平行于[112]方向,由此可确定这是[112]旋转孪晶。依据所提出的C_4A_3S     

对BT-8型扫频仪的一点改进

用扫频仪测试通道部分的频率特性时,如果需要读测频率值,希望在频率特性曲线上出现频率标记。但频标信号对特性曲线的形状多少有些影响。为使所观测的频率特性曲线不受频标信号影响,在不需要读测频率值时,希望不出现频率标记。通过调节扫频仪上的频标幅度电位器可达到这一目的,有 BT-3型、BT-5型等扫频仪。BT-8型扫频仪也是靠频标幅度电位器来达到调节频标幅度大小的。但在使用中发现,即使将频标幅度调到最小,频标并不消失,不象其它扫频仪那样,频标可从最大一直调到消失。BT-8型扫频仪中频标幅度电路如图1所示。频标混频器 G_(14)(6J2)将频标振荡信号与扫频信号差拍后经电容器 C_(256)及频标幅度电位器 W_5、频标幅度连动电位器 W_4送到1/2 G_(13)(6N2)的栅极。频标幅度由电位器 W_5调整。由图1可以看出,当 W_5的滑动触点在最左端时,频标幅度应最小,在最右端时应最大。但因电子管本身是一种电压控制器件,当滑动触点在     

固溶温度对00Cr26Ni8Mo3Ti钢组织的影响

00Cr_(26)Ni_8Mo_3Ti不锈钢是最近开发的一种新型船用结构材料。研究表明,固溶温度对钢的机械性能影响很大。为了进一步确定温度、组织、性能三者的关系,探讨强韧化机理,用透射电镜对该钢在950℃至1150℃保温0.5h淬水试样进行了观察分析,得出以下结果。950℃×0.5h固溶处理试样为奥氏体(A)和FeCr型σ相双相组织,如图Ⅰ所示。图中白色为A体,深色为σ相。定性分析结果表明σ相多于A相。     

钛酸铅系陶瓷的特性及其应用前景

本文介绍了用Nd_2O_3、In_2O_3和MnO_2改性的PbTiO_3系压电陶瓷和用碱土金属元素部分取代pbTiO_3并通过固溶体Pb(Co_(1/2)W_(1/2))O_3改性的PbTiO_3系压电陶瓷材料的特性,这两种材料都具有谐振频率零温度系数,前者可用于声表面波器件和各种体波振动模式的器件,后者主要用于电子扫描超声波阵列探针。这两种材料都容易烧结、容易极化并且具有极好的压电、介电、弹性特性。     

半导体激光熔覆新型Co基合金耐擦伤性机制

在316不锈钢表面进行激光熔覆Stellite 3、Stellite 21与新型Co基合金(Co-3)试验,分析了熔覆层的显微组织及相成分,研究了硬度分布和耐擦伤机理。试验结果表明,Co-3显微组织均匀、致密,无裂纹与气孔,其强化相主要为(Co,W)_3C、Cr_(23)C_6、Cr_7C_3和Co_3Mo。熔覆层的平均显微硬度约为624HV_(0.2),较基体提高3倍以上。Co-3的耐擦伤性能明显优于316基体的,在载荷为0~150N的情况下,当划痕长度s≤3.3mm时,擦伤机理主要是塑性变形;当划痕长度3.3mms≤6.9mm时,擦伤机理主要是塑性变形引起的晶粒滑移与微裂纹形成;当划痕长度s6.9mm时,擦伤机理主要是裂纹扩展与塑性去除。     

共溅射W-Si薄膜的快速热退火及其热氧化研究

淀积在SiO_2上的共溅射W-Si 薄膜,在高纯N_2中经200—1100℃的10秒钟快速热退火,用转靶X射线衍射、激光喇曼光谱、俄歇电子能谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、四探针测量等不同手段研究了钨硅化物的形成.565℃退火出现了W_5Si_3相,退火温度高于755℃,稳定相WSi_2形成,但W_5Si_3相并不消失,一直与WSi_2共存.经考查,W_5Si_3的存在并不是由于在薄膜淀积或是退火形成硅化物的过程中引起缺硅而造成的,它对薄层电阻仅起部分影响作用,材料的电学性质最终仍由具有最低电阻率的稳态WSi_2相决定。WSi_2与W_5Si_3相高温热氧化时都不稳定,会分解并被氧化成SiO_2和WO_3。     

提高压铸模寿命的工艺途径

本文对影响压铸模使用寿命的各种因素和所采用的处理工艺进行了分析研究。指出,3Cr_2W_8V钢制造的压铸模采用“强韧化双重处理、复合等温淬火、两次以上回火甲酰胺通氨软氮化、使用过程中的除应力退火和补充软氮化”的热处理工艺组合,能较大程度地发挥材料潜力,压铸模寿命可达20万次以上。同时指出,对不同使用条件下的压铸模及同一模具上工作条件不同的部分应采用适合各自不同情况下的热处理工艺。最后对有关问题谈了作者的观点及看法。     

弱光光强比测定电路

该线路用于1～25毫瓦氦氖激光器相对光强比的测定,测定比值范围0.1～1.其中,R_1为硅光电池E的负载电阻,R_2、R_3、BG_(305)组成500倍反向比例放大器,D为输出非线性校正二极管,W_1为0.1刻度校准.W_2为满刻度校准,G为100微安直流电流表作为光强比指示.调整刻度步骤如下:1.首先将滑动头W_1置中心位置,W_2置最大电阻位置.2.将硅光电池对准参考光路(强的一路光),调整W_2使G满刻度(100微安).3.在光路中垂直加入10%减光板,调整     

线路板模具8Cr_2MnWMoVS的热处理

近几年来,我们在处理电视机线路板模具方面积累了比较成熟的经验,简介如下。模具材料:8Cr_2MnWMoVS 技术要求:硬度HR C52～58、直线度≤0.05mm。热处理工艺:由于模具形状复杂,在290×     

阶跃函数t=0时取值的讨论

在讨论这个问题之前我们先讨论一下电路的初值决定及能量关系。如图1当C已充电U_o,t=0时闭合K利用电荷守衡原理可求得U_(c(0+)=(C_1/(C_1+C_2))U_o,t=0时电路能量为W_(0-)=1/2C_1U_0~2。而显然W_(0+)相似文献   

世外花园--复合钙钛矿陶瓷的畴结构

复合钙钛矿Ba（ B′1／3 B″2／3） O3陶瓷具有优异的微波介电性能而被应用于谐振器、滤波器等微波器件。本作品原始图为Ba［（Mg0.4Co0.6）1／3Nb2／3］O3陶瓷减薄样在场发射透射电子显微镜（JEM-2100F）下拍的暗场像。首先作［110］轴选区电子衍射，然后利用其中的超晶格斑点拍得暗场像。     

合成温度对正极材料LiNi_(0.66)Co_(0.34)O_2结构和电化学性能的影响

在空气中通过固相烧结合成LiNi_(0.66)Co_(0.34)O_2锂离子正极材料,利用XRD,SEM,TEM以及恒流充放电测试等手段,探究了合成温度对正极材料的晶体结构和电性能的影响。不同温度下制备的镍钴酸锂,具有相同的菱面体点阵结构,空间群是R-3m。750℃合成制备的LiNi_(0.66)Co_(0.34)O_2,结晶较完全,层状结构较好,样品颗粒大小均匀。其组装电池首次放电比容量为155 m Ah/g,5次充放电后表现出较好的循环性能。     

投影管用绿色发光材料

本专利介绍了投影管用绿色发光材料制备的改进方法。实例1纯度为99.99%以上的 Y_2O_32.847克分子、纯度为99.9%以上的 Tb_4O_70.15克分子和纯度为99.9%以上的 Ce_2(CO_3)_3·H_2O 0.003克分子用盐酸溶解,加热到80℃。由和Y、Tb、Ce、的克分子之和相同的 H_2C_2O_4·2H_2O 克分子加2.5倍纯水配制的 H_2C_2O_4·2H_2O溶液加热到80℃,加入到上述稀土氧化物溶液中混合反应,得到草酸盐〔(Y、Tb、Ce)(C_2O_4)_3·2H_2O〕共沉淀物,在800℃分解,得到共沉淀氧化物〔(Y、Tb、Ce)_2O_3〕     

08F钢亚晶界位错网络的弱束暗场显示

本文利用弱束暗场技术显示了08F铜经50％室温形变后,560℃加热10小时晶粒处于回复状态时,亚晶界的位错网络。结果表明:α-Fe经形变回复后,亚晶界位错成规则整齐的排列。明场象中虽能见到位错的规则排列,但位错线细节不够清楚(见图a);而弱束暗场象则清晰地显示出亚晶界位错网络的各种形态(见图b、c、d),位错线的象宽度降低到20～30A,充分显示了弱束暗场技术在复杂位错网络显示中的特殊作用。根据弱束成象时,衍射花样中菊池线的位置计算了偏移参量|sg|,结果表明,用g=110成弱     

结合CBED和HREM在材料科学中的应用

结合CBED和HREM是测定材料结构的有效方法。我们用此方法在philips EM—400T电镜中研究了包括SiC和Li_2O·14Nb_2O_5(LN_(14))等密排层结构材料和复杂氧化物的结构。 SiC是一典型的密排层结构材料。密排层堆垛方式繁多,构成多型体有一百五十多种,它们所属的空间群有下列八个:P3ml,P3ml,P6m2,P6_3mc,P6_3/mmc,R3ml,R3ml,F43m。用一个垂直于密排面的CBED带轴图(ZAP)便可以区分这八个空间群。图1是SiC晶粒的[0001]CBED ZAP,图中给出明场对称性是6mm,全图对称性是6mm。上述八个空间群中,对应这样对称性的只有P6_3mc和P6_3/mmc两个,从而排除了其余六个的可能性。空间群P6_3mc和P6_3/mmc的差别仅在于它们的暗场不同,P6_3mc的暗场对称性是m,而P6_3/mmc的是2mm。     

Co_3O_4-ZnO复合纳米材料的制备及其电化学性能

通过水热法和浸渍煅烧法,在泡沫镍基底上成功制备Co_3O_4-ZnO复合纳米材料,通过X射线光电子能谱分析(XPS)测定材料的元素组成,通过X射线衍射(XRD)测定材料的晶格结构,通过扫描电子显微镜(SEM)对材料的表面形貌进行表征。在6 mol/L的KOH电解液中,对Co_3O_4-ZnO复合纳米材料进行循环伏安、恒流充放电、交流阻抗和循环充放电测试。结果表明,在1 A/g的电流密度下,材料的比电容为1 248.2 F/g,1 000次循环之后,比电容保留率为84.94%,本实验所制备的Co_3O_4-ZnO复合纳米材料在超级电容器电极材料应用中展现出良好的前景。