铂薄膜电阻温度传感器封装研究

封装可以保护铂薄膜电阻温度传感器避免机械损伤,减弱薄膜高温下热挥发和团聚现象,提升器件综合性能.设计了一种玻璃釉料/高温陶瓷胶/氧化铝3层复合封装结构.通过合理设计封装结构,选择封装材料,优化封装工艺,调节各层材料热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion,CTE),减小了热应力,提升了封装可靠性.根据CTE和熔融温度加和性系数计算法则设计玻璃成分,制备玻璃粉末,优化玻璃釉料黏度,制备玻璃釉料.通过对玻璃粉末进行热分析,研究烧结温度对玻璃的影响,设计玻璃釉料烧结曲线,完成铂薄膜电阻封装.实验发现封装层结构致密,封装后电阻响应时间较短,封装提升了电阻温度系数(Temperature Coefficient of Resistance,TCR)和高温(850℃)稳定性.研究表明这种封装结构有利于提升电阻温度传感器的综合性能.该研究对铂薄膜电阻封装具有指导价值.     

一种新型MEMS温度传感器

提出了一种新型的基于硅微桥的MEMS温度传感器。传感器是由表面制有惠斯通电桥的硅微桥和淀积在其表面的温敏聚合物薄膜构成。应用弹性力学薄板理论分析了该温度传感器的模型。分析表明:硅微桥的输出与温度变化呈线性关系。在温敏薄膜材料参数已知时,采用大面积、高厚度,可以改善传感器性能。     

电阻温度系数对放大器增益的影响

本文介绍了同情况下电阻温度系数对放大器增益的影响。作者在科研实践的基础上通过大量实践取得了可靠的实践数据，本文可供维修和调试电路时作为参考。     

薄膜铂温度传感器多点温度检测系统

酒精生产过程中,需要对蒸馏塔多点温度进行检测。采用新型薄膜铂温度传感器设计了多点温度检测系统,使用正反馈型线性校正电路使输出电压与温度成线性关系,从而提高了检测系统的测量准确度。本系统的特点是电路设计新颖、测温准确度高、实用性强。     

掺杂浓度对多晶硅电阻温度系数的影响

本文对多晶硅电阻的温度系数进行了研究,随着掺杂浓度的增大,多晶硅电阻的温室系数从负值变到正值。实验结果可用Seto模型进行解释。     

电阻温度传感器数字化的几种方法

本文讨论了电阻型温度传感器实现数字化的几中方法，着重列举了ＲＣ振荡电路组成的准数字化温度传感器，Ｒ有源振荡构成的准数字温度传感器，由ＰＩＣ单片机构成的ＲＣ网络数字温度传感器，并比较了它们各自的特点。     

用直流双臂电桥测量电阻温度系数

通过对大学物理实验中力学实验、热学实验及电磁学实验的综合,设计电阻温度系数的测量实验。通过测量导线的直径、质量计算出导线的长度,在改变温度条件下使用双臂电桥测量导线的电阻,利用测量数据通过线性拟合得到铜导线的电阻温度系数。     

厚膜铂电阻温度传感器的性能与应用

厚膜铂电阻是以铂膜作电阻，采用丝网印刷工艺制造的。该元件具有工艺性好、长期稳定性好、抗振动性好和热响应快等诸多优点，其Ｒ（℃）＝１００Ω，Ｒ（１００℃）／Ｒ（０℃）＝１．３８５０，是－７０℃－＋６００℃范围精密测温的理想元件。     

铂电阻温度传感器的自热效应

提出了一种测量铂电阻温度传感器的散热系数的简便方法。测量了不同条件下铂电阻温度传感器的散热系数,并对电阻的自热效应影响进行了探讨。     

用于温度传感器芯片的高精度低温度系数带隙基准源

为了满足温度传感器芯片对带隙基准源高性能的要求,设计了一种高精度低温度系数带隙基准源。该带隙基准源利用电阻比值校正了一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性,使得输出的基准电压的精度和温度系数有了很大提高。采用0.8μm BiCMOS（Bipolar-CMOS）工艺进行流片,带隙基准电路所占面积大小为0.04mm???2。测试结果表明：在5V电源电压下,在温度-40~125℃范围内,基准电压的温度系数为1.2×10-5/℃,基准电流的温度系数为3.77×10-4/℃;电源电压在4.0~7.0V之间变化时,基准电压的变化量为0.4 mV,电源调整率为0.13mV/V;基准电流的变化量为变化量约为0.02μA ,电源调整率为6.7nA /V。     

数字温度传感器在仓库温度检控系统的应用

介绍了一种新型的数字温度传感器DS1820及系列，讨论了它在由单片机和工控机构成在仓库分布式测温系统中的应用，并给出LTM-8000系列模块构成测温系统的应用。     

数字式温度传感器与分布式温度测量系统

介绍了新型数字式温度传感器的原理,性能和接口技术,并对数字温度传感器在分布式温度监控系统中应用问题,如现场总线和数据通讯网络技术等进行了描述,系统已经在生产实际中得到应用。     

正温度系数热敏电阻基本参数的快速测试法

研究了快速测试ＰＴＣＲ基本参数Ｔｃ，ａＴ的方法，又讨论了测试误差及应用效果。     

用Origin求解金属电阻温度系数

该文主要介绍了用Origin软件求解金属电阻温度系数的方法,这种方法简单易用,结果准确。     

MEMS固体微推进器中Cr薄膜点火电阻的研究

点火电路是MEMS固体化学微推进器中最重要的组成部分,其点火电压的大小及点火可靠性则主要取决于点火电阻.国内外均采用多晶硅(polysilicon)或贵金属铂(Pt)作为点火电阻材料,所制备出来的点火电阻的阻值都比较大,需要的点火电压较高(40 V以上),而且点火可靠性不高,难以满足固体微推进器的使用要求.本文首次采用金属铬(Cr)作为点火电阻材料,设计了具有高可靠性的并联点火电阻图形,通过磁控溅射镀膜、光刻以及Cr的湿法腐蚀工艺制备出了Cr薄膜点火电阻,并在20伏左右的低电压下成功地实现了常规火药黑索金的点火,为低点火电压、低成本、高可靠性的点火电路的制备提供了一条有效的技术途径.     

正温度系数热敏电阻测温的非线性补偿方法

论述了正温度系数热敏电阻测温的工作原理和非线性补偿技术,给出了补偿电路,并对电路工作原理进行了详细分析。     

新型数字温度传感器DS1820组成的多点温度采集系统研究

本文主要介绍１位总线数字温度传感器的性能及多点温原理和方法，数字温度传感器的引入，省去了传统温度采集系统中的放大和Ａ／Ｄ转换电路等环节，给传统的测温电路带来一场极大的变革，该方法结构简单，价格低廉抗干扰强，适用于大范围多点温度监测。     

基于PSO-BP神经网络的MEMS加速度计温度补偿

针对扭摆式硅微加速度计的温漂问题,在对比分析不同算法补偿效果的基础上,提出了基于自适应权重粒子群优化(PSO)算法优化反向传播(BP)神经网络温度补偿方法,同时借鉴传统遗传算法中的变异思想,在PSO算法中引入变异操作,克服了BP神经网络易陷入局部极值缺陷,且温度补偿精度相对其他算法更具有全局性,达到了高精度实时温度补偿效果。测试结果表明:补偿后的标度因数温度系数、全温零偏极差和非线性分别由141×10~(-6)/℃,109. 111 mgn和2223×10~(-6)减小为13. 22×10~(-6)/℃,9. 941 mgn和294×10~(-6),验证了提出方法的优越性和实用性。     

MEA优化的BPNN MEMS加速度计温度补偿系统

在充分研究单轴硅微扭摆式电容加速度计结构原理和温度特性的基础上,利用思维进化算法(MEA)优化反向传播神经网络(BPNN)参数构建微机电系统(MEMS)加速度计的温度补偿模型,通过温度实验,计算出温度模型参数,进而实现实时温度补偿.实验结果表明:使用MEA优化的BPNN算法补偿后加速度计的非线性由1576×10-6减小为266×10-6,标度因数温度系数由438×10-6/℃减小为78×10-6/℃,全温零偏极差由58.8 mgn减小为2.7 mgn,加速度计的温度特性大幅提高,证明所提温度补偿算法的有效性.     

MEMS薄膜热流传感器研制

基于微加工技术设计制备了一种微机电系统(MEMS)薄膜热流传感器。采用COMSOL软件,对不同结构参数MEMS薄膜热流计进行仿真模拟,通过对仿真结果对比和分析,优化热流传感器的设计参数。根据优化的设计参数利用MEMS工艺制备薄膜热流计。搭建了标定系统,对所制备的MEMS薄膜热流计进行性能测试和标定。实验结果表明:薄膜热流计的电压输出响应曲线的变化趋势和仿真结果一致,此外,薄膜热流计的输出电压和热流密度呈良好的线性关系。