同位素靶的备制技术

本文系统地介绍了同位素靶的制备技术,主要内容包括核靶的制备手段(真空蒸发、聚焦重离子束溅射、滚轧、电镀、离心沉淀),同位素化合物还原工艺(还原蒸馏、电解还原)和核靶的贮存方法(干燥法、抽真空法、低温干燥法)。     

同位素靶的备制技术

本文系统地介绍了同位素靶的制备技术,主要内容包括核靶的制备手段(真空蒸发、聚焦重离子束溅射、滚轧、电镀、离心沉淀),同位素化合物还原工艺(还原蒸馏、电解还原)和核靶的贮存方法(干燥法、抽真空法、低温干燥法)。     

同位素铁靶制备技术

介绍了同位素铁靶的制备技术，包括氧化铁的还原、铁粉的熔化和铁靶的制备。采用聚焦束溅射和滚轧制备技术能获得自支撑^56Fe靶的最小厚度分别为50和360μm/cm^2。     

同位素Mg靶的制备

文章介绍了＾２４ＭｇＯ转换成金属小球的还原技术以及同位素Ｍｇ的３种制备方法，即轧法，电阻加热法和聚焦重离子溅射法。滚轧法适用于制备〉０．１５ｍｇ／ｃｍ＾２的自支撑＾２４Ｍｇ靶，而后２种方法主要用来制作有衬底靶。     

同位素铁靶制备技术

介绍了同位素铁靶的制备技术,包括氧化铁的还原、铁粉的熔化和铁靶的制备.采用聚焦束溅射和滚轧制备技术能获得自支撑56Fe靶的最小厚度分别为50和360 μg/cm2.     

硼靶制备技术的研究

介绍Ｂ靶制备技术及其质量厚度测量方法,静电振动,高压电喷和离心沉淀主极用于制备有衬Ｂ靶,而聚焦重离子束溅射和电子轰击可用来制备自支撑Ｂ靶和有衬Ｂ靶,Ｂ靶的质量厚度用分光光度法和称重法测量。     

同位素10B靶的制备

为准确测量¹⁰B(n,α)⁷Li和¹⁰B(n,t2α)的反应截面,需制备质量厚度为50～350 μg/cm²的¹⁰B靶。本文系统研究了同位素¹⁰B靶的制备工艺,确定了“压片-烧结-蒸发”三步法制备¹⁰B靶。研究了基片温度对¹⁰B膜生长过程、结构和膜基结合力的影响,测试和分析了¹⁰B靶的不均匀性。结果表明,利用间歇式静电聚焦微调电子轰击法制备同位素¹⁰B靶,蒸发速率应低于0.02 μg/(cm²·s);灯丝平面与¹⁰B柱的最佳距离为10.5～11 mm;生长的¹⁰B膜随基片温度的升高而致密并逐步结晶,膜基结合力也更好,最佳基片温度约为300 ℃。对于尺寸为Ø80 mm同位素¹⁰B靶的制备,不均匀性可控制在10%以内。已经成功在Ta和Al基片上制备了厚度<350 μg/cm²的¹⁰B靶用于核物理实验测量。     

铁靶制备技术的研究

文章介绍Ｆｅ靶制备技术及其厚度测量方法。真空蒸发和滚轧法能获得自支撑靶的最小厚度分别为８０和５６０μｇ／ｃｍ＾２。Ｆｅ靶的厚度用分光光度法和称重法测量。     

Be靶制备技术研究

介绍了Be靶制备的电阻加热法、滚轧法、静电振动法、离心沉淀法、聚集束溅射法等.结果显示:电阻加热和滚轧制备自支撑Be靶的厚度范围分别为20～970 μg/cm2和3.8～20 μm.     

Be靶制备技术研究

介绍了Be靶制备的电阻加热法、滚轧法、静电振动法、离心沉淀法、聚集束溅射法等。结果显示：电阻加热和滚轧制备自支撑Be靶的厚度范围分别为20－970μg/cm^2和3．8－20μm。     

几种特殊的滚轧制靶技术

描述了几种特殊的滚轧技术，包括中间退火，双层的材料靶的轧制电容器纸作内衬，气体靶室封窗膜的制备，材料熔化和粉末材料靶的轧制等。     

自支撑同位素钐靶的制备

一、引言联邦德国重离子研究所的物理实验需要~(154)Sm和~(144)Sm靶,具体要求是:(1)自支撑金属靶,(2)厚度范围为90—110 μg/cm~2,(3)靶厚测量误差为±10%,(4)靶的尺寸是φ15 mm,(5)靶的数量为4—5块。用滚轧法、电镀法和重离子溅射法制备这样薄的自支撑靶都十分困难,因此采用真空蒸发试制同位素钐靶。     

磁偏转电子枪研制核靶

文章叙述了磁偏转电子枪的原理和结构以及用ＥＱＤ－３型电子枪研制各种核靶的工艺过程。     

钴靶的几种制备方法

一、引言钴的天然丰度为100%,是核反应研究常用的元素之一。根据核物理实验的需要,我们先后用电镀法、电阻加热法、聚焦重离子溅射法、滚轧法和水冷坩埚电子轰击法制备了各种厚度的钴靶。本文简述了制备钴靶的各种方法的工艺过程及其特点,指出了它们的适     

用滚轧法制备同位素Cu和Ag靶

一、引言核物理实验需要~(63)Cu和~(107)Ag靶,具体要求是:(1) 自支撑金属靶,(2)因同位素量少价高,应尽量减少靶材料的损失,(3)靶的厚度为1—2 mg/cm~2,厚度测量的精度好于5%,(4)靶的均匀性好于95%。原则上,真空蒸发、重离子溅射、电镀和滚轧这四种     

自支撑同位素铬靶的制备方法

一、引言核物理实验需要各种厚度的自支撑同位素铬靶,首先我们用电镀法试制成0.5—2mg/cm~2的自支撑铬靶,为了获得更薄的自支撑铬靶,我们改用真空蒸发法进行试验,制成了厚度为0.2—0.4 mg/cm~2的自支撑铬靶。     

生产堆元件铀同位素丰度比和含量的测定

文章用同位素质谱法测定了辐照堆元件铀的同位素丰度比和含量。讨论了测定技术、方法及误差来源和误差传递等有关问题。上述各量与切片的分布相符,与其他方法的有关测量结果相一致。