iCMOS新工艺为精密模拟部件增加可靠性

美国模拟器件公司（ADI）最近发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS，它将高电压凌晨导体工艺与亚微米CMOS和BiCMOS工艺相结合，使客户可以在采用亚微米尺寸工艺的器件上施加高达30V电压，可选的漏极扩展允许工作电压高达50V，作为一种亚微米工艺，iCMOS工艺允许现代数字逻辑电路与高电压模拟电路集成在一起，因此与以前的高压器件相比，     

ADI公司推出多通道数据转换器

美国模拟器件公司（ADI）日前推出8款多通道单片数模转换器（DAC）．它在单芯片内集成了最密集的模拟信号处理性能以解决要求小尺寸和高精度的工业和仪器仪表应用中的难题。这些新的DAC是采用ADI公司拥有专利权的iCMOS工艺开发的．从而扩展了ADI公司的denseDACTM系列高密度数模转换器，     

ADI工业模拟产品性能获突破

当今最先进的集成电路(IC)制造工艺正在重新开拓工业市场。迄今为止,在电噪声环境中高电压工作的数据转换器、放大器、开关、多路复用器和其它器件一直沿着减小制造工艺尺寸的发展路线不懈地努力。ADI公司的iCMOS工艺在技术进步道路上迈出了可喜的一步,按照这种iCMOS工艺制造生产的模拟IC能承受高达30V的电源电压,同时能提供突破的集成度,降低系统设计成本,而且降低85%的功耗和减小30%的封装尺寸。iCMOS的关键是增加栅极氧化层厚度的制造工艺的开发,它能使单元电路与底层之间或单元电路与单元电路之间完全隔离。这就意味着通过对同…     

ADI推出多款多信道数据转换器

美国模拟器件公司(ADI)早些时候推出8款多信道单片数模转换器(DAC),它在单芯片内集成了最密集的模拟信号处理性能以解决要求小尺寸和高精度的工业和仪器仪表应用中的难题。这些新的DAC是采用ADI公司拥有专利权的iCMOS工艺开发的,从而扩展了ADI公司的denseDACTM系列高密度数模转换器,在小型(9mm×9mm)封装内多达40个信道、高精度以及±10V的输出电压范围。上述产品具有新的片内设置功能,例如校准寄存器(以便补偿信号误差)和自动待机,保证了在恶劣的高电压工业环境下系统的可靠性,同时简化了印制电路板(PCB)布线。这些器件满足了…     

ADI公司发布创新的制造工艺ICMOS

美国模拟器件公司近日发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS，它是将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合，它使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。与采用传统CMOS制造工艺不同，按照iCMOS工业制造工艺制造的模拟IC能承受高达30V电源电压，同时能提供突破的性能水平，降低系统设计成本，而且降低85％的功耗和减小30％的封装尺寸。     

要闻

美国模拟器件公司(Analog Devices,ADI)近日发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS(工业CMOS),它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS(互补金属氧化物半导体)和互补双极型工艺相结合,使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了更高水平。与采用传统CMOS制造工艺不同,据称按照这种iCMOS工业制造工艺制造的模拟IC能承受高达30 V电源电压,同时能提供ADI发布高电压工业应用新工艺模拟IC更高性能,降低系统设计成本,而且降低85%的功耗和减小30%的封装尺寸。ADI公司介绍说,以前能够承受30V电压的制造工艺…     

ADI推出iCMOS模拟IC顿起波澜

美国模拟器件公司发布了一种创新的半导体制造工艺,它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合,并将该工艺命名为iCMOS(工业CMOS)。iCMOS使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面均得到极大提升。与采用传统CM0S制造工艺不同,采用iCMOS制造工艺的模拟IC能承受高达30V电源电压,     

中芯国际2006年3月开始量产90nm产品

中国的半导体代工企业——中芯国际集成电路制造（SMIC：Semiconductor Manufacturing International）将于2006年3月进入90nm工艺量产体制，预计90nm工艺产品的销售额将出现在2006年第二季度（2006年4月-6月）的业绩中。中芯国际社长兼CEO张汝京表示，除了已经公开的德国英飞凌以外，还有数家公司计划委托中芯国际使用90nm工艺进行代工。英飞凌委托中芯国际使用90nm工艺制造的是DRAM产品，预定于2006年第三季度进入量产阶段；而对于在第二季度就能带来销售额的90nm产品，张汝京并没有公开委托公司的具体名称，只是表示是从两家公司接到了逻辑LSI产品的委托制造订单。     

中芯国际2006年3月开始量产90nm产品

中国的半导体代工企业——中芯国际集成电路制造（SMIC：Semiconductor Manufacturing International）将于2006年3月进入90nm工艺量产体制，预计90nm工艺产品的销售额将出现在2006年第二季度（2006年4月～6月）的业绩中。中芯国际社长兼CEO张汝京表示，除了已经公开的德国英飞凌以外，还有数家公司计划委托中芯国际使用90nm工艺进行代工。     

24MHz．低噪声、R-R I／O高精度通用放大器

AD8663放大器适合于那些信号链误差预算要求严格的工业和仪器仪表应用，其中直流（DC）失调、电压噪声，温度漂移（125℃时450μV最大值）和低偏置电流至关重要。该器件采用ADI公司的iCMOS工艺制造，并且能够保证单电源（5V～16V）和双电源（±2．5V～±8V）条件下的测试精密度。它能够支持锂离子电池和锂聚合物电池所需的高电压，同时能够提供低功耗．散热管理和高精密性能。AD8663采用8引脚LFCSP封装和8引脚SOIC封装。ADI公司还提供AD8667双放大器。     

iPOLAR^TM在双极型器件中的应用

美国模拟器件公司(简称ADI)的iPOLAR^TM制造工艺的推出，代表了近20年来．业界对36V双极型工艺进行的最重大的再设计。这种新的iPOLAR工艺适合于需要耐高压双极型模拟器件的工业应用，采用iPOLAR工艺的芯片面积比老的双极型减小。     

基于COTS原则开发DC／DC转换器

美国模拟器件公司(简称ADI)近日推出了单芯片电能表集成电路(IC)产品,ADE7100和ADE7500系列单芯片电能计量IC,它们兼备ADI公司的智能电池管理和创新的信号处理技术以满足全球电子市场对高级功能、高可靠性电能表的需求.     

新闻

ADI精密16V运算放大器,用于工业、仪器仪表以及消费领域美国模拟器件公司(ADI)最新的精密运算放大器,将业界最佳精度、功率效率和多功能性与较宽的工作电压范围(5V～16V)进行了完美的结合,可以用于工业、医疗以及消费应用。新的精密运算放大器采用ADI公司自主知识产权的iCMOS高电压工业工艺技术制作,其封装尺寸比与之竞争的同类器件小70%,这使得它们非常适合电路板空间非常珍贵的高密度与便携式应用。     

面向工业应用的高电压模拟IC的芯片制造工艺

Analog Devices公司(位于美国马萨诸塞州Norwood)开发成功一种集高电压硅芯片、亚微米CMOS和互补双极型技术于一身的模拟芯片制造工艺,利用该工艺可生产出能够承受高达30V电源电压的元件——从而实现了性能的突破性提升,并降低了系统设计成本和功耗(功耗降幅高达85％),外壳封装尺寸也缩小了30％。这种被称为“工业CMOS(iCMOS)”的工艺有望造就一类新型高性能模拟元件,     

动态

美国模拟器件公司推出新的RF/IF放大器美国模拟器件公司(AnalogDevices,Inc.),近日推出12款最新的覆盖全部射频(RF)信号链的RF放大器系列产品,从而扩展了ADI公司RF解决方案在业界的领军地位。这些最新产品与ADI公司业界一流的功率检测器、调制器、解调器、混频器和频率合成器产品相结合,允许设计工程师利用ADI公司的高性能集成电路(IC)实现完整的信号链解决方案,从而简化设计过程、提高供应链效率并且缩短产品面市时间。这些最新的RF放大器是为宽带应用和窄带应用专门设计的。当这些放大器与ADI公司的其它RF IC配合使用,能够设计和制造出先进的RF体系结构以适合多种注重性能的应用,例如通信基础设施设备、航海雷达和射频识别(RFID)阅读器。     

ADI单芯片电能表IC有效降低功耗

美国模拟器件公司（ADI）日前发布了两系列单芯片电能计量集成电路（IC），它们兼备ADI公司的智能电池管理和创新的信号处理技术以满足全球电子市场对高级功能、高可靠性电能表的需求。ADI新的ADE7100和ADE7500电能表系统芯片（SoC）系列包括带有智能电池管理模式的芯片，它允许电能表保持时间、检测温度变化、液晶显示器（LCD）数据读出并且完成其他的重要系统功能，同时功耗比同类器件降低至少40％。     

单刀、六位RF开关达到四频段GSM手机要求

美国模拟器件公司（ADI）采用iMEMS技术推出了公司首个3轴加速度计产品——ADXL330。该款产品将MEMS传感器结构与信号调理电路集成在一起，功耗电流降低至200μA（20V电源电压条件下）。     

ADI单芯片电能表IC

美国模拟器件公司（Analog Devices，Inc，，简称ADI）发布了单芯片电能计量集成电路（IC）ADE7100和ADE7500。     

ADI公司将举行2007年度大学生创新设计竞赛

美国模拟器件公司（ADI）宣布，2007年度ADI大学生创新设计竞赛（uDc2007）将于2007年3月8日到2007年11月6日举行，其承办单位为北京工业大学。本次竞赛将邀请全国七个赛区的大学生提交设计方案，参赛方案为开放性命题，由参赛学生自己选择，参赛设计可以采用ADI公司的数据转换器、放大器、嵌入式处理器以及数字信号处理、MEMS器件、以及任何其他由ADI公司一流集成电路组成的模拟与混合信号部件。竞赛设计方案可以涉及多个应用领域，包括医疗设备、汽车系统、消费电子产品、多媒体设备以及通信基础设施。[第一段]     

华润上华200V SOI工艺实现量产

华润上华科技有限公司(华润微电子有限公司附属公司)近日宣布,继2010年首颗200V SOI CDMOS产品量产后,具有更高性价比的第二代SOI工艺实现量产。该工艺是一种集成多种半导体器件的集成电路制造技术,由华润上华在2010年实现量产的一代工艺基础上作了工艺升级,达到更高的性价比,这在国内尚属首家。这项技术填补了国内技术空白,并已成功打入国际市场,为三星、长虹等国内外著名PDP电视厂家提供芯片。华润上华的200V SOI CDMOS工艺可满足国内设计公司对高压、