7－12MeV活化截面测量和低能中子影响的校正

简述了７－１２ＭｅＶ能区由于有几种低能中子成分的存在给截面测量与评价带来的困难，及低能中子的扣除方法。并给出了此能区几个反应道的测量结果，以图的形式与国际同行数据作了比较。又以￣（５８）Ｎｉ（ｎ，ｐ）￣（５８）Ｃｏ反应为例，说明低能中子对Ｔ（ｄ，ｎ）￣４Ｈｅ中子源的影响，还给出了￣（５８）Ｎｉ（ｎ，ｐ）反应的评价曲线。     

^92Mo（n,p）^92Nb^m反应截面的测量和低能中子的扣除

用活化法相对标准反应测量了＾９２Ｍｏ（ｎ,ｐ）＾９１２Ｎｂ＾ｍ反应截面,其能区为５－１９ＭｅＶ。测量中分析了低能中子的影响,采用恰当的方法有效地扣除他们的干扰。特别是在１７－１９ＭｅＶ能区,用空靶扣除了Ｄ－ｄ低能中子的影响,得到了合理的截面走向。     

En〉6MeV能区（n,p）反应截面的物理分析

在Ｅｎ〈６ＭｅＶ能区，以＾５８Ｎｉ（ｎ，ｐ）＾５８Ｃｏ和＾６４Ｚｎ（ｎ，ｐ）＾６４Ｃｕ反应为例，对（ｎ，ｐ）反应堆面的实验数据进行物理分析，得出在评价这段能区的反应堆面时更应重视使用＾６Ｌｉ－ｐ和Ｔ－ｐ中子源实验数据的结论。Ｔ     

^152Sm的22—1019keV能区中子俘获截面的测量

在４．５ＭｅＶ静电加速器上，利用＾７Ｌｉ（ｐ，ｎ）＾７Ｂｅ和Ｔ（ｐ，ｎ）＾３Ｈｅ反应作为中子源，在２２－１０１９ｋｅＶ中子能区以＾１９７Ａｕ的中子俘获截面为标准，用活化法测量了＾１５２Ｓｍ的中子俘获截面，其误差小于６．８％。     

固体气泡损伤探测器中子探测效率的刻度

在２＊１．７ＭＶ串列加速器上用＾７Ｌｉ（ｐ,ｎ）＾７Ｂｅ、Ｔ（ｐ,ｎ）＾３Ｈｅ、Ｄ（ｄ,ｎ）＾３Ｈｅ和Ｔ（ｄ,ｎ）＾４Ｈｅ核反应产生的２０ｋｅＶ－１９ＭｅＶ单能快中子对中国原子能科学研究院研制的固体气泡损伤探测器进行了刻度。这种探测器可用于中子能谱和中子剂量测量。     

高气压屏栅电离室的调试和58Ni(n,p)反应双微分截面的试测

介绍了高气压屏栅电离室的结构和调试,并对＾５８Ｎｉ（ｎ,ｐ）试测结果进行了分析,结果证明此电离和测量方法对（ｎ,ｐ）反应的测量是适用的。目前正用此电离室进行测量（ｎ,ｐ）反应堆面的实验。     

用双屏栅电离室测量快中子（n,α）反应的双微分截面

双用屏栅电离室和多参数数据获取系统建立了一套测量（ｎ，ｐ）、（ｎ，α）快中子诱发带电粒子反应双微分截面的装置。在北京大学４．５ＭＶ静电加速器上测量了４ＭｅＶ和５ＭｅＶ中子的＾４０Ｃａ（ｎ，α）＾３７Ａｒ反应的能谱和角分布以及５ＭｅＶ中子的微分截面。实验结果表明整个系统工作正常，用于研究（ｎ，ｐ）、（ｎ，α）反应是合适的。     

~（152）Sm的22－1019keV能区中子俘获截面的测量

在４．５ＭｅＶ静电加速器上．利用７Ｌｉ（ｐ，ｎ）７Ｂｅ和Ｔ（ｐ．ｎ）３Ｈｅ反应作为中子源，在２２－１０１９ｋｅＶ中子能区以（１９７）Ａｕ的中子俘获截面为标准，用活化法测量了（１５２）Ｓｍ的中子俘获截面．其误差小于６．８％。     

用聚乙烯薄膜测中子绝对注量率

在测量中快中子（ｎ，ｐ）反应的实验中，同样利用屏栅电离室测得聚乙烯薄膜反冲质子的能谱，并利用蒙特－卡罗方法对其进行校正，则得到中子的绝对注量率，将其结果与＾２３８Ｕ测得的结果进行比较，二者在误差范围内相同，说明用此方法测量中子绝对注量率是可行的。     

^154Sm（n,2n）^153Sm和^148Sm（n,p）^148gPm反应测面的测量

报道了在Ｅｎ＝１４．５－１４．９ＭｅＶ中子能区用活化法以＾２７Ａｌ（ｎ，ａ）＾１４Ｎａ的反应截面为中子注量标准测得的＾１５４Ｓｍ（ｎ，２ｎ）＾１５３Ｓｍ和＾１４８Ｓｍ（ｎ，ｐ）＾１４８ｇＰｍ反应截面，并将其与已有的数据进行了比较，中子能量用铌锆截面比法测定。     

用4πβ－γ符合吸收法测量~（56）Mn的活度并计算中子注量率

用１４ＭｅＶ中子辐照一组厚度分别为３５、７５、１００、１５０及２００μｍ的纯Ｆｅ箔，用４πβ－γ符合吸收效率外推法测量￣（５６）Ｆｅ（ｎ，ｐ）￣（５６）Ｍｎ反应产物￣（５６）Ｍｎ的活度，计算得中子注量率的相对总不确定度为１．９％。与α伴随粒子法绝对测量结果相比较，相对偏差小于２％。     

18—27MeV中子能区的有机闪烁体探测器的效率刻度

通过对Ｔ（ｄ，ｎ）＾４Ｈｅ反应的中子角分布测量，刻度了Ｄｉ晶体的探测效率，能量范围为１８－２７ＭｅＶ。     

在HI—13串列加速器上利用逆几何反应产生次级放射性核束的可…

论证了通过若干逆几何的（ｐ，ｎ），（ｄ，ｐ），（ｄ，ｎ）和（ｄ，＾３Ｈｅ）等低能重离子反应产生＾６Ｈｅ，＾７Ｂｅ，＾８Ｌｉ，＾１２Ｂ，＾１１Ｃ，＾１３Ｎ，＾１５Ｏ和＾１７Ｆ等次级放射性核束的可行性，介绍了正在建造中的次级束实验装置的概貌     

天然铊的全套中子数据评价

天然铊的中子核数据评价在１０￣（－５）ｅＶ－２０ＭｅＶ中子能量范围内进行，它的内容包括总的、弹性、去弹、总非弹、１６条分立能级、连续非弹、（ｎ，ｐ）、（ｎ，ａ）（ｎ，ｄ）、（ｎ，ｔ）、（ｎ，２ｎ）、（ｎ，３ｎ）、（ｎ，ｎ＇ｐ）、（ｎ，ｎ＇ａ）和（ｎ，ｒ）反应截面；次级中子角分布；双微分截面（ＤＤＣＳ）；ｒ射线产生数据以及共振参数等。评价以到１９９３年为止的有效实验数据和理论计算（ＵＮＦ－９２程序）为依据。评价数据以ＥＮＤＦ／Ｂ６格式给出并收入中国评价核数据库（ＣＥＮＤＬ－２．１）版（ＭＡＴ＝１８００）和提供核工程有关部门使用。     

天然Cl中子全截面,（n,α）和（n,p）截面的评价

在收集实验数据的基础上，结合理论计算对天然Ｃｌ的中子全截面，（ｎ，α）和（ｎ，ｐ）反应堆面进行了评价，与ＥＭＤＦ／Ｂ－６库推荐结果进行了比较，分析了与Ｂ－６库评价分岐的原因。     

^18O离子轰击厚靶的中子剂量学参数

用阈探测器活化法测量了每个核子动能（简称单核能）为５０ＭｅＶ＾１８Ｏ离子轰击厚靶（Ｂｅ、Ｃｕ、Ａｕ）时出射中子的能量分布、注量率分布和中子角分布，得到了＾１８Ｏ离子的中子产额、前向中子发射率和中子剂量当量率分布的数据。并与国外报道的单核能在２０ＭｅＶ以下的低能重离子轰击厚靶研究中得到的中子剂量学参数进行了比较和分析。     

铁屏蔽T（d,n）^4He源的模拟结果分析

用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ法模拟了用铁屏蔽Ｔ（ｄ，ｎ）＾４Ｈｅ快中子源时不同条件下的透射率随铁厚度的变化规律。研究了（ｎ，２ｎ）反应对快中子慢化的作用，使较低能量的中子产生了累积效应，并分析了反射中子二次进入屏蔽体时透射率的变化规律。推荐了多层屏蔽体的铁的适当厚度，与国外数据符合较好。     

44GeV ^12C＋Cu核反应释放中子的能谱测量

描述了用核乳胶反冲质子法及＾１２Ｃ（ｎ，ｎ’）３α核反应法测得的４４ＧｅＶ ＾１２Ｃ＋Ｃｕ核反应释放的中子能谱，并将实验结果与Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ模拟结果进行了比较。     

中子核反应截面实验数据的参数化理论分析

根据蒸发模型和激子模型，在一定的假设和近似下建立了（ｎ，２ｎ），（ｎ，３ｎ），（ｎ，ｘ）（ｘ＝ｐ，ａ，ｄ，ｔ，￣３Ｈｅ），（ｎ，ｎｐ＋ｐｎ），（ｎ，ｎａ＋ａｎ）．及（ｎ，γ）等十个反应道的中子核反应截面的参数化理论公式。公式中仅含最灵敏的参数，根据所建立的参数化理论公式，编制了参数化理论公式拟合分析程序ＳＦＦ。与实验数据的比较表明：参数化的理论公式可以很好地描述实验数据。     

加速器制备^123I

介绍了用＾１２４Ｔｅ（ｐ，２ｎ）＾１２３Ｉ、＾１２３Ｔｅ（ｐ，ｎ）＾１２３Ｉ，＾１２７Ｉ（ｐ，ｔｎ）＾１２３Ｘｅ→＾１２３Ｉ，＾１２４Ｘｅ（ｐ，ｘ）＾１２３Ｉ和＾１２４Ｘｅ（γ，）＾１２３Ｘｅ→＾１２３Ｉ等反应制备＾１２３Ｉ的方法，并对各种方法优缺点进行了比较。