共查询到17条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
2.
重掺碳GaAs层的MOCVD生长及特性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用 CCl4 作为碳掺杂源 ,进行了重掺碳 Ga As层的 L P- MOCVD生长 ,并且对掺杂特性进行了研究 ,研究了各生长参数对掺杂的影响。CCl4 流量是决定掺杂浓度的主要因素。减小生长温度、减小 / 比、降低生长压力 ,都能较大的提高掺杂浓度。通过改变 CCl4 流量 ,在生长温度为5 5 0~ 6 5 0℃、 / 比为 15~ 4 0 ,生长压力在 1× 10 4 ~ 4× 10 4 Pa的范围内 ,均能得到高于 2× 10 19/cm3 的掺碳 Ga As外延层 ,最高掺杂浓度为 8× 10 19/ cm3 相似文献
3.
采用以碳纤维为碳源的固态源MBE技术,生长了不同厚度的重接碳GaAs以及具有不同表层厚度的δ碳掺杂GaAs,通过Nomarski干涉显微镜和原子力显微镜(AFM)对样品表面形貌的观察,分析了挨碳GaAs的生长过程和各种缺陷的产生,提出碳的掺入导致了GaAs材料的三维岛状生长,促进了各种缺陷的力生。提出了通过改善生长条件减少缺陷的途径。 相似文献
4.
本文报道了在掺In半绝缘GaAs衬底上的液相和汽相外延生长,并用x射线双晶衍射和光学显微等方法研究外延层和衬底之间的晶格失配.结果表明,当衬底中In组分x<0.004时,外延层失配应力主要由弹性形变调节,不出现失配位错,并可得到很好的表面形貌;当x≥0.006时,外延层产生失配位错,失配应力主要由失配位错调节,液相外延层表面出现沿[110]和[110]方向的十字网络.当外延层产生范性形变时衬底中的临界In组分x_c在0.004和0.006之间. 相似文献
5.
6.
7.
利用低压金属有机化合物汽相淀积方法,以液态CCl4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料,研究了CCl4流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响.采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究.实验制备了空穴浓度高达1.9×1020cm-3的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al0.3Ga0.7As外延层.在材料研究的基础上,我们以碳为P型掺杂剂生长了Ga 相似文献
8.
利用低压金属有机化合物汽相淀积方法,以液态CCl4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料,研究了CCl4流量、生长温度和V/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响。采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究。实验制备了空穴浓度高达1.9×1020cm-3的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al03Ga0.7As外延层。在材料研究的基础上,我们以碳为P型掺杂剂生长了GaAs/A1GaAs/InGaAs应变量子阱980nm大功率半导体激光器结构,并获得了室温连续工作1W以上的光功率输出。 相似文献
9.
10.
MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器 总被引:2,自引:2,他引:0
利用低压金属有机金属化合物气相沉积方法,以液态CCl,为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980nm大功率半导体激光器。 相似文献
11.
12.
13.
14.
对Si掺杂和Zn掺杂p型GaAs液相外延材料进行光致发光研究。用发射波长为510.6nm和578.2nm的溴化亚铜激光器为激发光源,样品的低温由氦循环致冷机提供,样品室温度在10~300K中可调。在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率大致为2nm,所提供的数据全部经过系统灵敏度校正并进行分峰拟合。对Si掺杂p型GaAs样品PL谱中一些主要特征进行讨论,认为A_1,A_2,A_3三个发射带分别对应着导带“尾”态中电子向价带和两个浅受主能级的跃迁,它们随温度变化的情况,和带隙宽度及电子填充状态随温度变化有关。此外,我们还观察了掺Zn的p型GaAs样品的PL谱,与掺Si样品比较,具有明显不同的特征,谱线在长波端(~950nm)的上扬趋势表明在低能区域可能存在一个与深能级复合有关的宽发射带。 相似文献
15.
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN:Mg薄膜.首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研究发现在较低46 cm3/min的CP2 Mg源流量下,晶体质量和导电性能都有所改善,获得了较高空穴浓度,为8.73×1017 cm-3,(002)和(102)面FWHM分别为245和316 arcsec.随后,采用XRD、Hall测试、PL以及AFM研究了在生长过程中加入生长停顿对Delta掺杂p型GaN材料特性的影响,发现加入生长停顿后,样品电学特性、光学特性和晶体质量并未得到改善,反而下降. 相似文献
16.
MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较 总被引:2,自引:0,他引:2
用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/AlGaAs量子阱材料,并制成红外探测器.测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性,峰值波长7.9μm,响应率达到6×103V/W,与分子束外延法(MBE)生长的材料和相关器件进行了比较,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求. 相似文献