γ射线辐照引起的VO_2薄膜结构和相变光学特性变化

利用剂量为 35kGy - 35 0 0kGy的Co60 源辐照VO2 薄膜 ,对辐照后薄膜进行XRD和激光Raman光谱测试。结果表明 ,较低剂量 辐照后VO2 薄膜出现较显著的晶态变差现象 ,而高剂量 辐照则在薄膜中产生退火效应 ,使薄膜晶态变好。由此引起VO2 薄膜的热致相变的光学特性、特征Raman峰的强度和位置随 辐照剂量的增加而出现变化。根据 射线与物质相互作用原理对 辐照引起的以上效应进行了讨论     

真空还原制备的VO_2热致相变薄膜光学性质研究

本文对不同衬底制备的VO2 薄膜进行了表面形貌测试 ,对其红外透射光谱和Raman光谱进行了研究 ,并进行 370nm -90 0nm波段的光透射测试以及 90 0nm波长的热滞回线特性测试 ,表明所制备VO2 薄膜具有优良的热致相变光学特性 ,薄膜为纳米结构 ,并且结晶状态不同的薄膜其Raman谱位置有明显改变 ,室温时的红外光谱表现出较好的红外振动特性。讨论了薄膜结晶状态对Raman位移的影响以及VO2 薄膜的红外光谱     

调整VO2薄膜相变特性和TCR的制备及辐照方法

采用不同的真空还原时间、真空退火温度和衬底制备出了VO2薄膜,并对制备出的薄膜进行电子辐照.通过测试辐照前后的VO2薄膜相变电学性能及低温半导体相电阻温度系数(TCR),表明不同的制备工艺和不同注量的电子辐照可明显改变VO2薄膜相变过程中电学性能,提高薄膜的电阻温度系数.对影响VO2热致相变薄膜电学性能及电阻温度系数的因素进行了讨论.     

γ射线辐照引起的VO2薄膜结构和相变光学特性变化

利用剂量为35kGy-3500kGy的Co^60γ源辐照VO2薄膜,对辐照后薄膜进行XRD和激光Raman光谱测试。结果表明,较低剂量γ辐照后VO2薄膜聘较显著的晶态变差现象,而高剂量γ辐照则在薄膜中产生退火效应,使薄膜晶态较好。由此引起VO2薄膜的热致相变的光学特性、特征Raman峰的强度和位置随γ辐照剂量的增加而出现变化。根据γ射线与物质相互作用原理对γ辐照引起的以上效应进行了讨论。     

光伏法研究高能电子辐照单晶硅的性能

采用光伏方法测量了１ＭｅＶ高能电子辐照（辐照剂量为１０＾１３～１０＾１６ｃｍ＾－２）前后硅单晶少子扩散长度的变化；结合红外光吸收谱的测量结果，分析了高能电子辐照对硅单晶性能的影响。实验结果表明：高阻硅比低阻硅具有更强的抗辐射能力，大剂量的电子辐照可以改变ｎ型硅的导电类型。文中还计算了电子辐照在硅中所产生的陷浓度等一些重要参数。     

齐纳二极管电子辐照特性研究

研究了电子辐照前后齐纳二极管在不同温度下的直流参数特性以及其动态响应。根据直流伏安特性提取齐纳管理想因子n,发现高注量下n有明显增大,表明辐照引入了复合中心。该器件室温下的直流参数稳定,辐照引起的变化不明显;较高温度下,击穿电压和正向压降等变化稍大。在动态响应的研究中,瞬态电压消失后,电流迅速减小并产生了随时间衰减的振荡。高注量的样品振荡时间相较于低注量的样品有明显的延长,这个延长在器件室温存放之后发生了消退。     

低温热致变色VO2薄膜的制备及应用

提出了一种制备低温热致变色VO2新型薄膜材料的工艺方法。在玻璃基底的Si3N4薄膜上溅射沉积VOx薄膜，再经还原性气氛退火，最终得到了nm量级的VO2颗粒。四探针测试电阻温度关系表明，该类材料相变温度已经靠近室温。不同温度下测试的红外透过曲线表明，该材料在相变前后有良好的红外开关特性，能够在智能窗等各类光电产品中获得应用。     

基于全光谱拟合法的VO2薄膜光学常数计算

为实现对VO2薄膜光学常数的测量,本文在全光谱拟合法的基础上,首先利用导纳矩阵法推导出透射率T与薄膜厚度d、折射率n以及消光系数k的函数关系,然后利用单纯形法得到其优化函数.最后采用Matlab编程方法对低温态、高温态VO2薄膜的红外透射率进行了全光谱拟合,得到折射率和消光系数等VO2薄膜光学常数的拟合曲线.结果表明:拟合曲线与已有研究结果及实测曲线基本吻合.采用全光谱拟合方法得到的光学常数能较准确的对VO2薄膜进行描述,为最佳膜厚设计提供了依据.此外,为更简便地描述VO2薄膜的光学常数,本文还引入了Cauchy色散模型方程,对全光谱拟合方法得到的中远红外波段(2.5~15μm)的光学常数结果进行了拟合.     

1MeV电子辐照对硅常规电池性能的影响

本文研究p~+/n硅常规电池受1MeV电子辐照前、后性能参数的变化.实验数据与计算结果均表明,随着电子辐照强度的增加,电池的内部参数S_p/D_n逐渐增大,L_n和L_p逐渐变小,尤其是基区中L_p快速下降,这是导致电池性能衰退的主要原因.     

注FCC4007电路的电子和X射线辐照效应

分析研究了用注Ｆ工艺制作的ＣＣ４００７ 电路电子和Ｘ射线辐照响应结果。实验表明,把适量的Ｆ注入栅场介质,能明显抑制辐射所引起的ＰＭＯＳＦＥＴ 阈电压的负向漂移和ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压的正向回漂及静态漏电流的增加。Ｉ－Ｖ特性表明,栅介质中的Ｆ能减小辐射感生氧化物电荷和界面态的增长积累。注Ｆ栅介质电子和Ｘ射线辐照敏感性的降低,是Ｓｉ－Ｆ结键释放了Ｓｉ／ＳｉＯ２ 界面应力,并部分替换在辐照场中易成为电荷陷阱的Ｓｉ－Ｈ弱键的缘故。     

掺杂VO2薄膜的制备及其光电性质

以石英片为基底,采用直流/射频磁控共溅射法制备了掺A、掺Ti的V02薄膜.对所制样品进行了电阻-温度关系、原子力显微镜、透射光谱等光电性能测试.结果分析表明,Al元素可以提高薄膜相变温度及Ti元素可以有效提高相变前后电阻率变化幅度,并且用半导体能带理论对VO2薄膜光电性质改变的原因及掺杂对其造成的影响予以解释,提出了影响相变滞豫的原因及改善方法.最后对磁控共溅射沉积方法制备掺杂薄膜的工艺方法提出了改进.     

FeS_2薄膜厚度对晶体生长及光吸收特性的作用

在单晶Si衬底上用磁控溅射Fe膜并硫化的方法 ,制备了不同厚度的FeS2 薄膜 ,测定了晶体结构及光学性能 .结果表明 ,薄膜晶体学位向分布随薄膜厚度的增大可发生一定程度的变化 .随着薄膜厚度增加到 330nm ,晶粒尺寸增加而晶格常数减小 ;但当薄膜厚度大于 330nm时 ,晶粒尺寸下降而晶格常数增大 .光吸收系数以及禁带宽度均随薄膜厚度的增加而下降 .相变应力、比表面积及晶体缺陷随薄膜厚度的变化是引起薄膜晶体生长行为及光吸收性能变化的主要原因     

微显示技术与光学薄膜

讨论了光学薄膜在LCD、LCoS及DLP三种微显示光引擎中的应用。同时也简述了相应的光学薄膜技术的进展。     

二氧化钒薄膜制备及其热致变发射率特性研究

通过溶胶-凝胶和真空热处理工艺在石英基底上制备了二氧化钒薄膜,对制备出的薄膜进行了X射线衍射及X射线光电子能谱分析,结果表明所制备出的薄膜价态单一,纯度较高,薄膜为多晶态,晶粒尺寸约为27 nm.利用红外热像仪拍摄了薄膜在不同温度下的红外热图并计算了发射率,结果表明二氧化钒薄膜7.5～14 μm波段发射率在相变时发生突变,突变量可达0.6,具有优异的热致变发射率性能,在红外自适应伪装等领域应用前景广阔.     

Modification of the Properties of CuxS Thin Films by Low Energy Ion Beam Implantation

Cu x S thin films are implanted by low energy N + ion beam. The influences of the energy and dose of N + ion implantation on Cu x S films are investigated. The results show that the ratio of copper to sulfur is increased to some extent, the constituents of the film are turned to rich copper phase from rich sulfurous phase after ion beam irradiation. X-ray diffraction spectrum and optical transmission spectra of sample have confirmed the results.     

Effect of the Structure and Valence State on the Properties of VO2 Thin Films

VO2 thin films with good switching properties were prepared by controlling the annealing time and the annealing temperature in a vacuum system.The structural,optical and electrical properties of the samples were cahracterized by using XRD,XPS,UV-VIS and electrical measurements.The witching parameters of VO2 thin film were investigated too.The results indicate that before and after phase transition the resistance of VO2 thin films changes aobut three orders of magnitude,the variation of film transmittance of 40% has been carried out with the absorptivity switching velocity of about 0.2607/min at 900 nm.The structural property of samples has been improved but the phase-transition properties have been decreased by increasing the annealing time and annealing temperature.The valence of V ions and the structure of samples have great effect on phase transition properties of VO2 thin films.Discussion on the effecs of annealing time and annealing temperature on the phase-transition temperature and hysteresis width shows that the best reasonable annealing tiem and annealing temperatre can be achieved.     

双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺

用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO2蒸发速率比变化的规律,并讨论了这种淀积方法的优越性.     

双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺

用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO2蒸发速率比变化的规律,并讨论了这种淀积方法的优越性.     

氧化钒薄膜的制备及其光电特性研究

采用一种新工艺在Si和Si3 N4衬底上制备了性能优良的氧化钒薄膜 ,并对其微观结构和光电特性进行了研究。测试结果表明采用新工艺所制备的氧化钒薄膜在相变前后电阻率变化达到 3个数量级 ,红外透过率在相变前后改变达到 6 0 %。     

化学气相沉积光学级金刚石薄膜的研究进展

化学气相沉积（CVD））金刚石薄膜优异的光学性能在近几年得到了广泛的重视,关于它的研究也在近几年取得了较大的突破。综述了CVD金刚石薄膜的光学性能,着重从成核、生长和后期处理三个方面对光学级CVD金刚石薄膜的制备进行了讨论,并对今后的研究作了展望。