有限域GF（2^m）上的一个新的求逆算法

根据有限域ＧＦ（２＾ｍ）上的正规基表示和Ｍａｓｓｅｙ－Ｏｍｕｒａ乘法器，本文提出了一个复杂性为Ｏ（ｌｏｇｍ）的求逆算法。新算法完成一次求逆运算只需要「ｌｏｇ２（ｍ－１）」＋ｗ（ｍ－１）－１次乘法和ｍ－１次循环移位，这里「ｘ」表示小于等于ｘ的最大整数，ｗ（ｍ－１）表示ｍ－１的二进制表示中“１”的个数。     

新型复相陶瓷刀具材料JX—2—I的界面结构及其对材料性能的影响

本文利用ＴＥＭ研究了新型复相陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的界面结构，结果表明，在ＪＸ－２－Ｉ中Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ（氧化铝／碳化硅晶须）界面和Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ（碳化硅颗粒）界面结合良好，形成了具有较高强度的微观结构，发现在ＳｉＣｗ，ＳｉＣｐ和Ａｌ２Ｏ３晶粒上均有位错产生，在ＳｉＣｐ和Ａｌ２Ｏ３上有孪晶产生，分析表明，位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能，提高材料的断裂韧性，改善ＪＸ－２－Ｉ材料的整体     

SiCw／Al－Li复合材料中界面无析出带的TEM观察

ＳｉＣｗ／Ａｌ－Ｌｉ复合材料中界面无析出带的ＴＥＭ观察董尚利，崔约贤，茅建富，来忠红，杨德庄（哈尔滨工业大学材料科学与工程学院，哈尔滨１５０００１）本文采用透射电镜选区电子衍射技术和暗场技术，研究了压铸法制备的１５Ｖｏｌ％ＳｉＣｗ／Ａｌ－２．１８ｗｔ...     

新型复相陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ的界面结构及其对材料性能的影响

本文利用ＴＥＭ研究了新型复相陶瓷刀具材料Ｊｘ－２－Ⅰ的界面结构，结果表明，在Ｊｘ－２－Ⅰ中Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ（氧化铝／碳化硅晶须）界面和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ（碳化硅颗粒）界面结合良好，形成了具有较高强度的微观结构；发现在ＳｉＣｗ、ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒上均有位错产生，在ＳｉＣｐ和Ａｌ＿２Ｏ＿３上有孪晶产生；分析表明，位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能，提高材料的断裂韧性，改善ＪＸ－２－Ⅰ材料的整体性能。     

急冷Al－5Fe合金先共晶相晶体结构的TEM测定

急冷Ａｌ－５Ｆｅ合金先共晶相晶体结构的ＴＥＭ测定卢正欣，井晓天，楼秉哲，赵高扬（西安理工大学材料工程系，西安７１００４８）快速凝固Ａｌ－Ｆｅ系耐热合金的工作温度可达３５０～４００℃，有望部分取代钛合金用于制造航空发动机～［１］。Ａｌ－Ｆｅ合金急冷组织...     

压电及其它功能器件

３压电及其它功能器件９５３２７新的压电薄膜微型谐振器─ｚｏｕＹ．ＰｒｏＩｎｔＣｏｎｆＥｌｅｃｔｒｏｎＣｏｍｐｏｎＭａｔｅｒ（ＣＨＮ），１９９２；１９９～２０１采用新的压电薄膜技术和微细加工技术，成功地试作体声波（ＢＡｗ）微型谐振器。为在多晶硅薄膜上堆...     

CPT,PDP及FL发光效率的探讨

ＣＰＴ（彩色显像管）的发光效率一般５－７Ｌｍ／ｗ，而彩色ＰＤＰ（等离子显示板）的发光效率为１Ｌｍ／ｗＦＬ的发光效率为８０－１００Ｌｍ／ｗ，本文重点说明了三者发光效率差异的原因，并提出了提高ＰＤＰ发光效率到５Ｌｍ／ｗ的途径和方法。     

新型陶瓷刀具材料JX－2－I界面结构的实验研究

利用ＴＥＭ和电子衍射图谱分析，研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的界面微观结构。ＴＥＭ分析表明，ＪＸ－２－Ｉ刀具材料的界面结合状态较好，Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ界面上形成了具有较高强度的“钢筋混凝土”结构，在Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ界面上没有剧烈的化学反应发生；通过ＴＥＭ和电子衍射图分析，发现在Ａｌ＿２Ｏ＿３的晶粒边界上有尖晶石（ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４）生成，这有利于控制Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒的长大，提高复合材料的强度。     

Si3N4陶瓷和ZrSiO4复相陶瓷维氏压痕残余应力分布的扫描电子声学显微术观察

本文利用扫描电声显微术（ＳＥＡＭ）对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷和３０ｖｏｌ％ＳｉＣ（ｗ）／ＺｒＳｉＯ４复相陶瓷中由维氏压痕引起的残余应力分布进行了电声显微像观察。比较了原位获得的二次电子像和电声像，表明电声像能够揭示样品的表面和亚表面的残余应力场分布。实验结果证实在陶瓷材料中由维氏压痕所引起的残余应力场是呈弹－塑性交替分布的区域，在维氏压痕的中心以及由压痕引起的裂纹对角线的端点是应力分布的集中区，同时显示ＳＥＡＭ技术在对陶瓷材料中残余应力场分布的研究中是一种有力的工具。     

Si3N4陶瓷和ZrSiO4复相陶瓷维氏压痕残余应力分布的扫描电子声学…

本文利用扫描电声显微术（ＳＥＡＭ）对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷和３０ｖｏｌ％ＳｉＣ（ｗ）／ＺｒＳｉＯ４复相陶瓷中由维氏压痕引起的残余应力分布进行了电声显微像观察。比较了原位获得的二次电子像和电声像，表明电声像的能够揭示样品的表面和亚表面的残余应力场分布，实验结果证实在陶瓷材料中的维氏压痕所引 残余应力场是吾弹－塑性交替分布的区域，在维氏压痕的中心以及由压痕引起的裂纹对角线的端点是应力分布的集中区，同时显示ＳＥ     

空间光调制器（SLM）

空间光调制器（ＳＬＭ）空间光调制器（ＳＬＭ）有两大类，一是透射型，一是反射型。日本ＮＨＫ科学与技术研究实验室业已开发成功一种新型ＳＬＭ，它所利用的是宾主向列相（ＧＨＮ）液晶的光热效应。传统ＳＬＭ所利用的光热效应则是近晶Ａ相液晶的光学效应。近晶Ａ相ＳＬ...     

关于q元BCH码的维数和最小距离

本文讨论的是ｑ元狭义本原ＢＣＨ码，以下简称ＢＣＧ码。首先给出了一定条件下求ＢＣＧ码维数的一般公式，该结果改进了ＭｗｃＡｉｌｌｉａｍｓ等人（１９７７）的结果。然后给出了求ＢＣＨ码维数的一般迭代方法。     

统计评判表法

多目标决策一般可以分为多目标规划和多属性决策。模糊智能综合评判是多重目标综合决策的一种特殊形式，主要用于模糊环境中，考虑了多种因素的影响，针对一定的目的对某些事物做出综合评价。 常用的模糊智能综合评判模型为： D～（u）二W·Ｒ～（u）　　　　　（１）　　　　　　 其中ｕ为一个待评判对象，ｕ∈Ｕ（Ｕ为被评判对象集），Ｒ～（u)是对象Ｕ的单因评判矩阵，W＝（ｗ_1，ｗ_2，…ｗ_m）为权向量，Ｄ～（u）为对象Ｕ的评判矩阵。 模糊智能综合评判有３个基本要素： （ｌ）基本因素族π=（ｆ_1，f_2，…f_m）； （２）评语集Ｅ…     

MA钢重载齿轮失效分析

ＭＡ钢重载齿轮失效分析魏洪涛彭丽翠（中信重型机械公司计检中心，洛阳４７１０３９）ＭＡ钢是中信重机公司经过多年研制开发出的一种新型重载齿轮用钢，它是一种位错板条马氏体（Ｍ）＋板条相界残余奥氏体薄膜（Ａ）的复相低碳马氏体型超高强度钢，从九一年以来已多次成...     

内电极对BZN基多层陶瓷电容器显微结构的影响

研究了银钯内电极对Ｂｉ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｎｂ２Ｏ５（ＢＺＮ）基多层陶瓷电容器（ＭＬＣ）的显微结构的影响及对ＢＺＮ复相陶瓷中立方焦绿石（α相）与单斜焦绿石（β相）的影响。利用扫描电镜观察晶粒的大小与形貌，利用能谱（ＥＤＸ）检测不同晶粒的组成，采用波谱观察Ａｇ迁移的情况，证明在ＭＬＣ中存在Ａｇ迁移。探讨了银钯内电极中Ａｇ对晶粒大小及组成的影响，进一步说明其对ＭＬＣ性能的影响。结果表明，内电极中的Ａｇ破坏了β相的稳定性，有利于α相的生成，这在显微结构上表现为大晶粒比例的增大，在相组成上表现为α相比例增加，在电性能上表现为温度系数变负。     

退火温度及保温时间对激光沉积制造TA15钛合金微观组织和显微硬度的影响

以TA15钛合金球状粉末为原料,TA15钛合金锻件为基材,利用激光沉积制造技术成形TA15钛合金厚壁件。利用光学显微镜（OM）、扫描电子显微镜（SEM）以及显微硬度仪等方法研究退火温度及保温时间对激光沉积TA15钛合金显微组织和显微硬度的影响。结果表明:退火温度相同时,随着退火温度的升高,保温时间越长,相就越能充分生长。退火保温时间越长,相宽度越大。退火温度及退火保温时间影响相体积百分比含量,相百分比含量随退火时间延长而增多。相在不同保温时间下存在不同的生长方向。显微硬度值与相体积百分比含量具有一定关系,相体积百分比含量增多时,显微硬度值变大。     

具有Th2Ni17结构类型的R2M17六角相的形成规律研究

具有Ｔｈ＿２Ｎｉ＿（１７）结构类型的Ｒ＿２Ｍ＿（１７）六角相的形成规律研究贺连龙，叶恒强（中国科学院金属研究所固体原子像实验室，沈阳１１００１５）Ｒ＿２Ｍ＿（１７）相属于稀土－过渡族金属系金属间化合物。这类化合物以Ｒ－Ｃｏ，Ｒ－Ｆｅ为代表均具有良好的...     

MOVPE生长GaN的准热力学模型及其相图

本基于准热力学平衡模型对以ＴＭＧａ和ＮＨ３为源的ＭＯＶＰＥ生长ＧａＮ的过程进行了分析，并在此基础上计算了ＭＯＶＰＥ生长ＧａＮ的相图，ＧａＮ的ＭＯＶＰＥ相图由ＧａＮ（ｓ）单聚集相区，ＧａＮ（ｓ）＋Ｇａ（ｌ）双凝聚相区，表面会形成Ｇａ滴的两个腐蚀区构成，本着重讨论了生长温度，反应室压力，载气组分，ＮＨ３分解率和Ｖ／Ⅲ比对ＧａＮ单凝聚相区边界的影响。     

新型陶瓷刀具材料JX—2—I组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ２Ｏ３），ＡＰ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ），ＡＷ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）和ＪＸ－１（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ｉ具有较高的抗弯强度（σｂｂ）和断裂韧性ＫＩＣ，研究结果表明，在ＪＸ－２－Ｉ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的主要增韧机理是界面解离，裂纹偏转和晶须拔     

ZnSe的MOVPE生长相图：以DMZn和H_2Se为源

本文基于热力学平衡计算，首次给出以ＤＭＺｎ和Ｈ２Ｓｅ为源，ＭＯＶＰＥ生长ＺｎＳｅ的相图．文中讨论了ＺｎＳｅ单一凝聚相区的范围，以及可能出现ＺｎＳｅ（ｓ）＋Ｚｎ（ｓ）或ＺｎＳｅ（ｓ）＋Ｓｅ（ｌ）两种双凝聚相区的条件．